【区角快讯】2026年4月9日，英特尔代工部门宣布在半导体制造领域取得关键进展，成功研制出全球厚度最小的氮化镓（GaN）芯片，其基底硅片厚度仅为19微米，约为人类头发丝直径的五分之一。
该技术成果已于2025年IEEE国际电子器件大会（IEDM）上首次公开展示。值得注意的是，这款GaN芯片采用标准300毫米硅晶圆制造，标志着英特尔首次在既有硅基产线上实现具备量产潜力的氮化镓工艺。
研发团队更进一步将氮化镓晶体管与传统硅基数字电路整合于单一芯片内，打造出业界首个完全单片集成的片上数字控制电路。此举使电源管理芯片不再依赖外部独立控制单元，显著降低了组件间信号传输过程中的能量损耗。
相较于传统硅基CMOS器件，氮化镓材料凭借更高的功率密度，可在更紧凑的空间中提供更强性能。其宽禁带特性赋予器件优异的高温稳定性——当硅芯片结温超过约150°C时可靠性迅速恶化，而GaN器件仍能维持正常工作，从而简化散热设计并降低成本。
此外，GaN晶体管支持超过200GHz的高频稳定运行，天然契合5G及未来6G通信系统对射频前端的严苛要求。英特尔确认，该技术已通过严苛的可靠性测试，满足实际部署所需的标准。
在数据中心应用中，该芯片可实现更快开关速度与更低功耗，使电压调节模块体积更小、效率更高，并可紧邻处理器布置，有效减少远距离供电带来的电阻损耗。在无线基础设施方面，其高频优势使其成为下一代基站射频前端的理想方案。
该技术还适用于雷达、卫星通信及光子学等需高速电信号切换的领域。由于基于标准300mm硅晶圆平台，其制造流程与现有硅基产线完全兼容，无需大规模新建工厂即可推进规模化生产。
业内分析指出，此项突破有望加速氮化镓在高性能计算与通信领域的商业化进程，推动电源与射频系统向更高集成度与能效比演进。
