在全球能源结构加速向低碳化转型的背景下，英飞凌持续推动绿色能源关键技术创新。
在本次展会的能源基础设施展区，将重点呈现以下技术亮点：
亮点1：
基于CoolSiC™ 和CoolGaN™的光伏逆变器方案集中展示
围绕高效光伏发电与电能转换应用，英飞凌展示覆盖 500 W 至 10 kW 功率段的多款逆变器参考设计，全面采用 SiC 与 GaN 宽禁带半导体器件。
通过创新拓扑与宽禁带半导体器件协同设计，实现系统效率提升、功率密度优化及整机体积缩减，满足分布式光伏及高效电源系统对性能与可靠性的综合需求。
亮点2：
基于QDPAK 封装的1200V CoolSiC™ JFET 发布
英飞凌正式推出基于 QDPAK 封装的 1200 V CoolSiC™ JFET，该系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。
得益于强大的短路耐受能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。
此外，展会还将展示用于常闭型固态配电应用的 CoolSiC™ JFET 1200 V Cascode评估板，常通型评估板及其配套辅助电源评估方案，便于工程师进行系统级验证与设计参考。
展会期间，英飞凌还将参与同期举办的国际电机驱动技术论坛，分享前沿技术洞察：
该议题将重点探讨以碳化硅为代表的宽禁带半导体，如何在电机驱动系统中实现更高效率、更高功率密度及更优系统性能，助力工业自动化与高效电气化发展。
演讲主题：
《宽禁带半导体技术在电机驱动中的应用》
📅时间：7月2日 11:30-12:00
📍地点：N3馆现场论坛区（N3.379展位）
演讲人
陈立烽
英飞凌科技工业与基础设施业务
大中华区技术市场负责人
演讲内容简介：
本演讲重点介绍以GaN为代表的宽禁带器件在电机驱动中的应用潜力。首先，阐述其相较传统硅基器件在开关速度、损耗及热性能方面的优势；随后，分析其在电机驱动中的价值，包括提升系统效率、提高功率密度及优化体积与重量。结合典型应用实例，展示其在高性能驱动中的实际效果与工程价值，并简要探讨应用中的设计与系统集成挑战，最后展望其发展前景。
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