三星披露与英伟达在HBM4及代工领域的合作

近期，三星电子芯片部门（DS部门）负责人全永铉（Jun Young-hyun）透露，其与英伟达CEO黄仁勋围绕HBM4、晶圆厂等短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，双方正在合作研发面向4纳米和8纳米节点的自动驾驶芯片，以及英伟达的加速器芯片。此外，双方还就长期合作进行了广泛交流，涉及HBM4E、代工业务、HBM5及下一代芯片的代工合作等未来技术方向。

此前有媒体报道称，英伟达已于6月5日确认，三大存储芯片制造商——SK海力士、三星电子和美光科技——均已通过认证，可为英伟达的AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。英伟达已批准这三家公司供应HBM4内存，该内存是英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin的关键组成部分。

关于Vera Rubin平台的最新进展，英伟达于2026年6月正式宣布该平台进入全面量产阶段，首批产品将在第三季度交付，第四季度启动大批量产能爬坡。

在架构与性能方面，Vera Rubin采用“GPU+LPU”架构，推出了存储机柜、CPU机柜、LPX机柜等全新系统方案，单个集群的GPU数量突破百颗，实现了横向弹性扩展。单颗GPU的功耗提升至2000W以上，整机柜功耗超过600kW，较上一代GB300平台显著提高。散热方案上，该平台首次将全液冷作为强制标配，采用冷板式液冷，散热效率提升超过3倍，机房PUE值可稳定控制在1.05至1.1之间。

互联与存储方面，互联技术从NVLink 5.0升级至NVLink 6.0，单通道速率翻倍，并引入了光电共封装（CPO）技术，带宽提升约4倍，功耗下降约30%。存储方面采用HBM4内存，单GPU显存容量达到288GB，带宽为22TB/s，同时搭配CXL内存池化技术，突破了单机内存容量的限制。

2026年6月23日，TrendForce集邦咨询将在深圳举办“TSS2026半导体产业高层论坛”。

届时，集邦咨询资深分析师王豫琪将针对DRAM及HBM产业现状与未来发展趋势发表精彩演讲，敬请期待。