晶圆代工龙头台积电在23日举办的2026年北美技术论坛上，展示了最先进的A13工艺技术的最新创新成果。台积电表示，这是继2025年发布业界领先的A14工艺之后，台积电于2026年新推出的A13工艺的直接升级。该技术实现了更精简且更高效的设计，以满足客户对下一代人工智能、高性能计算以及移动应用不断增长的算力需求。
台积电指出，A13代表了台积电对持续创新的承诺。相较于A14，A13节省了6%的芯片面积，其设计规则也与A14完全向下兼容，使客户能够迅速将其设计升级至台积电最新的纳米片晶体管技术。此外，A13通过设计与工艺协同优化（DTCO），提供了额外的能效及性能提升。A13预计将于2029年（即A14量产后的一年）正式投入生产。
A13是台积电在加州圣克拉拉市举行的北美技术论坛中所发布的重点技术创新之一，该论坛也为台积电未来几个月在全球各地举办的技术论坛揭开了序幕。2026年的技术论坛以“以领先硅技术拓展人工智能（Expanding AI with Leadership Silicon）”为主题，是台积电本年度规模最大的客户活动，全面展示了公司最新的技术发展和制造服务。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示：“台积电的客户总是着眼于未来的创新，他们期待我们能持续提供可靠的新技术（例如A13），并希望这些精心构建的技术能够在客户前瞻性的新设计有需求时，及时就绪并投入量产。台积电的先进工艺技术在密度、性能和能效方面均引领业界，但我们仍在不断寻找优化的方法，以更好地支持客户的未来产品。作为客户最可靠的技术伙伴，我们将全力确保客户的成功。”
其他在北美技术论坛上发布的新技术：
先进逻辑技术：
●除了A13之外，台积电还强化了其A14平台并预告了A12技术。A12将采用台积电超级电轨（Super Power Rail）技术，为人工智能及高性能计算应用提供背面供电，预计于2029年投入生产。
●台积电持续推进其N2平台并推出N2U技术。该技术采用了设计与工艺协同优化，相较于N2P，其速度可提升3-4%或功耗降低8-10%，逻辑密度提升2-3%。N2U依托N2技术平台的制程成熟度与高良率表现，成为了支持人工智能、高性能计算及移动应用的均衡之选。N2U预计于2028年开始生产。
台积电3DFabric先进封装及3D硅堆叠：
●为满足人工智能对单一封装中更高算力及内存的需求，台积电持续扩展其CoWoS技术以整合更多的硅片。台积电目前正在生产5.5倍掩模版尺寸的CoWoS，并正在规划更大尺寸的版本。一款14倍掩模版尺寸的CoWoS能够整合约10个大型运算芯粒和20个高带宽内存（HBM）堆叠，预计将于2028年开始生产。
台积电随后将于2029年推出大于14倍掩模版尺寸的CoWoS。这些新技术为客户在提升AI算力方面提供了更多选择，并与台积电同样预计于2029年推出的40倍掩模版尺寸SoW-X系统级晶圆技术形成互补。
●台积电也将在其最先进的技术平台上推出系统集成芯片（TSMC-SoIC）3D芯片堆叠技术。A14与A14的SoIC预计于2029年投入生产，其芯粒间（Die-to-Die）I/O密度是N2与N2 SoIC技术的1.8倍，可支持堆叠芯片之间更高的数据传输带宽。
●台积电的紧凑型通用光子引擎（TSMC-COUPE™）将达成关键性的里程碑，采用COUPE在基板上（COUPE on substrate）的真正的共封装光学（CPO）解决方案预计于2026年开始生产。
相较于主板上的可插拔解决方案，此项新技术通过将COUPE光子引擎直接集成到封装内部，可提供2倍的能效并减少90%的延迟。该技术目前已应用于200Gbps微环调制器（MRM），成为了数据中心机架之间数据传输的一种高度精简且节能的解决方案。
汽车及机器人：
●先进驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车需要领先的技术以及严格的质量和可靠性标准。物理人工智能（或称“具身智能”，Physical AI）应用（例如人形机器人）也同样有着类似严苛的要求。为满足这些需求，台积电宣布推出N2A，这是业界首款采用纳米片晶体管的汽车工艺技术。
相较于N3A，N2A在相同功耗下速度将提升15-20%，预计于2028年完成AEC-Q100标准认证。此外，台积电在N2P制程设计套件（PDK）中提供了“车用”设计套件，让客户在设计阶段就能考量汽车的实际使用条件，从而在N2A工艺技术取得完全认证前提早启动设计工作。
●N3A将于2026年投入生产，这表明台积电在助力客户加速汽车产品周期方面的努力已见成效。通过N3的“Auto Early”计划，客户早在2023年即可开始设计，如今已有超过10个客户产品是基于N3A工艺技术进行规划的，致力于让汽车变得更智能、更环保、更安全。
特色工艺技术：
●台积电是首家于2026年将高压技术引入FinFET世代的公司，其N16HV工艺技术主要用于支持显示驱动应用。针对智能手机显示驱动芯片，相较于台积电的N28HV工艺，N16HV的栅极密度增加了41%，功耗降低了35%。针对近眼显示器，N16HV能将芯片面积（Die area）缩小40%，功耗降低超过20%，大幅增强了智能眼镜等设备的实用性与续航表现。（文章来源：科技新报）
