尽管有观察认为总部位于美国的 Micron 可能会被排除在 NVIDIA 的首批第六代高带宽内存 (HBM4) 供应链之外，但也有观点认为 Micron 被排除在早期供应链之外的可能性很低，因为 NVIDIA 正在寻求使其 HBM4 市场的供应商多元化。
据半导体分析公司SemiAnalysis和业内人士2月10日透露，分析结果显示，美光将被排除在NVIDIA首批HBM4供应商名单之外。原因是美光未能满足NVIDIA对HBM4性能的要求。SemiAnalysis解释说：“三星电子和SK海力士将接管NVIDIA的供应链，而目前美光在性能方面落后于目标规格。”
分析公司估计，SK 海力士将占英伟达 HBM4 供应量的 70%，三星电子将占 30%。
HBM4 竞争市场最初预计是三方角逐，但如果美光科技像最近的分析所表明的那样退出，变成两方角逐，那么三星电子和 SK 海力士有望在价格谈判桌上获得更有利的地位。
随着初始供应商数量日益减少，确保稳定的供货量成为英伟达的首要任务。在此过程中，三星电子和SK海力士将有空间收取更高的价格。
由于近期对HBM的需求激增，HBM在图形处理器（GPU）成本中的占比已升至40%。如果今年HBM4的供应量较小，HBM在GPU成本中的占比可能会进一步超过40%。
以三星电子为例，该公司采用垂直堆叠的“1c DRAM”技术生产HBM4，这项尖端产品领先于竞争对手，其盈利能力提升幅度也备受关注。这是因为与现有的“1b DRAM”相比，“1c DRAM”采用了更精细的工艺，因此制造成本更高。
因此，三星电子面临着在与英伟达的谈判中大幅提高 HBM4 供应价格以抵消制造成本的挑战。
然而，也有观察表明，美光被排除在初始供应链之外的可能性很低，因为英伟达正在寻求使其在 HBM4 市场的供应商多元化。
瑞穗证券在一份报告中评估道：“认为美光将被英伟达的HBM4供应链剔除的说法是愚蠢的。”
与此同时，NVIDIA 近期开始招募高级内存工艺工程师，其目的之一是提高 HBM（高带宽内存）的良率。这似乎是基于内存厂商对性能优化至关重要的考量，因为计划于今年下半年量产的下一代人工智能（AI）超级芯片 Vera Rubin，其单颗芯片所采用的 HBM4（第六代高带宽内存）数量将是现有 GPU（图形处理器）的数十倍。不仅三星电子将在春节假期后开始为 NVIDIA 量产 HBM4，SK 海力士似乎也计划于下个月开始出货。
这表明英伟达有意深度参与内存供应商三星电子和SK海力士的生产线流程。其目标是与供应商共享HBM良率管理数据，识别降低良率的薄弱环节，并共同改进大规模生产和性能稳定性。
此外，报告还解释说，与内存供应商密切合作对于提升数据中心ATE（自动测试设备）和系统层面的性能、良率和可靠性至关重要。具体而言，当两家公司的HBM内存安装在NVIDIA的AI芯片中时，通过检查其性能和散热情况，识别错误模式并检测缺陷产品，可以提高整体良率。
此外，从这份招聘信息来看，三星电子和SK海力士的HBM4芯片即将出货。据业内人士透露，三星电子预计将在本月第三周，也就是农历新年假期结束后开始批量生产HBM4芯片并出货。SK海力士在最近的一次非交易路演（NDR）上也表示：“我们将在今年第一季度开始向客户供货。”这意味着最迟下个月就会开始出货。
产能预计也将扩大。据报道，三星电子计划在明年第一季度前，在其平泽工厂4号线（P4）新增一条月产能为10万至12万片晶圆的1c DRAM生产线。SK海力士则计划在清州建设一条专用的HBM 1b DRAM生产线（M15x），确保月产能达到8万至9万片晶圆。
HBM 4，拼什么？
由于三星电子和 SK 海力士几乎成为英伟达下一代 AI 加速器中高带宽内存 4 (HBM4) 的唯一供应商，业内人士和业外人士对供应“份额”和“第一”的说法仍然存在分歧。
据业内人士2月9日透露，三星电子和SK海力士正在协调其HBM4的出货计划，以配合英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”的发布计划。英伟达预计将于下个月的GTC 2026技术大会上首次发布其下一代AI加速器“Vera Rubin”。
Vera Rubin 将中央处理器 (CPU)“Vera”和图形处理器 (GPU)“Rubin”集成于单一系统中，与现有的基于 Blackwell 的产品相比，其推理性能显著提升。由于其设计目标是运行大规模 AI 模型，因此超高带宽内存 HBM4 几乎是必不可少的。
据报道，三星电子计划本月率先向客户交付HBM4显存。该公司强调其技术竞争力，并指出该产品拥有业界领先的运行速度（11.7Gbps）和质量验证。然而，业内人士对此次交付的时间、数量和意义仍存在分歧。
SK海力士也正按照与客户商定的计划，准备进行HBM4的量产。该公司在去年第四季度财报电话会议上表示：“我们正按计划，根据客户需求推进量产。”尽管市场观察人士指出SK海力士在初始产量方面具有相对优势，但具体数字尚未得到官方确认。
在供应量份额分析方面，仍然存在诸多混乱。业内有消息称，英伟达去年底已初步分配了HBM4的供应量给三星电子、SK海力士和美光——SK海力士占比约为50%，三星电子约为20%，美光约为20%。然而，半导体分析公司SemiAnalysis在最近的一份报告中指出，“SK海力士的HBM4供应份额约为70%，三星电子约为30%。”至于美光，目前存在两种观点：一种认为其在HBM4供应链中的份额正在减弱，另一种则认为这种可能性尚未完全排除。
关于两家公司在HBM供应方面谁领先，各方争论不休，而业界的关注点也转向了谁能率先完成准备工作。鉴于韩国半导体公司已在HBM4竞争中占据优势，分析认为，重点应该放在长期供应稳定性和产能上。
随着各方逐渐达成共识，认为稳定的供应是关键所在，两家公司都在认真检查各自的生产线，并为下一步行动做准备。三星电子计划在其平泽园区的P4厂房建立一条10纳米第六代（1c）DRAM生产线，并于明年第一季度全面投产。此举旨在确保每月10万至12万片晶圆的产能，以提前应对不断增长的HBM4需求。这项投资被解读为三星为快速提升产能以应对激增的需求而做出的努力。
SK海力士正在加速量产将用于HBM4芯片的10纳米第五代（1b）DRAM。公司正在商讨分阶段扩大产能的计划，包括扩建清州M15x晶圆厂和对M16晶圆厂进行工艺改造。据业内人士透露，SK海力士计划在年底前确保M15x晶圆厂每月新增约4万片晶圆的产能。
（来源：编译自businesskorea）
