SK海力士12层HBM4E已送样

SK海力士12层HBM4E已送样图1

SK海力士于6月18日宣布，已向重点客户交付了其新一代超高性能DRAM产品“HBM4E”的12层样品。

SK海力士解释道：“基于我们积累的先进HBM开发能力和生产经验，我们得以向客户提供HBM4E 12层样品。”并补充道：“我们将与重点客户紧密合作，确保该产品在适当的时候实现全面量产。”

与上一代产品HBM4相比，这款新产品在性能和能效方面均提升到了新的高度。其单通道（引脚）数据处理速度高达16Gbps，能效提升超过20%，显著增强了AI学习和推理所需的关键数据处理性能。此外，HBM4E 通过最新的接口和计算机设计优化，降低了数据传输延迟，即使在高带宽、海量数据交换的环境下也能稳定运行。该公司预计，这将显著提升下一代 AI 数据中心和大规模计算系统的处理效率。

SK 海力士将“先进 MR-MUF*”工艺应用于 HBM4E，实现了 48GB 的高容量，同时采用 12 层堆叠芯片，并增强了结构稳定性。特别是，与上一代产品 (HBM4) 相比，半导体运行过程中产生的热阻降低了约 17%，确保即使在高性能计算环境下，内存也能稳定运行，不会过热。

※ MR-MUF（回流注塑成型底部填充）：一种将液态保护材料注入堆叠半导体芯片之间的空间并使其固化，从而保护芯片间电路的工艺。

SK海力士通过改进的MR-MUF工艺，实现了48GB的12层堆叠容量，并提升了结构稳定性。

SK海力士凭借从HBM3到HBM3E再到HBM4的量产和供应经验，一直致力于提供满足客户需求的定制化内存解决方案。在现有产品线所确保的质量和供应稳定性基础上，该公司计划通过HBM4E解决人工智能系统瓶颈，并支持下一代基础设施的建设。

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总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。

在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。

同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。

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