375层闪存，将量产！

据韩国媒体报道，SK海力士将于今年年底前量产下一代375层3D NAND闪存。

据业内人士11日透露，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证，并正准备将其量产生产线转移至该工厂。这并非新建工厂，而是正在进行改造投资，将清州M15工厂现有的生产线（目前生产176层、238层、321层等）升级为375层生产线。

最初讨论的375层产品是400层级的。由于高层堆叠工艺量产难度较高，最终将层数减少到375层。在NAND闪存中，增加层数会增加诸如通道孔蚀刻等工艺的难度。一位业内人士表示：“之前提到的400层级产品已修正为375层”，并补充道：“我们已制定路线图，计划逐步推进到480层，最终达到604层。”

关键变化在于引入了钼（Mo）材料。之前使用的一些钨（W）薄膜已被钼取代。NAND闪存通过垂直堆叠数百层储能单元及其控制字线来提高容量。SK海力士决定将375层NAND闪存中控制各单元层的部分金属栅电极（即字线材料）从钨替换为钼。

在多层堆叠的NAND闪存中，钼被认为是一种能够弥补钨局限性的材料。随着层数的增加，布线会变得更细；然而，钨线变细的同时，其电阻也会增大，从而降低信号传输速度。在微型化的字线结构中，钼的电阻可以低于钨，从而实现更快的信号传输。这意味着可以提高数据的写入和擦除速度。尤其值得注意的是，钨需要在填充前铺设一层阻挡辅助层。由于这层辅助层需要铺设在每一层上，因此会造成厚度损失。而钼无需辅助层即可直接填充，从而可以提高密度。 

该工艺难度很高。钼前驱体在室温下呈固态。需要采用特殊技术将其加热到高温，并以恒定的量和速率供应。 

三星电子已将钼应用于金属布线工艺，并于2024年4月开始量产286层第九代3D NAND闪存。下一代第十代3D NAND闪存拥有超过400层，目前正在为今年下半年的商业化做准备。钼在制造工艺中的应用也在不断扩展。 

三星电子采用Lam Research的设备进行钼沉积。SK海力士在考察了Lam Research和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了TEL的设备。Lam Research的设备采用单片晶圆处理方法，逐片处理晶圆。TEL的设备采用炉式处理方法，一次可沉积约100片晶圆。炉式处理方法在设备价格、安装面积和钼用量方面都更具优势。

据报道，液化空气集团、英特格瑞斯和默克公司将向SK海力士供应钼材料。在韩国国内企业中，SK Specialty也被提及为潜在供应商。然而，SK Specialty本身并不具备仓储和供应设施。据悉，双方正在商讨SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来供应钼材料的方案。SK海力士方面也积极推动两家公司之间的合作。 

钼在3D NAND闪存中的应用预计将快速增长。据业内估计，三星电子去年采购或将采购约4吨钼，今年将采购约10吨。预计到2027年将增至25吨，2028年增至40吨，2029年增至60吨，2030年增至80吨。SK海力士将于明年开始大规模使用钼，预计其初期年用量也约为4吨。

另一位业内人士解释说：“与DRAM不同，NAND行业仍然是以盈利能力而非产量为驱动力。”他补充道：“SK海力士也选择了一条提高比特生产率和降低成本的道路，即减少现有低层NAND的产量，增加375层NAND的产能，而不是扩大新的产能。”