SiC，增长惊人

根据法国市场研究公司Yole Group（以下简称Yole）的最新预测，碳化硅（SiC）功率器件市场预计将从2025年到2031年以20%的复合年增长率（CAGR）增长，到2031年达到110亿美元。800V架构电动汽车（EV）的日益普及预计将推动这一增长。

Yole 于 2026 年 6 月 15 日宣布，已发布其年度报告《2026 年功率 SiC – 市场和应用》（该报告最初于同年 5 月发布）。

从应用领域的市场预测来看，电动汽车（xEV）预计仍将占据市场的大部分份额，从2025年的21亿美元增长到2031年的68亿美元，复合年增长率（CAGR）为21%。Yole解释说：“尽管电动汽车需求在2024年和2025年暂时放缓，但汽车市场正在进入新的增长阶段。”纯电动汽车（BEV）仍然是SiC的主要增长引擎，该公司认为，采用800V架构（SiC含量更高）的纯电动汽车的日益普及是其增长的主要驱动力。该公司预测，到2031年，800V平台将占全球电动汽车出货量的一半左右。

第二大市场是太阳能发电和储能系统（ESS），预计将从2025年的8亿美元增长到23亿美元，年复合增长率达18%。碳化硅（SiC）的高效率和高可靠性有望提高可再生能源并网效率和电力转换效率。另一方面，由于成本和可靠性之间的权衡，风力发电领域的应用预计进展相对缓慢。

尽管上述两大领域仍是市场的主要驱动力，但Yole指出，人工智能基础设施的扩展也为碳化硅市场带来了巨大的增长机遇。这是因为生成式人工智能的普及导致数据中心的能耗激增，从而增加了对高效电源转换技术的需求。预计功率因数校正（PFC）和电源系统市场规模将从2025年的3亿美元增长到2031年的7亿美元，复合年增长率（CAGR）为17%。

其背景是人工智能数据中心电源架构的变革。Yole预测，目前占主导地位的48-54V机架式电源将转向采用三相高压直流（HVDC）的侧挂式电源机架，并进一步发展到800VDC/±400V级别的架构。

从技术角度来看，向200毫米（8英寸）晶圆的过渡正在加速。Wolfspeed、英飞凌科技（以下简称英飞凌）和博世已开始全面生产200毫米晶圆器件，预计未来将有更多厂商效仿。此外，晶圆减薄和激光切割等制造技术也在不断进步，有望提高良率并降低成本。同时，300毫米（12英寸）晶圆的初步研发工作也已启动，中国企业如SICC已展示了300毫米碳化硅晶圆。

在器件技术领域，沟槽式碳化硅（SiC）MOSFET 的应用范围正在扩大，而平面结构器件的性能也在不断提升。此外，面向高压应用的超结（SJ）SiC MOSFET 的商业化进程也即将到来，英飞凌计划于 2027 年推出该产品。Yole 还指出，高压器件市场的竞争日趋激烈，Wolfspeed、InventChip、Navitas Semiconductor 和 Coherent 等公司都宣布将于 2026 年推出 10kV 级器件和原型产品。