三星电子成功研发出全球首个900层V级NAND闪存原型技术，向“千层NAND时代”又迈进了一步。在与竞争对手激烈的堆叠技术竞争中，三星电子凭借这一突破迅速确立了显著的技术领先优势，备受赞誉。
据半导体行业5月25日报道，三星电子近期成功研发出采用“单元多重键合（CMB）”技术的900层V级NAND集成系统，该技术将两片450层单元晶圆键合为一片。
NAND闪存是用于存储数据的核心组件，广泛应用于人工智能（AI）服务器、智能手机和数据中心存储设备（SSD）等领域。如同建造公寓楼一样，堆叠层数越多，容量越大，在有限的芯片尺寸内存储的数据量也越多，同时还能最大限度地提高能效。它被认为是夺取人工智能服务器和设备端人工智能市场主导地位的关键技术，因为高容量和高效率的组件至关重要。
目前，SK海力士凭借其321层的4D NAND，保持着量产市场层数最多的纪录。然而，三星电子通过同时推进其第十代V-NAND（V10，超过400层）的量产，并在研发阶段迅速迈向900层大关，从而在下一代NAND市场占据了有利地位。
关于这项研究成果，三星电子表示：“验证了正常的单元运行特性”，强调该技术展现出了超越理论堆叠的实际运行能力。
自2013年实现全球首款3D V-NAND的商业化以来，三星电子不断改进其工艺以克服堆叠技术的限制。过去，三星采用“单层堆叠”工艺，即一步完成微孔的钻孔和堆叠；然而，随着层数的增加，晶圆翘曲或错位等物理限制逐渐显现。三星电子通过引入先进的上卡盘设计，解决了晶圆翘曲这一900层NAND实现的最大障碍。此外，三星还利用其专有的“新型套刻校正”技术，克服了键合过程中出现的微小错位误差。得益于新推出的位线（BL）和字线（WL）结构，三星在降低功耗和缩小芯片尺寸方面也取得了显著成果。
在全球市场，以长江存储技术股份有限公司（YMTC）为首的中国企业正在300层NAND堆叠技术的量产门槛上迎头赶上韩国公司。中国通过政府支持和设备国产化，正同时寻求扩大产能并推进技术发展。
如果长江存储（YMTC）在年内成功实现300层以上的量产，激烈的价格竞争极有可能对韩国企业的盈利能力构成压力。因此，三星电子900层技术的实施被视为旨在建立中长期技术壁垒的战略应对措施。
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一位业内人士表示：“900层NAND技术并非仅仅是300层的三倍，而是一项改变堆叠工艺范式的技术。”他补充道：“这向全球客户传递了一个信息，即三星仍然是技术领导者，并将限制中国企业的规模和价格攻势。”
韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。
总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。
在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。
同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。
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