三星电机，发力硅电容

三星电机正与多家全球大型科技公司洽谈，为其人工智能（AI）服务器供应硅电容器（Si-Cap）。继日本村田制作所和台湾台积电之后，三星电机正迅速崛起为主要供应商之一。

11日，三星电机在首尔中区太平路大厦举办了一场技术学习会，分享硅电容器技术及商业化方向。三星电机硅电容器开发组组长金元基表示：“全球知名的科技巨头都在考虑采用硅电容器。”他还补充道：“由于市场目前由少数几家公司主导，三星电机也在积极开展销售活动。”

硅电容器市场由日本村田制作所和台湾台积电主导。由于该行业需要同时具备半导体晶圆加工和被动元件制造能力，因此准入门槛很高。供应商数量也有限。三星电机总裁张德铉正将硅电容器作为核心增长业务加以发展，以瞄准人工智能市场。

该公司去年开始全面进军市场，并开始向客户供货。其产品供应对象包括定制专用集成电路 (ASIC) 领域的领导者 Marvell，用于人工智能加速器；以及三星电子的 Exynos 2600 移动应用处理器 (AP) 封装。近期，该公司与一家全球大型科技公司签订了一份价值 1.5 万亿韩元的供货合同，这是三星电机迄今为止最大的单笔合同。预计相关收入将于 2027 年开始计入公司财报。

三星电机提出了一项融合硅电容器、多层陶瓷电容器 (MLCC) 和封装基板业务的整体解决方案战略，以此作为其差异化优势。硅电容器安装在封装基板内部或相邻区域。通过同时供应这两种产品，三星电机能够同步设计和优化封装及元件。三星电机是唯一一家同时运营被动元件和封装基板业务的公司。

三星电子没有建设大规模生产设施，而是采取了以设计为中心的战略。它采用无晶圆厂模式，将晶圆生产外包给代工厂，将元器件制造外包给OSAT公司。三星电机负责产品设计、测试和质量验证。位于水原工厂的元器件事业部下属的一个机构负责硅电容器的设计。

三星电机的硅电容器采用 300 毫米（mm）晶圆制造。

硅电容器是由硅晶片制成的被动元件。它们可以暂时存储电能，并在需要时释放电能，以维持半导体封装内部电压的稳定。传统的多层陶瓷电容器（MLCC）通过堆叠多层陶瓷来实现电容，而硅电容器则是通过在晶片上钻微孔来放置电极。这使得硅电容器的厚度可以减小到100微米（µm）甚至更薄。

三星电机公司从DRAM技术中汲取了商业理念。DRAM利用单元内部的电容器来存储数据。三星电机公司通过将这种结构中的电容器部分发展成一个独立的元件，从而开发出了硅电容器。在缩小DRAM电路线宽的过程中积累的微处理技术也被完全应用于硅电容器的开发。硅电容器的电容值可以通过在晶圆上形成更多的微孔来实现。

各竞争对手的硅电容器技术存在差异。三星电机采用基于DRAM的结构，而台积电则以基于逻辑工艺的沟槽结构而闻名。三星电机大规模生产基于300mm晶圆的产品，这些晶圆主要用于存储器半导体。

三星电机预测，硅电容器市场将以超过18%的年均增长率增长。其应用范围正从以移动设备为中心的领域扩展到人工智能服务器、汽车电子、航空航天和光通信等领域。尤其值得一提的是，随着功率密度的提高和封装集成技术的日益成熟，人工智能服务器正成为最大的需求来源。

“随着半导体性能的提升，电源稳定性的重要性也日益凸显，”金组长表示，“硅电容器的应用范围将在人工智能服务器和下一代高性能半导体市场持续扩大。”

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