韩国两大存储半导体公司三星电子和SK海力士正集中投资建设下一代生产设施，以扩大产能。此举旨在应对人工智能基础设施投资增加所推动的高带宽内存（HBM）和低功耗动态随机存取存储器（LPDDR）需求激增。
据业内人士6月10日透露，三星电子已将平泽园区5号线（P5）的开工日期提前至今年7月，并计划于明年第三季度竣工。一些观察人士推测，通过缩短工期，竣工日期甚至可能提前至明年5月。
P5是三星电子在平泽的最后一个园区，集中了其半导体生产线。P5的建设原计划于2024年启动，但由于当时半导体市场状况恶化而暂停；不过，该公司最近决定提前六个月，于明年年初开工建设。该项目预计将采用DRAM和NAND闪存的混合配置，共三层楼，分六个阶段建设。
SK海力士也在加速推进其龙仁半导体集群1号线（Y1）的投资。该公司计划于明年第一季度完成建设，比原计划提前约三个月，并计划通过分阶段运营，在年底前实现每月30万片晶圆的DRAM产能。Y1预计也将分三个阶段建设，共三层楼。
两家公司竞相投资下一代存储器产能的原因在于人工智能基础设施推动了需求的增长。随着推理市场的扩张，对高性能HBM的需求达到顶峰，而通用和高性能DRAM的供应短缺导致价格飙升。因此，全球超大规模和无晶圆厂公司对用于系统内存的LPDDR5X以及HBM3E（第五代）和HBM4（第六代）的需求显著增长。
内存半导体市场近期长期协议 (LTA) 的扩张也产生了影响。谷歌、微软和亚马逊网络服务 (AWS) 已制定长期计划，以确保其专有芯片所需的 LPDDR DRAM 和 HBM 内存供应。此外，英伟达将于今年下半年推出其新的 GPU 平台 Vera Rubin，这也需要 HBM4 内存的供应。而且，随着产品细分化程度的加深——例如，定制的 HBM 和基于 LPDDR 的模块将与大型科技公司的专有 AI 芯片相结合——确保无缝供应成为首要目标。
半导体行业预计，在两家公司进行这些投资之后，内存半导体的“超级周期”将持续较长时间。这一展望基于这样的预期：由于需求预计将长期保持稳定，与过去需求周期波动剧烈的情况不同，已投资的存储器工厂更有可能按照计划长期保持高开工率。
另一个利好因素是，此前长期投资延期的现有存储器工厂的建设目前已进入收尾阶段。三星电子的P4二期和四期项目在过去两年中经历了多次停工和复工，目前已进入建设的最后阶段，并计划于明年全面投产。SK海力士清州M15X工厂四期的建设和设备安装也已完成，并正在推进产能提升。
HBM封装生产线也是投资目标之一。三星电子正在考虑在其后端加工中心温阳园区附近的新址扩建半导体生产基地，同时也在响应政府要求，审查在光州等地建设新园区的计划。然而，关于在光州建立新园区一事，该公司表示“尚未收到任何消息”。
SK海力士近期敲定了清州P&T6生产线的设备订单，并计划引进相关设施。与此同时，该公司已开始建设新的P&T7生产线，并计划于明年某个时候全面投产。一位半导体行业人士表示：“与过去因存储器市场行情恶化而导致生产屡次停工的情况不同，目前市场需求依然强劲，存储器厂商的投资计划也日趋明朗。随着存储器像系统半导体一样日益多元化，我们预计一个与以往不同的‘超级周期’将会持续。”
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