三星NAND路线图

随着AI算力爆发，大数据存储需求持续暴涨，市场对大容量固态硬盘（SSD）的需求持续攀升。

SSD正朝着更大容量、更高密度、更低成本的方向全速迈进。三星目标2030年实现560层以上NAND方案，随后继续推进翻番在3D NAND闪存领域，芯片堆叠层数是决定存储容量与密度的核心关键。

相较于传统平面闪存，更高的堆叠层数，能在不扩大芯片体积的前提下，大幅提升单颗芯片的存储容量，完美适配当下AI数据中心、云端存储、高端消费电子的大容量刚需。

据外媒报道，三星近期公布了其超高层NAND闪存规划路线图：

2029年：实现420层NAND闪存解决方案；2030年：实现560层以上超高密度NAND方案；

下一个十年初：完成技术跨越式突破，将NAND堆叠层数翻倍，突破1000层门槛。

近日，三星展示了其900层级NAND闪存解决方案，该方案使用单元多键合（CMB）技术将两个450层NAND结构组合在一个封装内，实现层数倍增。业内人士估计，采用这种解决方案，原本8TB的QLC SSD，其存储容量最高可扩展至32TB，极大提升单盘存储密度。

CMB结构的形式为：首先使用混合铜键合（HCB：hybrid copper bonding）将一个单元晶圆连接到外围晶圆上，这是目前典型的V NAND键合结构；然后将另一个单元晶圆依次键合到HCB上。计划引入先进技术攻克量产难题超高层数堆叠看似简单，实则对制造工艺提出了极致考验。随着NAND层数不断翻倍，晶圆翘曲、层间对准误差等难题会持续放大，易导致芯片良率下降、稳定性不足。

据悉，三星计划布局针对性解决方案，全力扫清技术落地障碍：一方面，引入上卡盘设计（Upper Chuck Design）方案，精准控制晶圆形变，从源头改善超高堆叠工艺下的晶圆翘曲问题，保障芯片生产平整度；另一方面，搭载叠对校正（Overlay Correction）技术，精准修正多层堆叠过程中的层间错位误差，大幅提升超高层数NAND芯片的良品率与运行稳定性。