Counterpoint表示，相较去年第4季，2026年迄今，记忆体价格上涨80%到90%，DRAM、NAND 与HBM 价格皆创新高。因应成本压力，OEM 正降低单一装置的记忆体配置，或优先导入搭载LPDDR5 的高阶产品线，以因应相对可控的价格压力。去年第4季，一般型DRAM 毛利率已超越HBM，预期今年首季，记忆体制造商营业利益率将创下历史新高。
Counterpoint Research 资深分析师Jeongku Choi表示，随着零组件成本上升，以及消费者购买力趋于审慎，装置需求在季度后段可能面临压力，OEM 因此正评估调整采购策略，或将产品布局转向高阶机种，以支撑整体产品定价。
在智能型手机市场，品牌厂商正透过降低DRAM配置容量，或以成本较低的QLC SSD 取代TLC SSD 来控管成本。同时，因LP DDR4供应持续吃紧，其订单量呈下降趋势；相对而言，随着支援最新DRAM 标准的新一代入门级芯片平台陆续推出，LPDDR5 的需求则持续增加。
Jeongku Choi指出，2025年第4季DRAM 营业利益率已达约60%，首次超越HBM。展望2026年第1季，DRAM 毛利率预期将再创新高，带动记忆体制造商整体获利表现提升。
存储器晶圆厂的产能被推向极限
内存短缺问题比大多数人最初预想的还要严重。随着人工智能驱动的超大规模数据中心和云服务提供商（CSP）持续给供应链带来压力，预计DRAM和NAND闪存的价格将在2026年第一季度飙升。
1月初，行业观察机构TrendForce警告称，从智能手机到服务器等各种设备中使用的DRAM芯片的合约价格在2026年第一季度可能会环比上涨55%至60%。与此同时，用于固态存储的NAND闪存预计将上涨33%至38%。
TrendForce 本周修正了其预测，分析师目前预测DRAM 合约价格将环比上涨 90% 至 95%，而 NAND 价格预计在本季度将上涨 55% 至 60%。
虽然人工智能需求是主要原因，但 TrendForce 指出，2025 年第四季度个人电脑出货量高于预期，进一步加剧了短缺。
正如我们之前报道过的，像戴尔和惠普这样的OEM厂商通常会在需求出现前一年左右批量采购内存。如果你注意到OEM预装机的价格保持稳定，而独立内存套装的价格却翻了三倍，这便是部分原因。但随着库存开始减少，OEM厂商开始补货，预计系统价格将会上涨。
TrendForce 预计，PC DRAM 的价格将从假日季开始上涨近一倍。该公司还预测，用于笔记本电脑和其他焊接式内存系统以及智能手机的 LPDDR 内存价格也将出现类似的显著上涨。TrendForce 预测，LPDDR4x 和 LPDDR5x 内存的价格将环比上涨约 90%，这将是“有史以来最大的涨幅”。
虽然 LPDDR 内存目前主要用于笔记本电脑，但英伟达最强大的机架式系统每个都包含54 TB 的 LPDDR5x 内存，我们无法想象这会对这种情况有所帮助。
由于超大规模数据中心运营商和云服务提供商争相部署尽可能多的固态硬盘 (SSD) 以支持人工智能推理工作负载，预计本季度 NAND 闪存价格也将大幅上涨。
TrendForce指出：“随着人工智能推理应用的持续增长，对高性能存储的需求已远远超出预期。自2025年底以来，北美领先的通信服务提供商一直在快速增加采购量，导致企业级固态硬盘订单激增。”
随着人工智能基础设施从以训练为主向以推理为主的领域不断过渡，需要更多的DRAM和存储空间。
在大型语言模型 (LLM) 推理过程中，模型状态存储在称为键值缓存 (KV 缓存) 的内存中。您可以将其视为模型的短期记忆。在活跃使用期间（例如聊天机器人会话），KV 缓存会被计算并通常存储在 HBM 内存中。当会话空闲时，预先计算的 KV 缓存会被推送到速度较慢的系统内存，并且在许多情况下最终会降至存储层。
通过存储 KV 缓存，推理提供程序可以大幅减少扩展多会话推理所需的计算量，同时还能提高用户的交互性。
这样做的缺点是，存储所有这些预先计算的 KV 缓存需要大量的内存。
如果你曾期盼内存市场寒冬能够过去，那就别抱太大希望了。虽然内存厂商现在有足够的资金建设新的晶圆厂，但这些工厂需要数年时间才能投入运营。
正如我们之前报道的那样，尽管DRAM价格预计将在今年晚些时候达到峰值，但要恢复正常水平还需要数年时间。预计价格将持续高位至2028年。
