前言

镓未来作为实现全功率范围氮化镓器件的量产的半导体功率器件企业，旗下产品具有易于使用、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品。目前镓未来旗下多款氮化镓器件被小米、安克、联想、DJI、LG等多领域厂商采用。究竟是何种魅力让镓未来芯片备受业界知名品牌青睐，下文中小编将为您详细介绍。

镓未来氮化镓在快充、笔电适配器中的应用

目前，镓未来针对PD快充市场推出多款650~700V高压氮化镓，导阻覆盖70~480mΩ，目前已经打入多家一线知名品牌数十款产品供应链。

镓未来G1N65R070PD-H

镓未来G1N65R070PD-H是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻70mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。镓未来G1N65R070PD-H采用XDFN8x8-8L封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，提升EMI性能。