国产DUV光刻系统关键突破：激埃特光电助力3nm工艺攻关

【区角快讯】在无法获取EUV光刻设备的现实约束下，中国半导体产业正全力通过深紫外（DUV）光刻技术向3纳米及以下制程发起挑战。相较台积电与英特尔等国际巨头仅将DUV用于7纳米节点，国内此举面临显著更高的技术难度，其中核心瓶颈之一便是曝光精度控制。

南京激埃特光电有限公司近日披露，其合作机构在升级DUV光学系统过程中遭遇照明均匀性不足问题，导致晶圆曝光线宽一致性偏差超过±2纳米，远超3纳米工艺容限。为应对该难题，该公司光学镀膜团队开发了一套多层介质硬膜方案：采用二氧化硅（SiO₂）与五氧化二钽（Ta₂O₅）交替沉积结构，总层数控制在40至60层之间；工艺上运用离子辅助沉积（IAD）技术，基底温度设定为250℃，本底压强维持在2×10⁻⁵帕斯卡。

该方案的关键光学指标表现优异：中心波长稳定在193±0.2纳米，峰值透过率超过92%，带外截止深度达OD6（即透过率低于10⁻⁶）。实测数据显示，晶圆片内线宽均匀性由原先的±2.1纳米显著改善至±0.8纳米，预计良率可提升5%至8%；对准系统定位精度亦从±1.5纳米提高至±0.8纳米；系统连续运行100小时后，光路漂移量减少70%，稳定性大幅增强。

客户团队对此给予高度评价，指出激埃特的滤光片不仅解决了照明均匀性问题，其卓越的带外抑制能力更使整机信噪比提升三倍。尤其在微透镜阵列面形精度方面，实现了此前未能达到的λ/10水平，为后续工艺演进预留了充分技术空间。

需要强调的是，当前所提“0.8纳米”系指线宽均匀性与对准定位精度，并非光刻机套刻（Overlay）精度。若后者真达0.8纳米，则将超越现有EUV设备水平。尽管如此，此项进展仍标志着国产DUV系统在3纳米工艺路径上已初步打通关键技术环节。在全球范围内，因台积电、三星和英特尔早在5纳米甚至7纳米节点即转向EUV，此类DUV极限优化经验实属独有。

这一突破不仅彰显了本土企业在极端受限条件下的工程创新能力，也为全球DUV技术延展应用提供了全新范式。