三安光电等厂商披露新进展，国产碳化硅发展全面提速

近期，国内碳化硅产业迎来密集且扎实的突破，龙头企业三安光电披露12英寸碳化硅衬底送样、产线稼动率提升等多项进展，中电科、晶驰机电、创锐光谱等企业也在衬底、设备等领域接连突破，全行业多点开花、协同发力，国产化进程全面提速。

产线运营层面，三安光电明确表示，公司碳化硅芯片产线稼动率已逐步提升。稼动率的稳步回升，标志着公司碳化硅芯片产能利用率持续优化，生产效率与规模化供应能力得到进一步释放，能够更好地匹配下游市场日益增长的需求，为后续业务放量奠定坚实基础。

核心技术研发领域，公司12英寸碳化硅衬底已正式向客户送样验证。相较于当前主流的6英寸、8英寸衬底，12英寸衬底可显著提升芯片制造效率、降低单位成本，是碳化硅技术规模化应用的关键突破。此次送样验证，意味着三安光电在大尺寸碳化硅衬底领域的技术可达到客户验证标准。

三安光电还表示，公司已发布首代沟槽MOSFET技术平台，目前处于送样阶段，该技术平台依托沟槽工艺优势，具备开关速度快、可靠性高、驱动功率小等特点，可广泛应用于电机调速、开关电源等多个领域。

此外，三安光电提到，公司磷化铟外延和EML产品良率水平处于国内领先地位，且正在持续提升中。其中磷化铟作为光通信、量子计算等领域的核心材料，EML产品则是实现800G、1.6T高速光模块的核心光源。

下游应用落地方面，三安光电表示，湖南三安主驱逆变器用SiC MOSFET已在国内头部电动车企客户处通过验证，正式成为其合格供应商。SiC MOSFET作为新能源汽车主驱逆变器的核心器件，具有开关损耗低、功率密度高、耐高温性强等显著优势，是新能源汽车800V高压平台的核心适配器件。

当前国内碳化硅产业呈现多点突破、协同发展的良好态势，同行业企业亦加速发力。

山西烁科晶体已成功研制全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，打破国际技术壁垒，目前正推进年产百万片级碳化硅单晶衬底项目落地。

今年1月，中电科半导体材料有限公司披露，其8英寸碳化硅衬底已通过国内外头部芯片厂家和下游企业应用验证，并实现稳定供货，6英寸产品已批量投放市场。

随后2月，露笑科技也宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试。

2月27日，扬帆半导体科技有限公司宣布，其自主研发的12英寸碳化硅（SiC）RCA刷洗一体机正式交付客户。

3月1日，据晶驰机电官方公众号消息显示，晶驰机电已陆续收到多个客户现场SAT（现场验收测试）验收通知。在连续多轮的SAT工艺验证中，晶驰机电12英寸晶体长晶炉展现出优异的重复性与可靠性，各项数据均达到客户验收标准，具备快速导入产线量产的能力。

3月3日，创锐光谱宣布，借助Dispec-9000碳化硅衬底位错缺陷无损检测设备，公司成功实现了12英寸导电型碳化硅衬底位错缺陷的无损检测。

未来，在政策支持与下游新能源汽车、光伏储能、光通信等领域旺盛需求的驱动下，我国第三代半导体产业有望迎来高质量发展期，持续赋能各类战略性新兴产业升级。（文章来源：集邦化合物半导体）