三星电子正在加速研发其第七代高带宽内存（HBM），即“HBM4E”。据报道，该公司计划于下月完成首个符合目标性能标准的HBM4E样品的研发。基于此，三星计划在完成内部验证后向客户交付产品。此举旨在巩固其在下一代HBM市场的领先地位，此前，三星已正式宣布业界首批第六代HBM（HBM4）实现量产。
据业内人士4月16日透露，三星电子计划于下月生产首批HBM4E样品。该公司计划于下月中旬由其代工部门生产逻辑芯片样品——HBM4E的“大脑”，其性能较上一代产品有了显著提升。这些芯片随后将被送至内存部门，并与HBM4E DRAM封装，以制造最终样品。据悉，三星将在内部性能评估后，待样品达到目标性能水平时，将其交付给英伟达。
三星电子加速第七代HBM的研发。三星电子此前曾在今年3月英伟达年度开发者大会“GTC 2026”上展示了HBM4E的物理原型。然而，业内普遍认为该产品仅用于展示。三星电子似乎尚未制造出符合英伟达等客户性能标准的真正样品。
三星电子计划加速HBM4E的研发，以确保在下一代HBM市场占据领先地位。此前，三星电子曾宣布，与竞争对手相比，其采用的先进制造工艺已成功实现HBM4业界的首次量产出货。该公司解释说，其在HBM4的逻辑芯片和DRAM芯片的制造工艺上均优于竞争对手SK海力士和美光，从而获得了性能优势。据悉，该公司目前正全力以赴提升盈利能力。
对于HBM4E，三星电子将沿用HBM4的4nm工艺制造逻辑芯片，并采用10nm级第六代（1c）工艺制造DRAM芯片。虽然这并非完全相同的工艺（因为已应用了新的精细工艺以提升性能），但与首次采用先进工艺和1c DRAM的竞争对手相比，其技术稳定性被认为更高。
与此同时，据报道，SK海力士也在全力投入HBM4E的研发。据悉，SK海力士计划在HBM4E上采用比HBM4先进一代的DRAM芯片，并优先考虑采用台积电的3nm工艺制造逻辑芯片。此前，SK海力士采用台积电的12nm工艺生产HBM4逻辑芯片，并采用10nm级第五代（1b）DRAM生产HBM4。虽然该公司似乎专注于利用HBM4成熟工艺来确保业务稳定性，但同时也制定了在HBM4E领域获得性能优势的战略。
一位半导体行业人士表示：“尽管由于NVIDIA Vera Rubin系列AI芯片（采用HBM4和HBM4E）的发布略有延迟，导致产量有所调整，但三星电子正集中精力发展下一代市场，以避免重蹈覆辙，再次在上一代市场拱手让给竞争对手。”
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