2035年，全球功率半导体市场规模将超过7万亿日元

未来十年，下一代功率半导体市场将迎来显著增长。

2026年4月28日，富士经济发布了2035年全球功率半导体市场预测报告。

预计到2035年，全球功率半导体市场规模将达到73495亿日元。其中，硅（Si）功率半导体市场规模将达到48418亿日元，下一代功率半导体市场规模将达到25077亿日元。2025年，功率半导体市场规模为37550亿日元，其中硅功率半导体市场规模为32182亿日元，下一代功率半导体市场规模为5368亿日元。这表明，未来十年，下一代功率半导体市场将迎来显著增长。

据富士经济预测，2025年硅功率半导体市场将因电子设备制造商的库存调整以及消费电子产品和信息通信设备需求的增长而增长。另一方面，欧洲、美国和日本的功率半导体制造商则受到电动汽车市场停滞不前的显著影响。

在下一代功率半导体领域，碳化硅（SiC）功率模块的市场规模预计将从2025年的3506亿日元增长到2035年的1.8749万亿日元。电动汽车牵引逆变器对SiC功率模块的需求旺盛，预计其在电动汽车中的应用将持续增长。到2035年，预计约70%的电动汽车将配备基于SiC的牵引逆变器。在铁路和能源领域，SiC功率模块在大容量储能系统（ESS）和太阳能发电系统功率调节器中的应用也将显著扩大。

另一方面，来自中国制造商的新进入者数量不断增加，预计将加剧价格竞争。

预计到2025年，GaN功率半导体市场规模将达到585亿日元，到2035年将增长至3169亿日元。未来，GaN的应用预计将在车载充电器、激光雷达、服务器机架电源以及人形机器人和无人机等领域得到更广泛的应用。

2025 年氧化镓功率半导体市场规模很小，但预计到 2035 年将增长至 149 亿日元。

氧化镓功率半导体主要分为两类：一类用于肖特基势垒二极管（SBD），即高速整流二极管；另一类用于场效应晶体管（FET），即高速开关晶体管。在日本，FLOSFIA公司于2025年12月完成了其4英寸氧化镓晶圆制造技术的演示。该公司还宣布，使用原型SBD验证了产品可靠性的提升。

富士经济预测，用于白色家电和服务器机架电源的600V小梁网二极管（SBD）将于2027年左右开始量产，届时市场将迎来爆发式增长。尽管由于碳化硅（SiC）功率半导体成本的下降，氧化镓功率半导体的成本优势正在减弱，但富士经济预计，一旦开始量产，鉴于氧化镓功率半导体具有耐高压等优势，其应用将会更加广泛。

预计到2030年左右，FET将开始大规模生产，主要面向工业和能源领域，这些领域的需求量将大于SBD。FET的应用将首先应用于大型太阳能发电厂的电源调节器和兆瓦级充电器，未来有望扩展到汽车和电子领域。

受功率半导体市场整体低迷的影响，晶圆、光刻胶、焊料、封装材料和键合材料等功率半导体元件市场增速放缓。硅晶圆需求同比略有增长，中国市场对前端材料的需求依然强劲，但欧美市场需求有所下降。后端材料需求疲软，尤其是在汽车和电子应用领域。预计从2026年起，在功率半导体需求复苏的推动下，市场将开始扩张。市场规模预计到2025年将达到5967亿日元，2029年将达到1万亿日元，2035年将达到1.806万亿日元。

全球功率半导体制造设备市场预计将从2025年的6735亿日元增长至2035年的1.3627万亿日元，翻一番。2025年，由于电动汽车市场低迷导致汽车相关资本投资减少，以及对2024年之前过度投资的反弹，该市场出现显著萎缩。预计从2026年开始，此前被推迟的资本投资将恢复，从而带动市场复苏，尤其是在前端工艺设备方面。预计到2035年，8英寸碳化硅功率半导体生产线设备的投资增加，以及汽车/电子行业检测测试设备和芯片外观检测设备的广泛应用，将推动市场扩张。