
据报道,三星电子去年在全球十大半导体公司中投资额最高,仅在设施建设和研发方面就投入了约90万亿韩元。即使在行业低迷导致“半导体寒冬”的评估中,该公司仍继续积极投资,这被认为提前为去年真正开始的半导体超级周期(超级繁荣期)奠定了基础。
根据企业数据研究所CEO评分于10日发布的《全球十大半导体公司设施及研发投资状况》报告,三星电子预计到2025年将投资89.8935万亿韩元,其中资本支出(CAPEX)为52.1531万亿韩元,研发投入为37.7404万亿韩元,在受访的十家公司中位居榜首。
三星与排名第二的台积电(69.4109万亿韩元)之间的差距超过20万亿韩元,在投资规模上遥遥领先。美国英特尔以40.4499万亿韩元位列第三,韩国SK海力士以35.045万亿韩元排名第四。紧随其后的是英伟达(34.9369万亿韩元)、美光(27.6328万亿韩元)、博通(16.4167万亿韩元)、高通(14.4305万亿韩元)、AMD(12.9562万亿韩元)和德州仪器(TI)(9.4407万亿韩元)。
即使仅从研发投入来看,三星电子也位居榜首。三星电子的年度研发支出为37.7404万亿韩元,比排名第二的英伟达(26.3347万亿韩元)高出10万亿韩元以上。紧随其后的是英特尔(19.6044万亿韩元)、博通(15.5350万亿韩元)、高通(12.7497万亿韩元)、AMD(11.5158万亿韩元)和台积电(11.2617万亿韩元)。
三星电子的积极投资并非昙花一现,而是过去五年持续增长的趋势。据CEO Score分析,三星电子在设施和研发方面的总投资额从2021年的72.2307万亿韩元稳步增长至2024年的88.7398万亿韩元。值得注意的是,2023年,尽管受半导体市场环境恶化的影响,三星电子的营业利润同比暴跌84.9%至仅6.567万亿韩元,但该公司在设施和研发方面的投资额仍高达88.8739万亿韩元,是其营业利润的13.5倍。
业内人士认为,这种“经济衰退期间的逆向投资”策略为应对近期由人工智能(AI)普及和高带宽内存(HBM)需求激增引发的半导体超级周期奠定了产能和技术竞争力的基础。事实上,三星电子正在持续对高附加值内存(包括下一代HBM4)和先进代工工艺进行大规模投资。
CEO Score指出,“半导体行业的结构决定了每年对设备和研发投入的巨额资金至关重要”,并补充道,“在近期的超级繁荣时期,围绕数万亿韩元绩效奖金和留存收益分配的争议正在浮出水面,这可能会给相关公司带来沉重负担。” 这警示我们,随着对短期利润分配的需求不断增长,决定中长期竞争力的投资能力可能会下降。
在半导体市场剧烈波动的情况下,人们关注的焦点是三星电子即使在经济低迷时期也不停止投资的决定将如何影响未来的全球竞争格局。
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