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SK海力士正在搭建自有人工智能基础设施，这是该公司首次在生产厂区直接部署独立AI系统。此前，SK海力士的数字孪生业务一直依赖SK电讯的云基础设施。行业观察人士表示，半导体制造正迈向AI直接运营晶圆厂的新阶段。
业内消息称，SK海力士近期已完成AI服务器采购招标。本次部署将包含250台服务器，搭载2000颗英伟达Blackwell系列GPU。该基础设施将落户公司清州园区，服务器定于6月起交付安装，总投资规模预计达数千万美元。该AI基础设施投用后，将支撑工厂数字孪生系统与内部AI智能体运行。
数字孪生是在虚拟环境中复刻真实工厂的技术。半导体晶圆厂部署数十万颗传感器，持续监测设备温度、振动、气体流量等参数，这些数据流与虚拟模型实时同步，使其可像实体工厂一样运行。在这一环境下，可提前模拟设备布局、工艺条件与物流流程，仅将优化后的方案应用于实际产线。半导体产线一旦停工将造成巨额损失，因此实体试验空间有限。数字孪生技术支持在不同条件下反复模拟，是提升良率与产能利用率的核心工具。
内部AI智能体相当于企业级AI助手，可自动化员工工作流程。与公共聊天机器人不同，这类系统基于企业专属数据训练，能理解公司专用术语与业务场景。通过学习半导体生产数据、工艺手册及内部文件，AI智能体可支撑工程分析、报告生成、员工培训等多项工作。依托自有AI基础设施运行，还能确保企业敏感数据不外流。AI的应用将进一步推动晶圆厂运营自动化，长期来看可能改变操作员与工艺监控岗位的人力结构。AI智能体也有望替代大量重复性行政工作。
去年11月，英伟达与SK集团就工业AI云服务正式达成合作，由SK电讯以GPU即服务模式，为SK海力士等旗下子公司提供基础设施。但本次清州部署项目为独立计划。鉴于晶圆厂运营数据的敏感性，SK海力士认为，自建基础设施比依赖外部云服务更具优势。
选址清州主要因当地电力容量充足。行业消息称，公司利川厂区电力与空间不足，无法支撑该基础设施。清州M15X晶圆厂近期已全面量产，投资约19万亿韩元的P&T7先进封装厂也已动工。该基地正从以NAND闪存为主，转型为覆盖DRAM、高带宽内存（HBM）与先进封装的AI内存核心枢纽。
本次采购规格未拆分内存组件，招标书要求包含内存的完整集成服务器系统，最终合同授予最低报价方。以往，三星电子等内存厂商通常会在服务器招标中排除DRAM与固态硬盘，转而内部供应。行业分析师指出，过去一年DRAM与NAND价格近乎翻倍，内部调拨的成本优势已大幅减弱。
值得一提的是，SK海力士计划于今年下半年向客户供应第七代高带宽内存HBM4E样品，将采用1c DRAM工艺以提升竞争力。SK海力士HBM销售与营销副总裁Kim Ki-tae在 4 月 23 日第一季度财报电话会议上表示，公司正与客户就出货时间表与产品规格紧密协调。“内部计划是在下半年提供样品，产品开发进展顺利，目标是明年量产。”
HBM4E是HBM4的迭代产品。SK海力士计划将其1c DRAM工艺应用于HBM4E核心裸片；现有HBM4产品基于第五代1b DRAM工艺，而竞争对手三星电子从一开始就采用1c DRAM生产HBM4。Kim强调，SK海力士1c DRAM已展现行业领先性能，该工艺于去年底开始量产，良率与产能均已进入成熟阶段。三星电子也预计在年中前后向客户提供HBM4E样品。
关于现有HBM4产品的认证与出货时点，Kim表示，竞争力不仅取决于速度与功耗效率，还取决于品质、良率与供应稳定性。SK海力士正根据客户量产计划扩产，确保及时供货，同时在整体DRAM市场保持产能均衡分配。
除HBM外，公司还在筹备下一代DRAM与NAND产品。基于1c工艺的低功耗DRAM LPDDR6将于今年下半年全面供货，面向旗舰智能手机。SK海力士称，该产品相较LPDDR5X数据处理速度提升33%，功耗效率提升20%以上，已于上月完成开发。
SK海力士本月还启动了基于1c工艺LPDDR5X 192GB SOCAMM2量产。相较传统服务器内存模组，其带宽翻倍、能效提升 75%，专为英伟达Vera Rubin AI计算平台优化，预计下半年开始向英伟达供货。
SK海力士同时在开发包括CXL、存内计算（PIM）及高带宽闪存在内的新型解决方案。计划推出支持CXL 3.0的第二代CXL内存模组，容量与性能优于第一代CXL 2.0模组（已完成客户验证）；并已与Naver Cloud签署备忘录，开展CXL与存内计算技术验证。
在高带宽闪存领域，SK海力士已启动标准化工作，并于2月与闪迪组建联盟。高带宽闪存采用类似HBM的3D堆叠NAND架构，提升带宽以改善数据处理速度与延迟，有望弥补HBM存储容量有限的短板。
SK海力士NAND营销负责人Song Chang-seok表示，公司正为边缘AI、实体AI等场景优化存储解决方案，旨在进一步巩固以HBM为基础的AI内存市场领先地位。
