【内容目录】
1.薄膜沉积设备市场概况
2.中国6家薄膜沉积设备企业代表
3.其他薄膜沉积设备企业介绍
4.总结
【湾芯展推荐】本文涉及的半导体薄膜沉积设备企业
薄膜沉积设备市场概况
在晶圆制造的全过程中，薄膜扮演着多重关键角色，如形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率以及临时阻挡刻蚀等。
随着芯片制造工艺日益精密化，对薄膜的工艺性能提出了更为严苛的技术标准，涵盖了薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等关键指标。市场对高性能薄膜设备的依赖因此逐步加深，这极大地拉动了半导体高端薄膜设备的市场需求。
根据MaximizeMarketResearch数据，预计2025年全球半导体薄膜沉积设备市场规模达到340亿美元，中国大陆市场达136亿美元，2021年-2025年CAGR分别为16%和25%，其中PECVD市场规模分别为112和45亿美元。
深芯盟产业研究部挑选6家国产薄膜沉积设备领域上市公司：北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海、万业企业、微导纳米，利用我们专有的量化分析模型，进行2025年第一季度市场表现指数评估。因企业公开披露的Q1财报数据并未单独列明薄膜沉积设备收入，为保证营收数据分析的客观性、一致性与可靠性，经审慎评估，本分析的财务营收数据采用的是24年财报数据中的薄膜沉积设备占比（如北方华创为33.51%），进行推算Q1的情况，如无法细分的设备的占比，将采用财报中包含薄膜沉积设备的类别比例综合进行推算，请读者注意甄别。
半导体上市企业市场表现指数-量化模型简介（上下滑动查看详情）：
本指数是面向中国半导体上市公司的精细化评估工具，通过量化技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位、产能与潜力这五个公开报告与报表数据中的关键业务维度，力求全面客观地细分各产品线的市场表现：在技术创新维度中，指数使用研发投入强度指标（10%权重），直接反应企业对技术创新的资源倾斜程度；并使用研发人员占比指标（10%权重）聚焦人力资源配置质量；在财务健康维度中，指数同时考虑短期流动性与长期偿债能力，分别以速动比率（5%权重）和“1-资产负债率”（5%权重）综合评估企业的抗风险能力。（注：由于资产负债率是负向指标，故使用此方法转化）；在盈利能力维度中，指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现（20%权重），并采用产品毛利率（10%权重），解释细分市场定价能力与成本控制效率；在市场地位维度中，指数采用分产品的营收规模（30%权重）突显市场份额与业务体量，作为行业话语权的关键锚点；在产能与潜力维度中，指数使用资产负债表无形资产同比增长率（10%权重）衡量长期发展动能，反应产研转化效率。最后，我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数，并直接呈现指数的绝对值。另外提醒您注意，由于各版块公司数量不同，数据标准化的基数也不同，因此三级行业的数据不具有跨板块可比性。
中国6家薄膜沉积设备企业代表
北方华创
在半导体装备业务板块，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入等核心工艺装备，广泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。
2025年Q1指标：
技术与设备能力
1.截至2024 年底，北方华创累计申请专利 9,200 余件，累计获得授权专利 5,300 余件，继续稳居国内集成电路装备企业首位。2024 年，成功推出应用于集成电路多个技术代的刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法等数十种新产品，打破了国外厂商在高端工艺制程的技术垄断；
2.北方华创在薄膜沉积设备领域，已形成了物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、外延（EPI）和电镀（ECP）设备的全系列布局。2024 年公司薄膜沉积设备收入超 100 亿元，ALD设备收入近20亿元。
最新动态
发布12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉设备：近日，北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、多晶硅薄膜沉积技术，成功攻克高深宽比结构填充、高平坦度薄膜生长和兼容低温工艺三大技术瓶颈，标志着北方华创在高端半导体装备领域持续取得关键技术突破；
取得芯源微控制权：6月24日晚间，北方华创发布公告称，截至6月23日，公司持有芯源微17.87%股份，为芯源微第一大股东，且提名了4名非独立董事和1名独立董事，在芯源微全部董事和全部非独立董事中均过半数，北方华创已成为芯源微控股股东并取得对芯源微的控制权。北方华创与芯源微同属集成电路装备行业，但产品布局有所不同，具有互补性，实现控股后，有利于双方协同效应的发挥；
PVD设备出货突破：6月11日，作为中国PVD工艺装备技术的开拓者，北方华创自2008年起深耕PVD装备研发，成功推出40余款量产型PVD设备，累计出货量达1000台，超过5000个腔室，已成为国内领先的PVD设备解决方案提供商。
盛美上海
主要从事对集成电路制造行业至关重要的半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管
系列设备、涂胶显影 Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备、无应力抛光设备、后道先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案。
2025年Q1指标：
技术与设备能力
1.根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，盛美上海清洗设备的中国市场市占率为 23%；而 Gartner 2023 年数据显示，盛美上海在全球清洗设备的市场份额为6.6%，排名第五。除清洗设备外，盛美上海亦积极扩大产品组合，在半导体电镀设备、半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备、前道涂胶显影 Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备等领域扩大布局。2023 年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中，盛美上海位列其中；
2.近年来，盛美上海推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中 Ultra PmaxTM 等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备，2024 年第三季度向中国的一家集成电路客户交付其首台 PECVD 设备，验证 TEOS 及 SiN 工艺。2024 年炉管设备继续推出新技术产品，包括两款新型 ALD 炉管，并开始进入工艺验证阶段，进一步强化盛美上海在炉管设备上的竞争力。
最新动态
ECP设备1500电镀腔交付：6月30日，盛美上海ECP设备1500电镀腔顺利交付，标志着盛美上海在产品迭代升级与市场拓展方面取得突破，再次彰显了公司在行业内的实力与影响力；
单晶圆高温SPM设备通过验证：3月，盛美上海宣布其单晶圆中/高温硫酸过氧化混合物（SPM）设备已成功通过一家逻辑芯片制造商的大批量制造验证，该系统能够应对28纳米及以下节点前道与后道工艺中晶圆所需的多种湿蚀刻与清洗工艺。
中微公司
致力于为全球集成电路和LED 芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案，主要为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD 设备、薄膜沉积设备及其他设备。此外，中微公司也在布局光学和电子束量检测设备,并开发多种泛半导体微观加工设备。
2025年Q1指标：
技术与设备能力
1.已开发出六款薄膜沉积产品推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和 ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户钨接触孔应用性能需求，已付运机台到多个逻辑客户进行验证，为进一步积累市场优势打下基础；
2. 开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD 氮化钛，ALD 钛铝，ALD 氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。其中，ALD 氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择，开发的 ALD 氮化钛设备可满足先进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证，有利于进一步扩大市场规模；
3.中微公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的 IP 设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产品未来的可持续发展；
4. EPI 设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司 EPI 设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的量产需求。
最新动态
12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运：6月，中微公司宣布其刻蚀设备系列喜迎又一里程碑：Primo Menova™12寸金属刻蚀设备全球首台机顺利付运国内一家重要集成电路研发设计及制造服务商。此项里程碑既标志着中微公司在等离子体刻蚀领域的又一自主创新，也彰显了公司持续研发的技术能力与稳步发展的综合实力；
等离子体刻蚀技术领域实现重大突破：3月，中微公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度， ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破，彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位；
刻蚀设备反应台全球出货超5000台：3月，中微公司宣布其等离子体刻蚀设备反应总台数全球累计出货超过5000台。这包括CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机、单反应台反应器和双反应台反应器共四种构型的设备。等离子体刻蚀机，是光刻机之外，最关键的、也是市场最大的微观加工设备。由于微观器件越做越小和光刻机的波长限制，也由于微观器件从二维到三维发展，刻蚀机是半导体设备过去十年增长最快的市场。这一重要里程碑标志着中微公司在等离子体刻蚀设备领域持续得到客户与市场的广泛认可，也彰显了中微公司在等离子体刻蚀领域已进入国际前列。
万业企业
旗下凯世通和嘉芯半导体主要从事集成电路核心装备业务。凯世通所涉核心装备业务是以离子注入技术为核心的集研发、制造、销售于一体的高端离子注入机项目，重点应用于集成电路领域，目前营业收入包括自研离子注入机、离子注入机耗材备件以及产品、服务定制与再制造业务等。嘉芯半导体所涉及的产品范围覆盖刻蚀机、薄膜沉积、快速热处理等多品类的半导体前道设备。
2025年Q1指标：
技术与设备能力：
1.旗下凯世通推出的集成电路离子注入机高端装备采用“通用平台+模块化+系列化产业化发展”的设计理念，基于正向设计和自主创新，集成了自主研发的通用平台和软件控制系统，解决了极端低能量与大束流之间的矛盾，攻克了注入角度控制、颗粒污染控制等技术难题，形成了长寿命离子源、高质量分析磁体、束流减速装置等关键技术模块。同时经过多年持续的研发投入和技术积累，凯世通实现了低能大束流系列离子注入机和高能离子注入机产业化应用，工艺覆盖逻辑、存储、功率、图像传感器等多个应用领域；
2.旗下嘉芯半导体锚定成熟制程设备及支撑设备领域，坚定地以本地化研发制造为目标，为汽车芯片、功率芯片、逻辑芯片等集成电路晶圆制造厂提供成套的前道设备解决方案。凭借专业的技术团队与创新理念，深入钻研，积极突破技术壁垒，为实现相关设备的本地化生产贡献力量。
最新动态
交付5台12英寸离子注入机：6月，凯世通向国内多家晶圆厂客户成功交付5台12英寸离子注入机，涵盖低能大束流与高能离子注入机两大关键核心机型，单月交付量再创新高，标志着凯世通国产离子注入机在先进工艺与多元化应用场景加速规模化应用；
新品CIS离子注入机获验收：4月，凯世通在一季度成功实现三台离子注入机设备验收，其中新机型CIS大束流离子注入机在搬入客户端一年内便完成客户验收工作，充分彰显了客户对凯世通设备与现场服务的认可。
拓荆科技
凭借十余年的自主研发经验和技术积累，拓荆科技现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及Flowable CVD（流动性化学气相沉积）薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。
2025年Q1指标：
技术与设备能力：
1.在薄膜沉积设备方面，拓荆科技进一步扩大以 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，并拓展了应用于芯片沟槽填充的新产品 Flowable CVD 设备；开发的PECVDBianca产品，以及基于新型设备平台（PF-300T Plus 和 PF-300M）和新型反应腔（pX 和Supra-D）的PECVDStack（ONO 叠层）、ACHM 等先进工艺设备，实现了大批量出货，陆续通过客户验证；拓荆科技是集成电路领域国产 ALD 设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，推出的ALD SiCO、SiN、AlN等工艺设备已实现大量出货，持续扩大量产规模，此外，研发了 ALD 新型设备平台（VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，满足客户高性能需求的同时，为客户节约成本。拓荆科技推出的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及Flowable CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约 100 多种工艺应用；
2.在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，拓荆科技晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用，同时，拓荆科技自主研发并推出了新产品晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备，致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
最新动态
新品发布：3月，拓荆科技发布ALD系列、3D-IC及先进封装系列，CVD系列新品，全面展现其在半导体薄膜沉积及先进封装领域的技术突破与产业布局。
微导纳米
面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商，形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
在半导体领域内，微导纳米是国内首家成功将量产型High-k 原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。
2025年Q1指标：
技术与设备能力：
1.开发的国内首台成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型 High-k ALD 设备，解决了国内集成电路突破 28nm 制程节点最核心工艺之一的高介电常数（High-k）栅氧层薄膜工艺。微导纳米持续拓展技术覆盖面，陆续研发和推出 HKMG 技术、柱状电容器、金属化薄膜沉积技术及高深宽比 3D NAND、3D DRAM、TSV 技术等工艺解决方案，覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装、化合物半导体和新型显示（硅基OLED）中ALD技术的主要应用场景；
2.微导纳米是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，实现了相关领域国内高端 CVD 设备技术和产业化突破。CVD设备广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节，尤其是高端CVD 技术在芯片制造过程中具有不可替代的作用，与 ALD 等技术互相补充，共同满足先进半导体器件工艺需求。
最新动态
新品发布：3月，微导纳米重磅发布四款薄膜新产品：iTomic®PEQ等离子体增强原子层沉积系统、iTomic®Spatix空间型原子层沉积系统、iTronix®PEQ & iTronix®PEff等离子体增强化学气相沉积系统以及面向先进封装领域的薄膜整体解决方案。
其他薄膜沉积设备企业介绍
除了上述TOP 6之外，深芯盟产业研究部也汇整了当前国内外薄膜沉积设备优秀企业，帮助读者了解更多国产半导体设备产业情况，如有错漏欢迎留言补充。
结语
国产薄膜沉积设备行业正处于快速发展阶段，国产厂商在技术、产品和市场方面均展现出强劲的发展势头，有望在未来几年内实现更大的突破，为国内半导体产业的自主可控提供有力支撑。
芯启未来，智创生态
