【区角快讯】在当前全球DRAM供应持续紧张的背景下，SK海力士成为2026年唯一实现产能扩张的内存制造商。其位于清州的工厂已于今年2月正式启动高带宽内存（HBM）的量产，而其他主要竞争对手仍处于厂房建设或设备调试阶段，新增产能预计最早要到2027年底甚至2028年方能释放。
三星电子、SK海力士与美光合计占据全球DRAM市场约90%的份额，同时也是目前全球仅有的三家具备HBM芯片量产能力的企业。这三家企业将资源优先投向高毛利的HBM产品，客观上挤占了传统DRAM的制造产能，导致自2025年第四季度以来内存短缺问题不断加剧。进入2026年后，内存价格环比上涨达90%。
据行业分析，内存采购成本在智能手机整机制造中的占比预计将从原先的20%攀升至40%，直接造成全球智能手机出货量萎缩13%。此外，汽车电子领域亦开始受到波及。研究机构测算，为缓解当前供需失衡，半导体行业需在2027年前将DRAM总产能提升12%，但目前已公布的扩产计划仅覆盖7.5%的增量。
SK海力士正加速推进龙仁工厂群建设，首座洁净室预计于2027年2月启用，较原定时间提前三个月，显示出其在本轮扩产周期中最积极的姿态。相较之下，美光位于美国爱达荷州及新加坡的新厂要到2027年下半年才投产；三星平泽第四工厂虽有望年内完工，但因同时承担逻辑芯片生产任务，DRAM有效产能受限，而专用于HBM的平泽第五工厂尚处土建阶段，最快2028年才能量产。
由于实质性新增产能集中于2027年下半年之后兑现，当前DRAM供给增速仅能满足约六成市场需求。SK海力士内部评估认为，此次供应短缺可能延续至2030年。值得注意的是，疫情后IT需求泡沫破裂曾令多家存储厂商陷入亏损，其中铠侠创下历史最大亏损纪录，美光与SK海力士亦出现净亏损。至今心有余悸的铠侠对新建第三座晶圆厂持审慎态度，其新任总裁大田裕雄表示：“我们将依据市场增长情况作出理性投资决策。”
本轮“内存荒”凸显高端制程与产能调配的战略重要性，短期内行业仍将承受结构性供需错配的压力。
