OPA659芯片提升产品溢价竞争力，备受激光雷达厂商青睐！

集成电路大数据平台 2025-07-03 17:28
本期是平台君和您分享的第277期内容
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2025年的激光雷达市场已陷入"红海"混战，市场规模已突破135亿美元。OPA659作为蔚来ET9、极氪千里浩瀚H9等车型实现L4级自动驾驶的“标配”，单颗采购价已溢价40%-60%。

今天平台君给大家带来了这款OPA659👈运算放大器芯片，因其完美适配激光雷达、晶圆检测等高端应用场景，成为了光电转换电路设计中的"黄金标准"。接下来就和平台君一同深入了解这款芯片吧。


Basic Information

01.OPA659基本信息








OPA659封装图（图源：IPBrain平台）

OPA659封装文字标识为BZX，封装类型为SOT-23，共有5个Pin。


OPA659封装信息（图源：芯片规格书）

OPA659管芯尺寸为1.18 mm × 0.72 mm（不含划片槽），金属层数为2层，多晶层数为2层，制作工艺为BiCMOS，管芯文字为CIC60410FLDAPL1ACIC60412<TI logo>。

OPA659管芯文字1（图源：IPBrain平台）

OPA659管芯文字2（图源：IPBrain平台）

OPA659顶层概貌图（图源：IPBrain平台）


Internal Structure

02.OPA659内部结构


OPA659功能框图（图源：芯片规格书）

从功能框图中我们可以看出OPA659最主要的结构是放大器模块，OPA659将带宽、单位增益稳定的电压反馈运算放大器与JFET输入级相结合，为数据采集应用（如示波器前端放大器）和机器视觉应用（如晶片检测中使用的光电二极管跨阻抗放大器）中的高阻抗缓冲提供超高动态范围放大器。


OPA659模块划分（图源：IPBrain平台）

OPA659整体采用三级放大结构，分别为JFET差分对管输入级‌、增益与补偿架构和推挽输出级‌。

一、JFET差分对管输入级‌
采用结型场效应管（JFET）构成差分输入级，提供超高输入阻抗（>10^12Ω）和极低输入偏置电流（±10pA），显著降低光电检测等应用的电流噪声干扰‌。
输入级集成栅极保护二极管，防止静电放电（ESD）损伤，同时优化了共模抑制比（CMRR≈70dB）‌。

这种结构有效降低了光电检测应用中的电流噪声，配合8.9nV/√Hz的电压噪声密度，可实现极低的系统集成噪声。

二、增益与补偿架构
电压反馈架构不同于电流反馈放大器，OPA659采用改进型电压反馈拓扑，通过内部米勒补偿电容实现单位增益稳定性（650MHz @ G=1）‌。
增益带宽积（GBWP）为350MHz，在2V/V增益下扩展至650MHz带宽，开环增益典型值58dB‌。

三、推挽输出级‌
采用AB类互补推挽输出，支持±70mA峰值电流，可直接驱动50Ω传输线或容性负载（需配置隔离电阻）‌。
集成过载保护电路，过驱动恢复时间低至8ns（4V阶跃输入）‌。


OPA659放大器模块电路（图源：IPBrain平台）

  1. 带宽扩展技术：通过前馈补偿电容(2pF)消除米勒效应；
  2. 低噪声设计：可采用基极电阻优化方案，输入噪声谱密度测试结果约为8.9nV/√Hz@1MHz。


OPA659典型应用（图源：芯片规格书）


Detail Diagram

03.OPA659器件细节图

平台君给大家带来了OPA659👈芯片中出现次数较多的典型器件截图，大家一起看一下吧。

三极管

三极管（图源：IPBrain平台）

双多晶电容

双多晶电容（图源：IPBrain平台）


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