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据悉，SK海力士已向主要合作伙伴分享了计划在2030至2031年间将DRAM晶圆生产能力提升至目前两倍的方案。值得一提的是，SK海力士这一中长期扩产计划的制定时间，早于英伟达首席执行官黄仁勋在台北电脑展现场，在SK海力士的DRAM晶圆上写下“请多生产一些”。
业界消息称，SK海力士采购部门及龙仁半导体集群负责人等，早在两个月前就已向主要合作企业通报了截至2030年以晶圆投入量为基准扩大生产规模的计划。
核心内容是将目前每月约55万片的DRAM晶圆投入能力提升至2030年左右的100万片。其中，55万片已包含中国无锡工厂的产量（约20万片）。此次扩产将集中于龙仁半导体集群。SK海力士计划将龙仁一期厂房划分为6个洁净室，从2027年2月起开始向第一个洁净室（第一阶段）导入设备，经过设备安装调试后，先新增6万片产能，之后每六个月依次在下一个洁净室增加6万片产能。若按此计划推进，仅龙仁一期厂房到2030年上半年就将新增月产36万片的DRAM产能。
目前，清州M15X工厂也在扩建中。M15X预计于今年下半年以每月4万片的产能开始运行，到明年将具备约每月8万片的生产能力。加上龙仁现有的36万片以及M15X新增的8万片产能，SK海力士在2030年至2031年期间的DRAM晶圆投入能力预计将达每月约100万片。
SK海力士去年2月在介绍龙仁投资计划时曾表示，第一期工厂将由两个主体结构和六个洁净室组成。设备首批入场时间也从原定的2027年5月提前至2月。此前公司虽已公开了投资金额和建筑结构，但此次是首次披露各洁净室的生产产品、规模及扩建速度。根据目前规划，新增扩建项目全部为DRAM。而NAND闪存方面，公司计划主要推进产能扩大等技术升级措施。
一位设备行业相关人士解释说：“这不就是让我们做好准备，要快速、大量增加吗？”
SK集团会长崔泰源在2026年台北国际电脑展现场表示“将全力在五年内使整体晶圆生产能力翻倍”，这一表态与上述计划相吻合。他还表示，SK集团需要在中国台湾地区建立更多的合作伙伴关系，而不仅仅是与全球最大的芯片代工厂台积电合作。
不过，由于计划过于激进，合作企业普遍持谨慎观望态度。2022年，SK海力士向合作企业发送了次年的设备投资指南，但同年秋天却大幅削减了订单量。一些合作企业原本信赖该指南并提前采购了零部件，结果现金流受到严重冲击。此外，每六个月完成一个洁净室的进度安排，一旦某种设备延迟到货，就可能导致整个计划出现延误。
一位合作企业相关人士表示：“短期内投资增加是确定的，这将对设备和材料行业带来重大利好。但整体计划能否实现，还需市场的需求支撑。”其态度较为谨慎。
不过，此次扩建计划因集团会长亲自阐明了整体构想，因此被普遍认为比以往更具分量。此前，崔会长在2026年台北国际电脑展上表示：“价格突然上涨或急剧飙升可能损害整体的可持续性，为了整个生态系统，可持续性更为重要。” 业内认为，这番言论表明他将不为短期价格波动所动摇，坚持推进扩产的决心。
值得一提的是，英伟达首席执行官黄仁勋今天正式开启韩国访问行程，他透露三大存储芯片制造商已通过认证，可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。这一决定意味着，SK海力士、三星电子和美光科技即将开始大规模生产和供应HBM4芯片。
