英伟达将推出新推理芯片

过去两天，韩国基准指数KOSPI跌幅均超过10%，创下2008年以来最大两日跌幅。

市场普遍认为，特朗普对伊朗动武引发的全球资金避险情绪，令包括韩国在内的亚洲股市承受了惨烈的跌幅。然而，有最新分析指出，英伟达为韩国惨跌也做了“贡献”。

一则关于英伟达的技术传闻对韩国内存股造成了精准打击。据韩国Citrini7分析师Jukan引述独立分析机构KIS的评论，有报道称英伟达正在开发一种利用Groq片上SRAM架构的新型推理芯片，并计划在3月的GTC大会上公布。

这一消息导致韩国内存股走弱，投资者担忧SRAM的使用会减少对包括HBM在内的主内存的需求。

不过韩国股市今日出现了强劲反弹。最新行情显示，韩国KOSPI指数今日涨幅扩大至11%，科技巨头三星电子大涨13%，SK海力士飙升15%。

然而，市场可能误判了SRAM推理芯片的冲击。

KIS明确指出：“声称‘低成本’SRAM推理芯片的出现将减少HBM等现有主内存使用的观点，反映了对内存的糟糕理解。”

从物理特性来看，SRAM的单元面积更大，密度低于DRAM，导致其每比特成本显著更高。对于相同容量，SRAM通常需要DRAM 5到10倍的裸片面积。因此，SRAM历史上一直用于需要极低延迟的缓存或片上缓冲应用，而非作为存储大量数据的主内存。

SRAM架构并非DRAM的替代品，而是一个独立的选项。与DRAM相比，以SRAM为中心的架构具有访问延迟低得多和数据移动最小化的优势。

KIS分析称，英伟达计划利用Groq架构，是为了针对GPU难以处理的特定推理工作负载进行优化。采用SRAM架构应被理解为针对需要超低延迟的特定数据中心工作负载，以及需要实时响应的物理AI边缘应用（如机器人和自动驾驶）的独特选择。事实上，OpenAI已经在其数据中心部署了Cerebras的SRAM芯片，基于这些芯片构建的推理服务收取比标准GPU推理服务更高的API费用。

随着AI产业的进步，基于Groq的SRAM架构的普及将进一步细分AI基础设施内的内存层级。HBM和DRAM将继续作为大规模模型训练和通用推理服务器的主内存。KIS总结道：“涵盖SRAM、HBM和DRAM的内存层级将变得越来越具有多层次性，最终推动整个内存行业总潜在市场（TAM）的扩张。”

（来源：内容转自华尔街见闻，谢谢）

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