【区角快讯】在2026年2月举行的Intel Connection Japan活动上，英特尔首次向公众展示了其与软银子公司Saimemory联合开发的ZAM（Z-angle memory，Z角内存）技术原型，标志着该下一代内存方案正式从理论走向工程验证阶段。
据日媒报道，英特尔院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本CEO Makoto Onho共同出席了此次展示。活动聚焦ZAM如何缓解当前AI系统在性能与散热方面遭遇的瓶颈，这也是该技术首次以实体原型形式亮相，而非仅停留在论文或新闻稿层面。
ZAM的核心创新在于其架构设计。它摒弃传统内存采用的垂直布线方式，转而引入交错互连拓扑结构，在芯片堆叠内部实现对角线式的“Z字形”布线。配合铜-铜混合键合工艺，各层芯片得以高效融合。此外，该方案融合无电容设计及英特尔成熟的EMIB互连技术，在保障与AI加速芯片高速通信的同时，显著降低热阻，使散热能力成为关键竞争优势。
相较当前AI领域主流的HBM内存，ZAM单芯片最高容量可达512GB，功耗则降低40%至50%，有望有效应对数据中心高能耗难题。其Z形互连结构还简化了制造流程，为未来规模化量产铺平道路。
根据活动现场披露的信息，英特尔将在ZAM项目中主导初期投资与战略方向，而Saimemory则承担具体研发执行，双方分工明确，加速技术落地进程。值得注意的是，英特尔曾在1985年因日本厂商激烈竞争退出DRAM市场，如今借AI算力爆发与HBM供应链集中带来的结构性矛盾重返赛道。
当前，HBM占据AI加速卡BOM成本的30%至50%，且产能高度集中，先进封装亦成制约因素。在此背景下，ZAM并非追求极致带宽，而是试图在容量、能效、成本与系统扩展性之间构建新平衡。
然而，该技术能否真正撼动现有格局，仍取决于是否获得NVIDIA等头部AI企业的生态支持，以及能否按计划于2029财年实现商业化量产。行业观察人士指出，英特尔此番动作不仅是产品回归，更是对下一代内存架构定义权的战略争夺。
