三星首发HBM5配套铜基HPB散热，预计2028年实现量产

近日，三星电子正式对外亮相第八代高带宽内存HBM5原型产品，同步首发自研HPB（Heat Pass Block，导热块）封装散热方案，这项铜基散热技术将成为HBM5规模化落地的核心配套技术。

据《朝鲜日报》报道，三星敲定HBM5量产节奏，产品计划2028年实现商业化量产，底层裸片采用三星自有2nm GAA代工工艺打造。

从技术参数来看，HPB为内嵌于芯片堆叠封装内部的铜质导热结构体，区别于传统基板、DAF胶层、EMC塑封等高分子导热物料，实测导热能力高出后者500至1000倍。

三星电子CTO宋载赫表示，HPB依托烟囱式独立传热路径降低芯片工作温度、提升运行稳定性，在AI算力功耗持续走高的行业趋势下，这项散热方案将有效赋能下一代HBM产品性能与系统能效升级。

宋载赫表示，HPB技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证。

在此之前，三星率先在旗舰移动处理器Exynos 2600完成HPB落地测试，这款全球首款2nm制程手机SoC借助HPB优化散热，相同负载下芯片温控表现较前代提升30%，意味着该散热技术拥有进入移动处理器市场的潜力。

伴随全球AI服务器算力需求持续爆发，HBM产业链长期处于供需紧俏状态。根据TrendForce集邦咨询最新研究，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

业内分析认为，HPB的规模化商用或将重塑HBM封装散热设计标准，成为未来头部存储厂商迭代新一代高带宽内存的关键技术方向。

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