三星电子首次在新品中采用基于开源指令集RISC-V自主研发的控制器芯片，此举有望削减高额授权费用、提升设计灵活性，同时降低供应链风险。

具体来说，三星电子将在新一代消费级固态硬盘（SSD）“BM9K1” 系列产品中，搭载基于 RISC-V 指令集自主设计的控制器芯片。RISC-V 是基于精简指令集计算机（RISC，通过简化单条指令实现运算的计算机指令集）的开源指令集（ISA）。

控制器是承担 SSD “大脑” 功能的系统级芯片（SoC），全面统筹主机（PC）与 NAND 闪存之间的数据传输。在控制器中采用 RISC-V 指令集，企业无需支付专利使用费，且设计自由度更高。

此前，三星绝大多数 SSD 控制器均基于 Arm 内核（Cortex-R 系列）设计，为此需支付高额授权及专利费用。加之 Arm 授权政策调整（如强化按设备计费等）与供应链风险日益凸显，三星内部对 “技术自主” 的需求愈发迫切。

Arm 是芯片设计IP领域的绝对龙头，尤其在RISC CPU 指令集领域占据垄断地位。该公司将客户对设计的修改行为认定为授权违规并严格限制，近期与高通围绕芯片设计修改管控引发的诉讼便是典型案例。

为应对上述局面，2010 年由美国加州大学伯克利分校发起的非营利开源指令集指令集项目——RISC-V 应运而生。西部数据（WD）率先在其 SweRV 内核系列中采用适配 SSD 控制器的 RISC-V 指令集，打开了应用先河；韩国初创企业 Fadu 也于 2019 年推出首款 RISC-V 指令集 SSD 控制器 “Annapurna”，加入脱离 Arm 的阵营。

三星电子早在 2019 年前后，便尝试在图像传感器内置处理器等产品中应用 RISC-V 并验证可行性，但仅停留在开发演示阶段。此次在消费级商用产品中正式搭载 RISC-V 指令集，尚属首次。

三星电子在开源指令集基础上加入专属扩展功能，进一步提升新品性能，自主研发出可精细化优化 NAND 单元管理、纠错编码（ECC）以及 AI 工作负载特有的非规整读写模式的专用控制器。相较上一代产品（BM9C1），新品连续读取速度提升 1.6 倍，能效提升 23%。三星计划未来将先进制程工艺与开源指令集的设计灵活性相结合，打造专属的高度定制化技术。

业内人士表示：“SSD 控制器这类嵌入式、存储领域产品的定制化自由度较高，相比其他产品线更易开展先行测试。市场正关注三星电子是否会以消费级 SSD 为起点，将 RISC-V 指令集的应用范围拓展至服务器级 SSD，乃至移动应用处理器（Exynos）等其他半导体产品领域。”