文章中提出：在“十五五”期间，应通过整合机制，举国之力集中力量解决极紫外光刻（EUV）等关键问题，建议创立“中国的ASML”。
（图源“科技导报”）
这份发表在《科技导报》上的文章，核心观点是当前中国集成电路产业已筑牢国家安全底线，并在成熟工艺领域（28nm及以上）占据全球约33%的产能，具备了参与国际竞争的基础。但面对美国在EDA软件、高端设备和材料上的“三张牌”，以及与国际巨头悬殊的投资力度（如文章对比，国家大基金三期合计约967亿美元，接近英特尔、三星、台积电三家一年资本支出的总和），单靠企业分散突围难以为继。
因此，文章明确提出“举国之力”不应该是口号，应建立在整合机制的基础上，目标直指锻造能与强手对垒的“头部企业”。
攻克核心瓶颈：将极紫外光刻（EUV）作为“十五五”必须解决的三大关键问题（另两项是EDA和硅片）之首。文章指出，EUV光刻机有10万个零部件，背后是5000家供应商的集成体系。中国在激光光源、光学系统等单项技术上已有突破，关键在于如何像ASML那样，通过统筹，将分散的成果高效集成为整机。
创立创新模式：建议的核心是创立“中国的ASML”。这并非简单复制一家公司，而是建立一种全新的“被集成者”机制，即由一家或几家核心企业牵头，统一调度资金和人才，跳出短期“名利”藩篱，实现产业链的垂直整合。
（图源“科技导报”）
文章不仅指出了方向，还为未来五年的发展设定了具体、务实的量化目标：
产业位势：跻身全球集成电路产业强国前三名。
自给率提升：国民经济领域芯片自给率提高到80%，逐步减少中低端产品进口（复出口除外），夯实内循环市场。
技术台阶：夯实自主可控的28nm全产业链，稳定14nm生产，并初步完成全国产化的7nm生产线建设及试运行。
基础平台：建设最先进工艺能力的公共研发平台，为未来的新结构、新材料、新工艺提供验证环境。
原始创新：在基础研究领域寻求引领性突破。
这些目标显示出一种清晰的“攀登策略”：扎稳中端（成熟工艺）的脚跟，同时集中力量攻克高端（先进工艺）的瓶颈，并以基础研究布局未来。
编者观察
这篇联名建议的本质，是行业领军者基于现实差距和产业规律，提出的一份关于“如何集中力量办大事”的路径探讨。
它既不是盲目的乐观，也不是悲观的论调，而是一份冷静的战略建议书：通过顶层设计重塑整合机制，集中资源锻造关键环节的“破局者”，用五到十年时间，在攀登全球半导体产业顶峰的征程中，扎扎实实地向上走好每一步。
