英特尔展示最新制程节点进展，预告未来技术走向

在2026年超大规模集成电路国际研讨会上，英特尔代工详细介绍了其制程路线图的最新推进情况以及面向未来的多项技术创新成果。

作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，Intel 18A-P现已按计划进入风险试产阶段，时间表与去年向客户和合作伙伴所作承诺保持一致。得益于晶体管、互连与设计技术的协同优化，该节点在性能、功耗及设计灵活性方面均展现出显著优势。

根据英特尔代工工程师在会上的技术分享，与基础版Intel 18A相比，Intel 18A-P在同等功耗条件下性能可提升9%，或在同等性能下功耗降低18%，同时具备更优的热特性与更高的芯片设计灵活度。该版本新增了名为Power Boost的能效增强技术，这是一项双接触、低电阻晶体管方案，能够在不增加电容的前提下提升驱动电流，支持更高运行频率。

此外，通过材料和设计层面的创新，热阻降低了20%至40%；借助几何与材料优化，芯片各层间垂直连接的过孔电阻降低了10%至30%。应变工程的应用则有效提升了PMOS的载流子迁移率，使电流通过晶体管时更为高效。

在晶体管选项方面，Intel 18A-P新增了低功耗与高性能两类选择，并在超低阈值电压和低阈值电压之间增设了第五组逻辑阈值电压选项，为芯片设计人员在速度与功耗的平衡上提供了更精细的调控手段。值得强调的是，该增强版本与Intel 18A在整体设计规则上完全兼容，现有知识产权模块与设计流程可便捷复用，两者的接触栅极间距均为50纳米，并提供180纳米和160纳米两种单元高度选项。

在全环绕栅极晶体管与背面供电技术方面，英特尔代工已借助Intel 18A制程节点将这两项关键技术推向市场。在本次研讨会上，英特尔代工副总裁兼院士Eric Karl展示了如何量化背面供电与GAA晶体管所带来的收益，指出相较于传统正面互连方案，这两项技术可使布线面积减少11%，动态压降幅度缩小达10倍，进而实现最高6%的频率提升或超过15%的动态功耗降低。

英特尔代工硅片与平台工程团队的Manju Shamanna则分享了基于该技术组合制造的CPU核心硅片测试结果，研究表明在约0.5伏的低电压条件下，频率可提升约30%，同时内阻压降明显减少，运行效率显著提高。

面向更长远的技术演进，英特尔代工还介绍了多个对未来芯片微缩至关重要的前沿研究领域。在互补场效应晶体管方面，英特尔展示了单片式CFET反相器，其NMOS与PMOS器件以垂直堆叠方式排列，栅极间距仅为45纳米，这种垂直架构为在GAA晶体管之后继续推进逻辑微缩开辟了新的路径。

在电源管理领域，英特尔展示了在300毫米晶圆上实现的氮化镓与硅基逻辑的单片集成技术，将氮化镓功率器件与包含约1000个逻辑门的数字控制模块整合于同一工艺平台，使高效大规模数字控制与高性能功率器件协同工作，同时降低了系统复杂性。

在互连材料方面，英特尔展示了采用空气间隙集成的减成法钌互连技术，与传统的铜互连相比，电容降低高达约35%，并带来显著的频率提升，为随着互连尺寸持续缩小而改善电阻电容指标提供了可行的技术方向。