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半导体业界正致力于开发继HBM之后的下一代技术。随着AI时代的到来，能够更快地处理大量数据的技术变得至关重要。将多个DRAM层堆叠在一起的HBM，由于能够有效处理爆发式增长的AI服务和数据，受到了极大的欢迎。然而，仅靠HBM不足以满足AI的需求。在存储和处理更大数据量的同时消耗更少电力的技术是必不可少的。
◇低功耗、高容量产品开发
半导体业界最引人注目的新一代技术是SOCAMM （Small Outline Compression Attached Memory Module）。SOCAMM是以低功耗DRAM为基础的AI服务器专用内存模块。它结合了多个LPDDR模块，提供高功率效率。在AI领域处于世界领先地位的NVIDIA预计将在下一代AI加速器Rubin上采用SOCAMM。
半导体企业之所以关注SOCAMM，是因为在AI时代，功耗是最大的瓶颈。即使是高性能技术，如果消耗过多的功率，也很难实现商业化。美光最近推出了将功率效率提高20%的SOCAMM2，三星电子和SK海力士也在开发功率效率更高的SOCAMM。
克服AI数据处理瓶颈的技术CXL （Compute Express Link）也备受关注。传统上，内存被附加到CPU或GPU上进行计算，但数据容量已达到极限。CXL将内存池连接到CPU或GPU，实现灵活的内存使用。理论上，它可以实现无限的内存扩展和高效的按需分配。三星电子已经完成了CXL 2.0型DRAM的量产准备，SK海力士也开发出了比DDR5容量大50%的CXL 2.0型DRAM解决方案。Panmnesia和Primemass等初创公司也在推进CXL技术。
◇HBF补充HBM
在AI时代，取代昂贵HBM的努力正在进行。HBF堆叠NAND闪存而不是DRAM。DRAM充当快速数据处理的“工作台”，而NAND充当长期存储的“仓库”，即使断电也能保留数据。由于AI需要越来越大的数据集，HBF被视为超越HBM计算极限的解决方案。HBF比HBM允许更多的层，并且针对大规模的数据读写操作进行了优化。据预测，HBF有望在2027年左右实现商用化，到2030年市场规模将达到120亿美元。韩国科学技术院金正浩教授表示：“HBF不是HBM的替代品，而是与HBM协同发展的产物。”
一个更先进的概念——HBS(High-Bandwidth Storage)也出现了。HBS结合DRAM和NAND的优势，将两者集成到一个高性能半导体中。据悉，SK海力士正在开发用于移动应用的HBS。
PIM（Processing-in-Memory ）技术也在不断发展。PIM半导体同时进行数据存储和计算，提高了AI效率。三星电子正在开发PIM半导体作为下一代AI芯片，SK海力士正在开发基于LPDDR6的PIM。半导体业界有关人士表示：“在AI时代，存储器和系统半导体正在融合。下一代技术将日益模糊它们之间的界限。”
原文链接：
https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/11/20/66I7YPLVNBFX5AWSS47I6DKK6Q/
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