存储巨头Q2利润将暴涨1765%

存储巨头Q2利润将暴涨1765%图1

得益于内存价格飙升，三星电子[005930]预计今年第二季度末将实现营业利润在80万亿韩元左右。

分析认为，半导体部门引领公司业绩改善，DRAM和NAND闪存的平均售价(ASP)同时大幅上涨。

6月28日，韩联社Infomax整理了15家提交三星电子近一个月业绩预测的券商的预测结果发现，三星电子第二季度合并销售额预计为1738876亿韩元，较去年同期增长133%。

营业利润共识预计为87.1925万亿韩元（3863亿元人民币），较去年同期大幅增长1765%。

考虑到三星电子去年第二季度的营业利润仅为4万亿韩元左右，这是短短一年内利润的大幅增长。

这种性能前景的关键是内存价格。由于AI服务器投资增加以及高性能计算需求增加，需求不仅扩展到HBM，还扩展到通用DRAM、服务器DRAM、LPDDR和NAND，一系列分析表明价格涨幅超出预期。

不过，根据DS部门特别绩效奖金规定的反映方法，证券公司的预测从后期的70万亿韩元到初期的90万亿韩元不等。

性能预测之所以上涨这么快，是因为内存价格大幅上涨。

证券公司估计，三星电子第二季度的DRAM和NAND ASP较上一季度增长约40-60%。

Eugene Investment & Securities 报告称，通用 DRAM 和 NAND 平均售价较上一季度分别增长 49% 和 50%。

尤金投资证券公司估计，由于“积极的价格谈判”，三星电子的 DRAM 价格涨幅高于竞争对手。 Daol Investment & Securities 还预测 DRAM ASP 将上涨 50%，NAND ASP 将上涨 60%，BNK Investment & Securities 也预计 DRAM 和 NAND ASP 将分别上涨 43% 和 47%。

韩亚证券研究员 Kim Rok-ho 解释说：“我们正在向上调整价格假设，因为 DRAM 的平均售价预计将超过最初的估计。”他补充说：“随着服务器和PC DRAM价格趋势的稳固，LPDDR价格的涨幅被认为大大超出了预期。”

分析认为，由于AI服务器投资增加以及高性能计算需求增加，不仅HBM，通用DRAM、服务器DRAM、LPDDR和NAND需求扩大，价格涨幅大于预期。

然而，绩效奖金拨备是第二季度业绩的一个变量。

BNK投资证券公布的第二季度营业利润为77.7万亿韩元，考虑到追溯反映DS部门特别绩效奖金的可能性。

BNK投资证券研究员李敏熙表示：“DS部门的特别绩效奖金预计将反映本季度商定的第一季度和第二季度营业利润的10.5%（预计14.9万亿韩元）。”

韩亚证券还解释称，从本次业绩预测开始，DS部门第2至第4季度营业利润的10%将反映为业绩奖金拨备。

按业务部门划分，设备解决方案（DS、半导体）部门预计将占大部分利润。

BNK投资证券预计，第二季度DS各业务部门的营业利润为75.3万亿韩元，三星显示器(SDC)为5000亿韩元，设备体验(DX)为1.5万亿韩元，哈曼为4000亿韩元。

即使在DS内部，存储器营业利润预计也将达到77万亿韩元，而非存储器业务预计将出现1.7万亿韩元的赤字。

Daol Investment & Securities 预计 DS 第二季度营业利润为 91.2 万亿韩元，DX 为 1.2 万亿韩元，SDC 为 5,000 亿韩元，Harman 为 4,000 亿韩元。

内存领域分析称，由于DRAM、NAND涨价效应充分体现，利润率显着改善。另一方面，由于第一季度Galaxy新产品的影响消失以及智能手机出货量季节性放缓，DX部门的利润很可能较上一季度下降。

韩亚证券研究员 Kim Rok-ho 表示：“除了存储半导体之外，由于季节性和成本负担，预计其他业务部门的业绩将较上季度低迷。”

市场注意力更多地集中在下半年的价格谈判和 HBM4 供应可见性，而不是第二季度的表现。

据业内人士透露，三星电子据称自2月12日成为业内首家量产HBM4以来，短短四个月内相关销售额就突破了10亿美元。

还有预测称，如果年底供应量增加，今年（HBM4 推出的第一年）销售额可能会超过 100 亿美元。今年的HBM市场规模预计将达到546亿美元，比上年增长58%，三星电子扩大HBM市场份额的可能性也越来越大。

如果说今年的业绩是受到通用DRAM和NAND价格上涨的推动，那么分析明年HBM4供应的扩大以及HBM价格重新谈判可能会成为业绩进一步提升的因素。

韩亚证券研究员 Kim Rok-ho 表示，“从 2025 年下半年到 2026 年全年，通用 DRAM 一直在推动性能发展”，“HBM 预计将为 2027 年的性能改善做出贡献”。

Eugene Investment & Securities研究员In-Jun Son表示：“HBM价格飙升预计将导致2027年业绩增长”，并补充道，“随着价格上涨和出货量大幅扩张，HBM营业利润预计将从2026年的14万亿韩元扩大到2027年的88.2万亿韩元。

代工和系统LSI等非存储器行业很可能在第二季度继续出现亏损。

虽然DS部门整体利润因内存价格飙升而大幅增长，但预计前端工艺投资成本和业绩奖金负担是非内存盈亏的负担。

BNK投资证券预计第二季度非存储领域的运营亏损为1.7万亿韩元。不过，尽管非内存销售额和盈利能力均在改善，但由于业绩奖金的影响，赤字预计将增加。

下半年之后，HBM4基模和前端代工订单将是关键。

BNK Investment & Securities表示，由于HBM4基模（4nm）内部销售的贡献，该代工厂的盈利能力预计从下半年开始将显着改善。

BNK Investment & Securities研究员Lee Min-hee分析称，这是因为“由于近期2nm良率提升以及台积电产能短缺，与多家海外大型科技公司的订单合同正在进行中”。

Eugene Investment & Securities研究员In-Jun Son也表示：“随着下半年的过去，基于内存供应能力来确保代工客户的可见性将会增加。由于内存和前端代工厂的供应短缺，这将是三星电子供应能力的一个时期，三星电子除了DRAM、HBM和NAND之外，还可以提供包括基础芯片在内的逻辑芯片。”

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