Micro LED背光样机亮相：用量降低84%

近期，英国材料企业Smartkem在日本IDW展会上发布其名为“MiP4（Micro LED-in-Package 4-in-series）”的Mini LED 背光技术，并展示首款12.3英寸Micro LED-in-Package (MiP4)背光样机。

插播：加入LED显示群，请联系凌语：hangjia199

官网信息显示，该技术采用了Smartkem专有的重分布层 (RDL) 材料，将四个芯片级Micro LED串联互连，形成一个高压芯片——MiP4；其MiP4封装旨在取代 LCD 背光和标牌应用中现有的 Mini LED封装。

具体来看，研究团队采用了一种方法，即在蓝宝石衬底上生长GaN LED结构，通过“化学剥离”工艺将其分离，然后转移到玻璃衬底上。在玻璃衬底上，形成由聚合物绝缘膜和金属导线组成的重分布层（RDL），将四个Micro LED串联起来。

这种“芯片优先”和基于RDL的集成工艺，可支持芯片级的12V兼容性，同时提供一种可立即应用于SMT（表面贴装技术）工艺的封装形式。

（a）采用 Smartkem 专有的 RDL 技术在玻璃基板上串联微型 LED 的工艺流程图；图源UBIResearchNet

同时，展会现场，研究人员将四个尺寸小于85 微米的微型 LED 芯片放置在玻璃基板上，并将它们串联起来，形成一个单一的封装（0.6 毫米 x 0.6 毫米）。

该企业相关负责人表示，在400个背光区域的测试中，其MiP4技术与传统的芯片封装（COB）工艺相比，将氮化镓（GaN）外延材料的使用量大幅降低了84%。传统的COB工艺每个背光单元需要73.6平方毫米的GaN面积，而MiP4工艺仅需11.56平方毫米，从而显著降低了材料成本。亮度方面，采用MiP4芯片并覆以光学薄膜的背光模块，最大亮度达到34,047尼特，表现更佳。

（a）基于 MiP4 的 400 区背光单元，（b）在 12V 驱动下使用层压光学薄膜的演示，以及（c）比较 COTS（COB）和 MiP4 的亮度和效率的表格；图源UBIResearchNet

据了解，采用了其专有技术的Micro LED封装（MiP4）背光产品此前已在Touch Taiwan 2025、Display Week 2025上亮相。其中，在Touch Taiwan 2025展会上，Smartkem相关负责人曾表示，Micro LED 智能背光产品为MiP4 首个应用，预计到 2030 年，其出货量将超过2500万台，每台显示器将使用超过500个MiP4。

SmartKem是一家英国的有机薄膜晶体管（OTFT）材料开发商，今年3月正式在纽约时代广场纳斯达克MarketSite敲响开市钟。

2025年，SmartKem也一直致力于推进Micro LED的应用。今年6月，其获得一项用于Micro LED显示器制造的新专利，该专利涉及在Micro LED晶圆上图案化OTFT背板，及选择性移除Micro LED；此外，在客户合作方面，SmartKem今年已先后与上海芯元基半导体、友达、铼宝科技等企业展开合作。

END

相关阅读：

您的点赞是我们进步的动力！