全球半导体产业规模不断逼近万亿美元大关，AI技术的爆发式发展已成为推动行业指数级增长的核心引擎。这一宏大背景下，近期SEMICON China 2026在上海盛大开幕，吸引了全球约1500家展商，覆盖芯片设计、制造、封测等全产业链。
本届展会不仅是最新产品与技术方案的集中检阅，更是一扇观察国内半导体如何顺应AI浪潮、稳步参与全球技术迭代的重要窗口。展会现场，国内厂商携最新产品与技术集体亮相，从高端设备到大尺寸硅片，从先进封装到关键材料，全方位展现了国产半导体在创新链与产业链上的协同突破。
北方华创：展示埃米级刻蚀与3D集成新突破
在本届展会上全方位展示了其在先进封装、刻蚀及晶体生长等领域的最新产品，重点推介了全新一代12英寸NMC612H ICP刻蚀设备、Qomola HPD30混合键合设备、Ausip T830高深宽比TSV电镀设备，以及覆盖碳化硅、氧化镓和金刚石生长的多种先进长晶装备。这些新技术覆盖了半导体制造的多个核心环节，旨在助力全球客户提升产能、良率及工艺精度。北方华创通过持续研发投入，展现了其作为行业领军企业在推动先进制程节点演进中的核心支撑作用。
在高端刻蚀领域，北方华创发布的全新一代12英寸NMC612H电感耦合等离子体刻蚀设备攻克了精准偏压控制、射频多态脉冲控制等多项技术难题，成功将刻蚀深宽比提升至数百比一，并将均匀性带入埃米级时代。这意味着国产设备已经能够满足更先进节点的芯片制造要求，持续引领高端ICP刻蚀领域的发展方向。
针对3D集成全领域应用，北方华创推出了Qomola HPD30芯片对晶圆（D2W）混合键合设备。该设备突破了微米级超薄芯片无损拾取和纳米级超高精度对准等关键技术，使北方华创成为国内率先完成该类设备客户端工艺验证的厂商。同时，Gluoner R50晶圆对晶圆（W2W）混合键合设备也同步亮相，聚焦于CIS、3D NAND和3D DRAM等核心应用场景。
晶体生长装备系列展示了北方华创在宽禁带半导体领域的深厚布局，该公司推出了支持12英寸碳化硅生长的感应炉与电阻炉。通过高精度控温控压技术，设备实现了晶体生长的全流程优化，而针对氧化镓和金刚石等前沿材料的长晶设备也悉数登场。
先导基电旗下凯世通：双系列离子注入机齐发
先导基电旗下 在本次展会上展示了其全品类离子注入机解决方案，并正式发布Hyperion先进制程大束流离子注入机与iKing 360中束流离子注入机两大系列新品，覆盖先进逻辑、先进存储、碳化硅（SiC）、化合物半导体、IGBT及SOI材料等多元应用场景。
Hyperion系列瞄准先进制程逻辑芯片、先进存储（DRAM、3D NAND）等高端芯片制造需求，全面匹配国内先进工艺制造，破解行业痛点，搭载自主核心模块，性能指标对标进口主流设备，为先进制程离子注入工艺提供自主可控的全方位定制化解决方案。
iKing 360系列中束流离子注入机聚焦窄线宽、高精度掺杂、低污染控制等核心客户需求，实现能量性能、角度控制、高温适配及量产通用性多项关键技术突破。设备满足各类主流工艺要求，可覆盖部分高能机工艺，产能较传统中束流设备提升30%以上，同步适配6/8英寸碳化硅工艺。
凯世通致力于为客户提供从设备研发到全生命周期的整体服务，在控股股东先导科技集团的全力支持下，凯世通正迎来新的发展机遇期。其产品线已实现常规、超低温、高温等全系列布局，在设备稳定性、温控精度和污染控制等方面展现出显著优势。目前，凯世通作为国内少数实现系列离子注入机全工艺覆盖国产化的厂商，已累计安全量产超过1000万片。凯世通已服务10余家行业客户，交付设备近50台，展现了极强的市场认可度。先导科技集团垂直一体化的全产业链能力，也为凯世通的零部件供应和关键技术研发提供了深层支撑，增强了其在市场开拓中的综合竞争力。
中微公司：填补高选择性刻蚀工艺空白
在展会上重点展示了四款核心新设备，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®。这些新品的集中发布，显著提升了中微公司在半导体制造全流程中的系统化解决方案能力。
在刻蚀领域，中微公司推出的Primo Domingo™高选择性刻蚀机具有里程碑意义。该设备的研制成功标志着公司在高选择性刻蚀领域实现了重大技术突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键工艺的自主化空白。它不仅增强了国内产业链的完整性，也为先进制程的推进消除了关键环节的阻碍。
针对5纳米及以下逻辑芯片和先进存储芯片的制造需求，公司推出了Primo Angnova™电感耦合等离子体刻蚀设备。该设备提供了技术领先且自主可控的ICP刻蚀工艺解决方案，专门用于处理极具挑战性的技术节点。通过优化射频匹配与工艺参数，该设备确保了在极小尺度下的高精度加工要求。
在光电半导体领域，中微公司展示了Preciomo Udx®蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备。该设备专注于新型显示技术的规模化生产，能够提供高度均匀的外延层沉积。同时，公司展示的Smart RF Match智能射频匹配器体现了其在核心智能零部件自研能力上的进步，能够更好地与主机设备进行协同优化，提升整体系统的稳定性。
盛美上海：推出“盛美芯盘”产品矩阵
在展会期间正式推出了以八大行星命名的“盛美芯盘”产品组合架构，涵盖清洗、电镀、涂胶显影、炉管、PECVD及先进封装等全线设备。这种品牌策略彰显了公司在实现半导体关键环节全覆盖方面的战略雄心。公司致力于通过原创技术，为芯片生产的良率提升保驾护航，实现从“国产替代”向“技术引领”的跨越。
清洗设备作为公司的核心，被命名为“地球系列”，其特有的SAPS和TEBO兆声波技术已应用于先进制程的晶圆清洗。其中的单片槽式组合清洗设备（Tahoe）通过减少硫酸使用量实现了节能减排。此外，全新的氮气鼓泡技术应用于湿法刻蚀，已成功通过英特尔14A制程验证，部分关键指标达国际顶尖水平。
在干法工艺和光刻支持领域，盛美推出了“水星系列”涂胶显影（Track）设备和“土星系列”PECVD设备。其首款自主研发的高产出KrF前道涂胶显影设备已交付头部客户验证，并正在推进ArF浸没式设备的研发。Ultra PMax PECVD设备则在多工艺成膜上实现突破，具备高薄膜均匀性和低薄膜应力特性。
电镀设备作为“金星系列”，在铜互连和锡银凸块工艺中实现了国产替代。盛美的面板级先进封装电镀设备（Ultra ECP AP-P）已进入中国头部企业产线，并成功拓展至中国台湾市场。这种在垂直工艺领域的深耕，配合“天王星”面板级封装设备等布局，使其在先进封装市场保持了强大的差异化竞争优势。
拓荆科技：多款先进设备首发
集中发布了多款先进半导体设备，聚焦薄膜沉积与3D-IC先进封装领域。新一代原子层沉积设备VS-300T Astra-S SIN PEALD搭载4个反应腔，结构紧凑，具备高产能与优异的坪效比，可沉积高质量氮化硅薄膜，在均匀性、缺陷控制、台阶覆盖率等方面达到国际先进水平，适用于逻辑、存储等先进节点。
低介电薄膜设备PF-300L Plus NX PECVD专为先进逻辑后道层及≤28nm节点后道层间介质薄膜设计，兼顾低介电常数与高机械强度，具备业界领先的坪效比和成本优势。NF-300M Supra-H ACHM-VI设备用于先进存储与逻辑制程中的图形传递修饰、刻蚀阻挡层及图形平坦化处理，适用于高深宽比结构填充。
在3D-IC先进封装领域，拓荆科技展示了多款键合与剥离设备。全球首创的Volans 300键合空洞修复设备专为解决3D-IC键合界面空洞问题而设计，可显著提升HBM、芯片三维集成等产品的良率和产线稳定性，体现了公司在键合技术上的引领能力。Pleione 300 HS芯片对晶圆（C2W）熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度，支持自动更换拾取与键合模组，产能较前代提升50%，适用于HBM和异构集成应用。此外，Lyra 300 EX晶圆激光剥离设备应用于先进逻辑（BSPDN）和存储（VCT）背面工艺，提供无金属污染、低应力、无热影响的完整解决方案。
此次拓荆科技发布的新品覆盖了从薄膜沉积到三维集成的多个关键环节，展现了其在高端半导体设备领域的系统化布局能力。通过持续的技术创新与产品迭代，拓荆科技正不断推动国产薄膜沉积与键合装备向国际先进水平迈进，为国内半导体产业链的自主可控提供了坚实支撑。
沪硅产业：稳筑300mm硅片与SOI技术根基
作为中国半导体硅片领域的龙头企业，在本次展会上集中展示了其300mm大硅片、300mm SOI硅片以及先进外延片等全系列硅片产品。近年来，公司在大硅片研发与量产上取得了显著进展。通过持续的技术攻关，沪硅产业已成功打入全球主流晶圆厂供应链，成为支撑国内产业链的重要基石。
公司旗下的300mm抛光片与外延片已广泛通过中芯国际、长江存储及华虹集团等头部客户的验证，展现了极强的量产稳定性和市场占有率。这些产品不仅应用于先进逻辑工艺，还涵盖了高容量存储和高性能模拟芯片等多元化领域。
在特色工艺硅片方面，沪硅产业展示了其在SOI硅片领域的国际先进水平，子公司新傲科技和芬兰Okmetic在该领域具有技术优势，产品覆盖消费电子、汽车电子、工业控制等市场。
技术突破是沪硅产业持续发展的源动力，公司已全面掌握直拉法（CZ）生长300mm单晶硅锭的核心工艺。在硅片加工环节，公司实现了包括纳米级精度切片、化学机械抛光（CMP）及超洁净清洗在内的全流程自主可控。同时，通过建立全过程监控体系，保障了产品的卓越良率，巩固了其在国内市场的领先地位。
青禾晶元：深耕常温键合与异质集成技术
在展会上集中展示了多款核心键合设备及代工方案，包括SAB61系列超高真空常温键合设备、SAB82系列混合键合设备以及SAB95/96超原子束表面处理设备。公司专注于半导体键合集成技术，通过装备制造与工艺服务的双轮驱动，构建了完整的产业生态布局。这种模式使其能够快速响应先进封装和异质材料集成领域的前沿需求。
本次重点展出的SAB61系列超高真空常温键合设备，采用超高真空离子束轰击技术活化材料表面，无需加热或退火即可实现牢固共价键，实现高强度键合。该技术可有效避免传统高温工艺对芯片产生的热应力损伤，覆盖复合衬底、MEMS、高散热需求的异质集成、多节太阳能电池、光学晶体集成、柔性电子等领域。确保工艺量产阶段的一致性和稳定性。
针对高精度互连需求，青禾晶元推出了SAB82系列混合键合设备，支持芯片到晶圆（C2W）和晶圆到晶圆（W2W）的键合。该设备具备亚微米级对准精度和智能化偏移补偿功能，能够适应Micro-LED和高带宽存储器等高端应用场景。在高对准精度和超强芯片处理能力的支撑下，该设备已在该领域展现出极强的竞争力。
同时，其SAB95/96系列超原子束表面处理设备在原子级别优化晶圆表面平整度，为高质量键合奠定了坚实基础。
近期青禾晶元完成了约5亿元的战略融资，由中微公司领投，显示了业界对其技术先进性的高度认可。这笔资金将聚焦于核心技术研发和高端产品矩阵的持续迭代，支撑公司跨越式发展及全球化布局。
新微半导体：双驱动平台引领化合物半导体代工
作为专注于化合物半导体晶圆代工的企业，在本次SEMICON展会上重点展示了“功率+光电”双驱动的高端制造平台体系。在功率半导体领域，其硅基氮化镓功率芯片工艺平台已实现低压（30V~100V）、中压（100V~200V）到高压（650V~700V）的全电压平台全覆盖，核心竞争力体现在工艺成熟度高、能效表现优异，且具备多款产品量产验证，应用场景涵盖车规级电源、消费电子、数据中心、人形机器人及新能源汽车等领域。在光电半导体领域，依托InP、GaAs两大核心材料体系，公司已形成EEL边发射激光器、VCSEL垂直腔面发射激光器及PD光电探测器的全链条代工能力，主要应用于光通信、3D传感和车载激光雷达等领域，尤其适配AI时代数据传输、智能感知的高频需求。
目前，公司氮化镓功率芯片工艺平台的商业化进程已进入规模化发展阶段，产能与销量实现双增长，充分受益于下游AI数据中心、新能源汽车、消费电子等领域的需求爆发。其中，重磅推出的100V-200V中压氮化镓功率芯片工艺平台，填补了国内中压GaN代工领域空白。在光电领域，公司依托InP、GaAs两大材料体系，为客户提供定制化代工解决方案，持续满足光通信、3D传感等市场对高性能光电芯片的迫切需求。
面对化合物半导体赛道竞争加剧与国产替代进程加速的双重格局，新微半导体作为国内稀缺的化合物半导体晶圆代工企业，始终聚焦GaN功率与InP/GaAs光电两大核心赛道，在激烈的同质化竞争格局中，打造差异化竞争优势。在技术突破方面，公司持续加大研发投入，强化知识产权布局，打造国际化研发团队，聚焦AI、车载等新兴应用场景的技术研发，提前布局下一代化合物半导体技术。在产能扩张方面，公司加速规划8英寸GaN代工产线建设，提升芯片产出效率、降低单位成本，同时持续优化现有产能结构，确保产能高效释放。
未来，新微半导体将持续以技术创新引领发展，以产能扩张支撑需求，以生态协同巩固优势，把握国产替代的历史机遇，助力国产化合物半导体产业实现高质量发展，为下游AI、新能源汽车、光通信等领域的技术升级提供核心支撑。
芯米半导体：涂胶显影设备国产化率突破90%
在本次展会上重点展示了自主研发的XM系列12英寸全自动涂胶显影设备。该系列产品的最大亮点在于国产化率的重大突破——核心部件如温湿度控制、热盘、光刻胶供应系统、中空轴马达及机械手臂等均实现自主研发，设备整体国产化率已超过90%，关键参数达到国际先进水平。同时，据芯米半导体介绍，公司已成为中国大陆首家且目前唯一能够提供COWOS工艺前道制程专用涂胶显影设备的供应商，该方案已通过台湾地区先进封装厂的验证并获重复订单，对国内先进封装产业链的自主可控具有重要意义。
为实现90%以上的国产化率，芯米半导体攻克了多项核心技术难题。在高精度温湿度控制、光刻胶泵的流量稳定性以及中空轴马达的高速高精度传动等核心部件方面，公司依托30多年黄光设备经验，实现了自主设计制造，打破了国外长期垄断。通过自研的软件算法和机械结构优化，公司确保了设备在涂胶均匀性、热盘温度均匀性等关键工艺指标上达到国际一线水准，满足了国内一线FAB厂对12英寸制程的严苛要求。同时，公司积极构建稳定且高质量的国产供应链体系，为设备的规模化量产奠定了坚实基础。
展望未来，芯米半导体将围绕“深耕”与“拓展”两大方向推进战略布局。一方面，持续深耕12英寸高端FAB厂市场，力争成为国产涂胶显影设备的中坚力量；另一方面，深化在COWOS等先进封装工艺上的技术优势，抓住后摩尔时代机遇，提供更多差异化整体工艺解决方案。公司计划于2026年二季度完成A+轮融资，借助产业资本力量扩充研发团队、提升产能，并在长三角、珠三角设立服务中心，力争2026年实现营收过亿的目标。
在AI技术重塑半导体设备底层逻辑的背景下，芯米半导体已将AI技术融入设备数据分析系统，通过AI视觉算法实现工艺过程中的实时监测、智能判级和参数补偿，大幅提升产品良率与稳定性。未来，公司致力于打造具备自感知、自诊断、自优化能力的智能平台，通过收集机械手运行数据、温湿度波动数据，利用AI算法进行预测性维护和工艺参数自整定，帮助客户实现更高效的生产和更精准的质量控制。芯米半导体将坚持“自主创新”与“应用驱动”双轮驱动战略，持续夯实底层技术，紧跟AI芯片、HBM等新兴应用带来的工艺需求，确保技术与产品始终与行业发展趋势同频共振。
迈为股份：立足精密装备构建先进封装成套工艺解决方案
在本届展会上展示了涵盖晶圆划切、研磨、键合的3D封装成套工艺设备，以及晶圆重构整线方案及碳化硅晶锭剥离整线方案。公司具备集核心部件、关键耗材与先进工艺于一体的全产业链能力。通过这些设备，迈为展现了其在泛切割及2.5D/3D先进封装领域的深厚技术积淀，助力国产化装备突围。
在先进封装设备领域，迈为自主研发的晶圆热压键合设备已成功交付国内头部MEMS传感器企业。该设备实现了100%的有效键合面积，性能指标达到业界领先水平。这能够充分满足高精度、高可靠性传感器的规模化生产需求，保障了客户端产品的质量与良率。
迈为在混合键合领域同样取得了突破性进展，其设备已交付国内客户，并被应用于3D IC、异构异质集成等尖端封装工艺中。该技术旨在实现极高密度的芯片互连，助力客户在先进封装领域加速突破技术瓶颈。通过降低整体制造成本并提升连接性能，迈为正通过持续研发逐步成为该细分领域的重要参与者。
激光开槽设备是迈为的拳头产品，其国内市场占有率稳居行业首位。此外，公司还积极向晶圆制造的前道领域延伸，布局了高选择比刻蚀设备和原子层沉积（ALD）设备。这些真空工艺设备已完成多批次客户交付并进入量产阶段，客户涵盖多家头部晶圆厂和存储厂商，展现了其向综合性装备供应商转型的实力。
从SEMICON China动态透视半导体产业未来趋势
本次SEMICON China展会集中呈现了国内半导体设备与材料厂商在技术、产品与生态层面的系统性进展，折射出产业正朝着更先进制程、更高集成度与更自主可控的方向加速演进。通过展商动态，我们可以较为清晰地发现未来半导体产业发展趋势。
面对AI算力需求爆发带来的高带宽、低延迟、高集成度挑战，混合键合与三维堆叠技术正从前沿探索走向规模化应用。北方华创、拓荆科技、迈为股份、青禾晶元等企业均在混合键合（D2W、W2W）、激光剥离、热压键合等关键装备上实现突破，形成了覆盖Chiplet、HBM、3D NAND等核心应用的整线解决方案。这表明国内厂商已准确把握住后摩尔时代的技术演进方向，在先进封装领域构建起差异化竞争力。
国产设备正从成熟制程的“点状替代”迈向先进节点的“系统化支撑”。北方华创在刻蚀领域实现埃米级均匀性控制，中微公司填补高选择性刻蚀空白，盛美上海、芯米半导体在清洗、涂胶显影等环节实现核心部件国产化率与关键工艺验证。与此同时，企业纷纷构建覆盖刻蚀、薄膜沉积、离子注入、量检测等多工艺环节的平台化产品矩阵，展现出从单一设备供应商向整体解决方案提供商转型的能力。
以碳化硅、氮化镓、氧化镓为代表的宽禁带半导体已进入规模化应用阶段。凯世通在高温离子注入、北方华创在12英寸碳化硅长晶、新微半导体在氮化镓功率与光电代工平台等方面均取得关键突破，产品已广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光通信等高增长领域。装备与工艺的协同推进，正在加速这些新材料从研发向量产、从功率向射频与光电器件等多场景拓展的进程。
结 语
SEMICON China 2026不仅集中展示了国内半导体设备与材料厂商的最新技术成果，更印证了中国半导体企业在压力与机遇并存的环境下，通过持续自主创新所迸发出的强大生命力。从前道制造到后道封装，从硅片到核心装备，国产力量正逐步深入产业的每一个细微环节，以多点突破、协同并进的姿态，为全球半导体产业迈向万亿美元的新图景贡献着不可或缺的技术支撑。
