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日本存储芯片制造商铠侠控股公司正努力在增长和产能过剩之间找到一条狭窄的道路,因此该公司正在抵制增加资本支出的冲动。
“虽然我们预计现金流强劲,但这并不意味着我们会大幅放缓投资步伐,”铠侠首席战略官矢口纯一郎在本月的一次投资者简报会上回答分析师提问时表示。“我们将在适当的范围内进行投资,同时也会考虑到对行业的影响。”
随着人工智能处理的数据量激增,铠侠的核心业务——NAND闪存的需求也随之飙升。NAND闪存主要用于长期数据存储。
据市场研究公司 TechInsights 预测,2025 年至 2028 年,NAND 市场将以平均每年 22% 的速度增长。
特别是,数据中心用 NAND 闪存预计将增长 46%,而 PC 和智能手机用 NAND 闪存的增长率为 8%。
据台湾市场研究公司TrendForce预测,NAND闪存价格正飙升,预计今年4月至6月当季将比前三个月上涨超过70%。这一涨幅远超用于短期存储的DRAM闪存价格约60%的涨幅。
由于韩国三星电子和SK海力士优先发展高带宽内存(一种堆叠DRAM芯片的尖端人工智能产品),NAND闪存的供应前景似乎较为紧张。
根据分析师预测的 QUICK Consensus 平均值,铠侠 (Kioxia) 截至 2029 年 3 月的财年营业利润预计将超过 10 万亿日元(623 亿美元),这将是刚刚结束的财年业绩的约 12 倍。
然而,铠侠的资本支出目标仍然较为保守。该公司计划在截至2029年3月的三年期间,平均每年投资4700亿日元——比截至2023年3月的财年创下的5104亿日元的历史最高纪录低约10%。
近期计划包括投资日本北部北上工厂,该工厂的洁净室有空余空间。
根据市场对铠侠营收的预测,计划资本支出占营收的比例为3%至5%。这低于公司设定的低于20%的目标,也低于上一财年的12%。
尽管目前内存需求旺盛,但该行业几年前曾经历过一段低迷期。新冠疫情期间,居家办公需求激增,个人电脑和智能手机销量也随之飙升。为了满足这波需求,内存制造商纷纷推出产品,导致库存积压。
2022年10月,铠侠(Kioxia)投资约1万亿日元,扩建其位于日本西部四日市的工厂,用于生产NAND闪存。但该公司盈利大幅下滑,截至2023年12月已连续五个季度出现净亏损。SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)等同行也同样陷入亏损。
铠侠宣布计划提高股东回报,而不是冒险通过投入资金扩大产能来扰乱有利的市场环境。
其股价反映了盈利波动的风险。截至周二,在东京上市的铠侠(Kioxia)的市盈率超过10倍,低于芯片工具制造商东京电子(Tokyo Electron)和爱德万测试(Advantest)的40倍左右的市盈率。
今年以来,铠侠的股价已上涨九倍,而三星和SK海力士的涨幅约为三倍,这主要得益于其短期盈利前景的上调。铠侠要想进一步提高市盈率,就必须证明其盈利增长势头能够持续。
关键在于长期协议(LTA)。与企业客户的合同传统上都是以单一财政年度为期限,但近年来多年期合同的数量有所增加。
“到 2028 年,LTA 将占我们出货量的 50% 左右,”铠侠总裁太田博夫表示。
Ota补充说,一些超大规模数据中心客户希望签订2029年及以后的长期合同。
但一位长期关注半导体市场的人士表示,“根据过去的经验,谈论长期协议往往表明市场已经达到顶峰。”
这位人士表示,当存储芯片制造商提高产量时,市场很容易出现供应过剩。即使铠侠谨慎增产,竞争对手仍有可能抢先一步,大幅提高产量。
*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4440内容,欢迎关注。
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