近日，韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，宣布投入5000亿韩元（约合22.3亿元）国家资金，专项攻关下一代功率半导体技术。据《首尔经济日报》报道，韩国已将功率半导体提升至与存储芯片同等重要的核心战略产业地位。
AI算力的全域爆发正深刻重塑终端应用的需求结构，功率半导体作为比肩存储芯片的战略级核心品类，正跃升为全球科技竞争的新赛道。
据外媒报道，韩国政府计划于今年6月内最终敲定下一代功率半导体的商业化技术路线图，并要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发进程。其中，下一代功率半导体与小型模块化反应堆（SMR）、传感器人工智能并列为确保未来增长引擎的重点项目。
此次攻关聚焦于以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体。韩国产业通商资源部此前已成立专项工作组，着手升级釜山、浦项等地专业园区的晶圆厂产线。
韩国此番大手笔投入，正是瞄准AI发展所带来的产业窗口期，期望依托其在存储芯片领域积累的制造优势，在下一代功率半导体赛道抢占话语权。
韩国功率半导体产业增长势头明显，尤其在SiC和GaN等第三代半导体领域持续加码。三星电子计划于2026年三季度生产SiC功率半导体样品，主要面向车规级和工业级应用，未来还将拓展至沟槽型SiC MOSFET及功率模块等产品。此外，ChipScale等企业聚焦GaN功率半导体量产，现代、起亚等整车企业则通过自研或与供应商合作，积极推动SiC技术在电动汽车中的规模化应用。
功率半导体是电能转换与电路控制的核心器件，广泛应用于电力电子领域。2026年，受AI数据中心算力爆发式增长所驱动的高压、高效供电需求影响，行业迎来密集涨价潮，MOSFET、IGBT等产品价格显著上调。
今年以来，英飞凌、德州仪器等海外厂商率先发布涨价函，国内厂商随后跟进。英飞凌在涨价函中明确指出，AI专用数据中心的大规模部署已导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺。功率半导体作为AI数据中心、新能源汽车及智能电网的关键支撑，在AI算力爆发背景下，数据中心海量电力的稳定高效运行对其高度依赖。
立昂微近期已向合作客户正式发出产品价格调整通知函，宣布功率芯片业务全线产品上调售价，调价政策自2026年6月15日起正式执行，当日及后续出库货物均按新定价结算，涨幅区间为10%至15%。通知函表示，上游硅片等核心原材料价格持续上行，推高了企业整体生产成本。
在本轮AI算力抢占产能的变局之下，新能源汽车行业成为直接承压方，供应链成本、供给双重压力持续加剧，国内车企受到的冲击尤为直观。当前，新能源汽车电控、车载充电机、高压配电单元及热管理等高压系统，均离不开功率芯片支撑。随着800V高压快充车型渗透率不断提升，单车功率芯片搭载价值将持续走高。
算力与车用赛道正形成对功率芯片的产能抢夺，AI算力优先级订单持续分流本就紧缺的车规功率产能。从全球供应链角度看，车用功率芯片供给紧张、成本上行或将成为行业常态，全球汽车行业均需适配全新的芯片供应链成本体系。
集邦咨询（TrendForce）分析师王昊骏对记者表示，由于AI数据中心需求呈现短期内快速爬升的现象，其增速远超全球功率半导体IDM厂按线性逻辑规划的产能，因此IDM厂正将产能优先配置给更具市场关注度、利润率更高的AI数据中心业务，车用领域所分配到的产能将持续受到挤压。其中，中低压MOSFET、IGBT及第三代半导体等车用功率半导体大宗品类，受影响最为显著。除了供给端产能排挤外，地缘因素也推升了相关上游原材料成本。在双重情况下，自2026年二季度起，包括车企在内的多数下游应用企业，已陆续收到IDM厂的调价通知，涨幅普遍为10%～20%，进一步推高了终端产品的生产成本。
谈芯首席分析师王树一认为，AI算力基建爆发对车用功率半导体的影响，本质上是存量成熟制程产能下，高毛利新增需求对传统需求的结构性挤压，并非全品类全面替代，而是在产能分配、价格传导及交付优先级上呈现显著分化。车规功率半导体与AI服务器电源功率器件，高度依赖8英寸成熟制程晶圆产能，12英寸特色工艺产能也存在部分重叠。而全球8英寸晶圆产能正处于收缩通道，因而会在一定程度上出现抢产能的局面。国际头部大厂（如英飞凌、意法半导体、安森美等）的产能有限，而AI服务器电源模块对功率器件的价格容忍度显著高于车企。因此，功率IDM大厂产能分配优先向高毛利、回款周期短的AI数据中心客户倾斜。高端车规级产品（SiC模块、高压主驱IGBT）本身毛利较高，且多为车企长协订单，仍能保住核心产能配额，但交付周期被拉长；中低端车规MOSFET、通用车身功率器件议价能力较弱，产能被AI订单明显挤出，部分中小车企出现拿货困难、配额缩减的情况。
“这种产能挤占现象，叠加晶圆代工、封测环节涨价影响，正在推动功率器件价格上涨，不过目前看来并非车规级产品全线普涨，而是中低端通用车规器件因产能挤出，供给缺口反而更大，涨价弹性更强；高端车规级器件虽有涨价，但供需相对可控，涨幅更多由成本端和上游SiC衬底涨价推动。”王树一对记者说。
相较于传统的硅基半导体，SiC、GaN等第三代半导体材料在耐高压、耐高温及高频环境下性能表现卓越，被视为提升AI数据中心能效、延长电动汽车续驶里程及稳定电网运行的关键器件。当前市场由英飞凌、安森美等国际巨头主导，但国内企业正加速技术追赶，推动本土化替代进程。这不仅是保障供应链安全的选择，更是应对缺货涨价、保障出货的核心策略。
6月11日，芯联集成发布公告，拟与相关方合资建设12英寸车规级数模混合芯片生产线。该项目为公司四期项目，计划总投资约200亿元，建成后月产能将达5万片。公告显示，四期项目核心技术节点覆盖40/28纳米MCU/DSP、90/55纳米BCD/DrMOS，以及55纳米硅光/激光驱动芯片等，产品聚焦车规级与工业控制级应用，覆盖新能源汽车、工业控制、AI服务器电源及光互联等领域。
今年4月，方正微电子发布全新一代车规级SiC MOSFETG3平台系列产品，采用业界领先的最新栅极和薄外延技术，具备高性能、高可靠、高价值的特点。
今年一季度，爱微电子的功率模块产销势头持续向好，销售额环比增长超20%。该公司主要聚焦塑封碳化硅模块细分领域，2025年出货超200万片功率模块，多款产品广泛应用于比亚迪、吉利、广汽、现代起亚等头部车企的车载充电机、空调压缩机、悬挂电控系统等核心部件，并与协众、康普瑞等一线空压机企业达成深度合作。
市场数据显示，MOSFET国产化率从2022年的35.3%快速提升至2026年的64.5%；汽车IGBT国产化率从2021年的31%飙升至2024年的65%～70%；士兰微、比亚迪半导体首次跻身全球功率半导体市占率前10。
“国内车规级功率模组稳健成长，但核心晶片仍以外资企业供应为主。尤其第三代半导体同时面对车用与AI数据中心的迫切需求，国际IDM厂已实现8英寸晶圆稳定量产，良率持续爬升，成本与性能竞争力明显提升。”王昊骏说，整体而言，国产功率半导体在中低端IGBT已站稳脚跟，高端SiC晶片与GaN仍在攻坚；竞争焦点也从模组组装，逐步转向半导体全链路工程及制造能力。
文：赵玲玲 编辑：庞国霞 版式：李沛洋
