近日，第九届中国研究生创“芯”大赛正式启动。作为国内首家EDA上市公司，关键核心技术具备国际市场竞争力的EDA领军企业，概伦电子长期秉持与中国集成电路行业共同成长的理念，始终将产教融合人才培养作为公司发展的长期战略，为中国集成电路产业打造多层次的专业人才培养机制，已连续多年支持中国研究生创“芯”大赛。作为命题企业之一，现正式公布两道企业命题，诚邀国内外在读研究生踊跃参与，驰骋创新赛场。
赛题名称
赛题一：基于VeriSim仿真的I3C设计及验证
赛题二：器件建模题（2选1）
A题：HEMT器件的建模与验证
B题：自选器件的建模与验证
概伦专项奖
一等奖：每队奖金10000元，3支参赛队伍；
二等奖：每队奖金5000元，7支参赛队伍；
双重奖励下，单队奖金最高可超20万元。
人才培养
概伦电子鼓励和支持技术部门从中国研究生创芯大赛获奖学生中挖掘人才。在校招过程中，本次创芯大赛获奖学生可跳过笔试，直接进入面试环节，概伦电子将优先为获奖学生提供岗位实习的机会。
概伦电子先进数字仿真器——VeriSim
I3C Key Features
支持SDR Primary Controller模式 支持AMBA APB总线访问寄存器
支持可编程的总线时序，包括SCL高低电平周期，SDA保持时间和总线空闲条件
支持SDR私有读/写消息，支持发送I2C私有读/写消息
支持SDR通用CCC消息（广播CCC和直接CCC）
支持动态地址分配（仅要求支持ENTDAA CCC）
支持带内中断，可配置数据负载有无
支持中断和轮询访问
用SystemVerilog语言实现I3C（SDR Primary Controller）模块。 USART模块模块测试平台方案及SystemVerilog代码。
测试点分解及测试用例代码。
功能覆盖率报告。
I3C模块设计方案及SystemVerilog代码。 I3C模块模块测试平台方案及SystemVerilog代码。
测试点分解及测试用例代码。
功能覆盖率报告。
附加题：PVM验证平台及测试用例代码。
概伦电子建模软件MeQLab
路径A（实测数据）：自主完成HEMT器件测试，获取直流I-V、C-V、脉冲I-V、变温等建模必备数据； 路径B（仿真数据）：采用Sentaurus、Silvaco、Victory Device等TCAD工具，仿真生成虚拟器件标准数据。
统一评分标准：T1：器件物理分析（15分）
T2：数据获取方案设计（20分）
器件专属测试/仿真基准（统一纳入评分，原附加分内容并入基础评分）：
GaN HEMT：含直流I-V、C-V、脉冲I-V、变温特性、pulse-spar；
GaAs pHEMT：含直流I-V、C-V、多偏置S参数、噪声参数；
InP HEMT：含直流I-V、C-V、多偏置S参数（毫米波频段）。
T3：模型参数提取（35分）
T4：模型验证与优化（20分）
、
器件专属测试/仿真基准（统一纳入评分，原附加分内容并入基础评分）：
GaN HEMT：验证动态Ron退化预测能力；
GaAs pHEMT：验证大信号特性（1dB压缩点、IMD3）；
InP HEMT：验证高频（>100GHz）S参数预测能力；
T5：技术报告撰写（10分）：报告规范性
优秀（9-10分）：结构完整、逻辑清晰、图表规范、数据详实、参考文献合规，全流程可追溯；
良好（7-8.9分）：结构完整、表述通顺， minor图表/格式问题；
合格（6-6.9分）：结构残缺、表述混乱，核心数据缺失；
统一评分尺度：所有HEMT器件类型均执行上述同一套评分标准，不针对单一器件设置倾斜分值；
难度系数折算（内置评分逻辑）：针对器件工艺复杂度、建模难度差异化，在“参数提取、模型验证”环节，同等拟合精度下，InP HEMT（毫米波高频）、GaN HEMT（功率陷阱效应）难度权重高于GaAs pHEMT，由评委组判定难度适配分值；
核查基准一致：所有队伍均核查数据完整性、拟合误差、参数物理性、报告可追溯性四大核心指标，量化打分杜绝主观偏差；
同分判定规则：总分相同时，依次对比直流I-V误差、外推预测精度、特殊效应表征精度、报告规范度，决出排名；
工具使用一票否决：选题必须采用MeQLab进行建模与参数提取，使用其他建模提参工具的直接判定为不合格；补充说明：数据获取阶段所用的 TCAD仿真工具（如Sentaurus、Silvaco等）不受此限制，若部分仿真工具存在功能不支持情况，需在报告中详细说明替代方案及理由，经评委审核确认后可正常参与评分。
本题采用约束框架+自主创新模式，参赛选手在指定范围内自选器件，完成从结构分析到模型提取的全流程建模，总分100分，所有得分点均为报告可核查项。
器件选型约束范围：
先进硅基器件：FinFET、GAAFET、SOI MOSFET、LDMOS、CFET；
化合物半导体器件：GaN HEMT、SiC MOSFET、InP HBT、GaAs pHEMT；
新型特色器件：辐照加固型器件、高频噪声器件、功率集成器件。
统一评分标准：
任务1：器件结构与工艺分析（15分）
T2：数据获取方案设计（20分）
任务3：参数提取与建模（35分）
任务4：模型文件/数据和工程提交与拟合误差（20分）
任务5：创新性与规范度（10分）
创新点量化打分：创新点需贴合科研/工程实际，具备可核查的改进效果（如精度提升、效应表征完善），杜绝空泛创新。 横向对比基准：同类型器件统一对比拟合精度、流程规范性、创新实用性；不同类型器件按建模难度集体折算分值，确保公平； 同分判定规则：总分相同时，依次对比模型精度、物理效应表征、创新实用性、报告规范度。 工具使用一票否决：选题必须采用MeQLab进行建模与参数提取，使用其他建模提参工具的直接判定为不合格；补充说明：数据获取阶段所用的TCAD仿真工具（如Sentaurus、Silvaco等）不受此限制，若部分仿真工具存在功能不支持情况，需在报告中详细说明替代方案及理由，经评委审核确认后可正常参与评分。
概伦电子为创芯大赛参赛队伍提供赛题所需的 VeriSim与MeQLab工具，参赛队伍可通过申请获取。
软件申请表下载：
https://cpipc.acge.org.cn/sysFile/downFile.dofileId=ee1398994b844c42a36c8452f65a5499
赛题文档下载链接：
https://www.kdocs.cn/l/cvvFFaOTdsdj
▼ 大赛官网：https://cpipc.acge.org.cn/cw/hp/10
▼ 赛题交流QQ群：707797078
▼ 组队报名及作品提交：https://cpipc.acge.org.cn/cw/hp/10
中国研究生创“芯”大赛是由中国学位与研究生教育学会、中国科协青少年科技中心主办的全国性集成电路领域专业赛事。大赛聚焦集成电路设计，半导体器件与工艺、制造等方向，设置自主命题赛道与企业命题赛道，深度融合学术研究与产业应用，为研究生提供了从理论到实践的全方位展示平台。历经多年发展，创“芯”大赛已成为全国研究生展现创新实践与科研实力的重要舞台。
本届大赛由南方科技大学承办。作为一所扎根深圳、迅速崛起的新型研究型大学，南科大深港微电子学院与半导体学院近年来在集成电路领域积淀深厚、成果斐然。在这里，你将置身于“硬核”的学术场域，与顶尖实验室同频共振，与学界大咖切磋论剑。大赛初赛报名截止日期为2026年6月30日。参赛队在大赛官网上注册、组队、提交参赛作品。
