NOR Flash将成内存紧缺的下个焦点

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继DRAM与NAND闪存短缺之后，另一大存储芯片NOR 闪存正酝酿供应危机，而究其原因，AI同样是此次NOR 闪存供应紧张的核心推手。AI服务器对NOR 闪存的需求正急剧攀升，单个服务器机柜所需的NOR芯片数量从此前的约3—5颗，已增至如今的30颗以上。

据台湾《工商时报》报道，在英伟达GB200 NVL72系统中，单个机柜的NOR 闪存价值已超 600 美元，且未来两年内有望达到 900 美元。这一激增态势，正加剧嵌入式应用与 AI 服务器之间对 NOR 闪存产能的争夺。

NOR 闪存具备高速随机读取性能，可满足高要求的本地执行（XIP）场景，同时在极端温度下仍拥有高可靠性与稳定性。这使其成为代码存储关键型应用的核心器件，广泛用于汽车、云计算及工业系统等领域。NOR 闪存还拥有优秀的擦写耐久性，适用于空中下载（OTA）等需要多次更新的应用场景。

全球最大 NOR 闪存供应商旺宏电子，或将于2026年第一季度宣布其NOR闪存芯片涨价30%。尽管涨价尚未落地，但据报道，这家总部位于中国台湾新竹的存储厂商已缩减部分NOR产能，转而扩大MLC NAND闪存的生产。

要理解NOR闪存行业即将到来的供应危机，必须先了解NOR闪存芯片在 AI 系统中的应用方式，以及AI应用如何与汽车、消费电子、工业和物联网等其他领域争夺NOR产能。

AI 领域中的 NOR 闪存

NOR闪存在AI整体架构中处于什么位置？

AI 数据中心的各类组件，包括网络接口卡（NIC）、控制器和加速卡，都能受益于 NOR 闪存的稳定特性，例如纠错码（ECC）、循环冗余校验（CRC）、连续读取支持，以及适配现代缓存架构的循环式数据模式。NOR闪存正越来越多地应用于AI服务器与数据中心，作为用于固件、启动代码和系统初始化的可靠、低延迟存储方案，它能与图形驱动方案良好集成，非常适合用于代码存储及其他AI相关负载。

在边缘AI领域，NOR闪存对于在支持AI的物联网、汽车和工业设备中存储操作系统与代码至关重要，这些场景对数据完整性要求极高。事实上，许多边缘SoC都集成NOR闪存用于模型存储，因为它能提供确定性读取延迟。另外许多边缘AI模块还直接从NOR闪存中流式读取神经网络权重，用于推理任务。

AI的崛起也暴露了2D NOR闪存的局限性，因为 AI 应用对密度的要求不断提升，同时仍需要NOR闪存的高可靠性。传统2D NOR闪存在许多AI应用中虽仍有效，但正逼近物理与性能极限，其平面架构限制了向更高密度、更低延迟存储方案的扩展。于是 3D NOR 闪存应运而生。

即将到来的 3D NOR

NOR Flash将成内存紧缺的下个焦点图3

3D NOR闪存通过垂直堆叠存储单元，解决2D NOR平面架构固有的扩展性问题。垂直堆叠可在相同面积内实现更高存储密度，减少对eMMC、NAND等多种存储器件的需求。3D NOR闪存还具备更低延迟，可提升启动性能，这对需要近乎瞬时访问存储数据的应用至关重要。

另外，3D NOR闪存可实现8 倍密度提升，单颗裸片即可达到512 Mb，它还采用200 MHz双倍传输速率（DTR），为需要快速访问大量数据的 AI 应用提供高速数据传输支持。

不过，尽管3D NOR闪存预示着大容量嵌入式存储的新时代来临，但它距离大规模商用可能仍有数年之遥，尤其是在大型存储厂商已不再对NOR闪存技术进行投入的情况下。据悉，旺宏电子计划在2026 年下半年开始3D NOR闪存芯片的样片出货，并于2027年正式量产。

在此之前，行业仍需依赖2D NOR闪存，并应对其供应紧张的局面。相较于 DRAM和NAND，NOR闪存只是一个较小的存储品类，但它在AI设计中需求激增，再加上受HBM需求增长引发的产能重新分配影响，NOR 闪存将同样成为一项值得密切关注的存储技术。