AMD 已将高带宽内存 (HBM) 置于核心地位，将其视为提升下一代人工智能 (AI) 半导体性能的关键支柱。该公司计划在每次发布新产品时，都将不断提升内存容量和速度以及计算能力作为其下一代 AI 加速器产品战略的核心。
当地时间7月22 日，AMD 在加利福尼亚州旧金山 Moscone West 举办的年度活动“AMD Advancing AI 2026”上发布了其新款 AI 加速器“Instinct MI455X”。活动期间，AMD 数据中心 GPU 业务部门副总裁 Andrew Dickman 介绍了新的产品路线图，并表示：“每一代产品不仅在计算能力方面，而且在内存领域也取得了新的进展。
从 MI455X 开始，强化内存的趋势愈发明显。通过将最新的 HBM4（第六代 HBM）内存堆叠成 12 层，该芯片实现了单芯片 432 GB 的存储容量和每秒 23.3 TB 的数据处理速度（带宽）。与上一代产品 MI355X（采用 8 层 HBM3E（第五代 HBM）内存堆叠，容量为 288 GB）相比，容量提升了 1.5 倍，速度提升了 2.9 倍。
Andrew Dickman 解释说，速度的提升并非仅仅源于时钟频率的提高。他指出：“关键在于将内存层数从 8 层增加到 12 层，并将连接内存和芯片的通道宽度从现有的 1024 位增加到 2048 位。”这意味着，除了计算能力相比上一代产品提升了高达四倍之外，内存方面也取得了显著的独立改进。
为了充分发挥内存性能，MI455X 还优化了与中央处理器 (CPU)（服务器的大脑）的连接方式。与之搭配的 CPU 是第六代 AMD 服务器处理器 (EPYC)，它通过一条专用通道直接连接 GPU 和 CPU，传输速度高达 256GB/s，使 CPU 能够无延迟地访问 GPU 内存。他解释说：“通过这种设计，我们减少了数据交换造成的瓶颈，确保内存增强效果能够直接转化为系统整体性能。”
内存扩展效果也延伸到了“Helios”系统。该系统将多个 AI 芯片集成到单个机架（服务器机柜）中。基于最多可容纳 72 个 MI455X 芯片的 Helios 机架，总 HBM4 容量可达 31TB，内存带宽可达 1.7PB/s。本质上，这是一种将单芯片级内存增强扩展到机架级的架构。
一位在现场接受采访的AMD高管解释说：“三星电子将为MI455X提供大部分HBM4内存。” 据悉，三星电子正在准备一款容量为36GB的HBM4产品，该产品采用12层堆叠式内存结构，与上一代HBM3E相比，数据传输速度显著提升。
该高管解释说，由于AMD和三星电子一直在合作提升内存容量和带宽，预计双方在下一代产品HBM4E（第七代HBM）阶段的合作将更加紧密。据悉，HBM4E的研发工作正在进行中，目标是实现16层堆叠结构，容量达到60GB左右，带宽达到数十TB/s。
与此同时，AMD和三星电子于今年3月在三星电子平泽工厂签署了一份谅解备忘录（MOU），旨在扩大在包括HBM4在内的下一代内存领域的合作。当时三星电子发布的HBM4产品采用12层堆叠结构，使用10纳米工艺（1c），每个鳍片的最大传输速度可达13Gbps，每个堆叠的带宽据称高达3.3TB/s。
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