传统芯片尺寸缩小取得里程碑式突破。作者 | ZeR0编辑 | 漠影芯东西6月25日报道，今日，IBM推出全球首款小于1nm的芯片技术，制程节点为0.7nm（7埃米），在指甲盖大小的芯片上集成了近1000亿颗晶体管，密度几乎是IBM于2021年发布的2nm芯片的两倍。技术结果报告称，相比IBM 2nm节点芯片，这款新芯片预计将性能提升达50%，能效比提升70%。这项技术得益于一系列结构和材料创新。IBM研究人员开发了一种全新的晶体管架构，称为纳米堆叠（Nanostack），这是业界首个已知的基于纳米片（nanosheet）的3D设计。它表明即使芯片特征接近原子尺寸，性能和效率的持续提升仍然成为可能。纳米堆叠技术的设计采用垂直堆叠和交错排列晶体管的方式，利用3D顺序集成技术在芯片上集成更多晶体管。该设计还允许在每个堆叠层中使用不同的材料组合，从而独立优化每个晶体管的性能和能效。IBM纳米堆叠架构通过CMOS集成中的超薄介质键合、双通道工程能力演示以及具有预期开关性能的功能性CMOS逆变器运行，得到了实验验证。这些结果共同证实了纳米堆叠技术可以实际构建并支持真正的计算。此外，在VLSI 2026上发表的新研究中，IBM研究人员证明，纳米堆叠架构可将SRAM的容量降低40%，从而释放芯片设计人员创造更高效芯片的能力，同时还能支持高级AI工作负载的高带宽数据需求。借助这种新型纳米堆叠架构，IBM的半导体路线图预测未来至少十年内仍可实现微缩。IBM及其合作伙伴在位于美国一家领先的半导体研究机构开展这项工作。该机构即将配备一台High-NA EUV光刻机，这对未来逻辑电路的微缩至关重要。IBM及其合作伙伴，包括Lam Research、东京电子和SCREEN Semiconductor Solutions，一直在共同开发新型High-NA EUV工艺和设备，已成功制造出可用的器件。近期IBM还宣布了一项计划，拟成立一家独立运营的公司Anderon，这是全球首家纯粹的量子晶圆代工厂，将依托IBM业界领先的量子计算和半导体技术。IBM预计纳米堆叠技术最早将在1nm以下节点得到应用，并认为最早在未来5年内即可实现量产。
