2026创新储能技术论坛：AI时代，储能价值重估的机遇

电子发烧友网报道（文/梁浩斌、黄山明）伴随着全球能源转型进入深水区，新兴的电力系统建设也在加速推进当中，目前的储能市场已经从过去的政策驱动迈向经济驱动的高质量发展阶段。2026年7月1日，由电子发烧友网和慕尼黑上海电子展联合举办的2026创新储能技术论坛顺利召开。储能产业链的技术企业，围绕储能前沿议题展开深度探讨，共绘储能产业高质量发展的新蓝图。

电子发烧友网总经理张迎辉在论坛开场致辞中表示，储能赛道情况非常特殊，一方面是市场的持续快速增长，另一方面是很多国家与地区对储能产品的政策不断变化调整，严重影响市场的发展。但与此同时，储能系统产品的出货量、订单、政策框架和产业逻辑都在同步强化。他指出，尤其是AI技术的迅猛发展，让储能从传统的工业配套，向AI产业链核心基建跃迁。储能行业与火热的AI产业结合，与算力结合，走向新的市场化知彼知己之后，将迎来新的价值重估的机遇。

电子发烧友网总经理张迎辉

从芯片元器件的角度来看，这是一个量价齐升、技术迭代加速的产业重构的机会。张迎辉指出，半导体行业中的功率半导体、BMS芯片、控制芯片、隔离器件、高压连接器等产品品类，正从边缘配套走向核心刚需。

本次会议，扬杰科技功率器件事业部总经理施俊带来了主题为“功率半导体器件在储能行业的产品、应用和趋势”的分享。施俊表示，当前储能市场分源网侧、工商业、户储三类，源网侧占国内储能装机九成，工商业增速亮眼，海外户储需求持续扩容。行业呈现大容量电芯、大功率PCS、1500V向2000V直流升级、液冷普及、构网型储能快速增长趋势。

扬杰科技功率器件事业部总经理施俊

根据施俊介绍，储能的不同细分应用，对于功率器件的需求也有所不同。比如户储（＜10kW）以650V Si MOS、SiC二极管为主；工商业（20-250kW）选择650/1200V IGBT搭配SiC混合拓扑，采用NPC三电平方案；大型电站（MW级）用到1200/1700V大功率IGBT模块，ED3、Easy3B封装多并联方案。SiC相较硅器件开关损耗减半，但存在高dv/dt干扰、栅氧可靠性难题，需多重老化筛选保障品质。

作为国内IDM功率半导体龙头，扬杰已覆盖整流、MOS、IGBT、SiC等全品类。其中IGBT迭代至G4微沟槽平台，电流密度提升15%-20%，布局650-1700V全电压单管与模块；SiC覆盖JBS、MOS、MPS全系列，推进车规级产品。长期路线推进高压大电流封装、SiC混合模块；远期SiC成本持续下探，2030年行业渗透率有望达50%，依托完整晶圆、封测产线，为全场景储能PCS提供一站式功率器件方案。

本次会议，德州仪器系统工程师严骏华带来了“TI新一代EIS解决方案，助力探索大容量储能安全监测新界限”主题分享。严骏华介绍到，大容量高压储能电芯能量密度提升，但热惯性大，传统仅靠温度传感器的BMS预警窗口不足5分钟，极易引发热失控火灾爆炸。热失控分四阶段，EIS可捕捉SEI膜分解阶段电芯阻抗变化，比测温提前近26分钟预警，还能修正SOC、测算电芯内部真实温度。

德州仪器系统工程师严骏华

面向这类储能场景，TI推出完整EIS储能监测方案：核心AFE芯片BQ79826Z-Q1单颗支持26串电芯，集成EIS测量引擎，电压精度低于2mV，符合ISO26262车规功能安全标准；搭配TMS320F28P55DSP、高精度电流传感器等构成激励单元，输出可调频幅交流激励信号，经AFE采集电压电流完成阻抗运算。实测该方案0.04Hz-2kHz频段测量精度对标专业设备，幅值变异系数低于0.8%，相位标准差小于0.4°，重复度优异。

方案适配52S/104S主流储能PACK，可复用均衡电路，无需大幅改动电池包结构。TI配套评估板、完整软硬件开发套件、技术手册与线上线下培训，开放底层驱动与算法示例，全方位赋能客户快速落地高安全大容量储能BMS系统。

本次会议，意法半导体通用MCU市场经理韩旭同带来了主题为“STM32在数字能源PCS中应用”的分享。韩旭同介绍到，意法半导体搭建全覆盖STM32MCU矩阵，覆盖入门、通用、高性能、无线、MPU产品线，适配光伏、储能、充电桩、通信电源等数字能源PCS场景。

意法半导体通用MCU市场经理韩旭同

对于数字能源领域，控制核心优选STM32G474与STM32H7系列，其中G474搭载170MHzM4内核，184ps高精度定时器、硬件数学加速器，单芯片可实现PFC+LLC全链路控制，浮点运算性能优于传统DSP；H7最高550MHz单核或M7+M4双核，算力更强，适配50kW光伏逆变器等高功率设备。新增STM32H5采用M33内核，集成TrustZone安全架构，兼顾成本与信息安全。

ST产品配套丰富模拟外设、多路CANFD、以太网等通信接口，支持-40~125℃宽温，具备硬件加密、Class-B功能安全、双BankFlash在线升级能力。ST还提供完整PCS参考方案，含3kW通信电源、30kW直流充电桩、50kW光伏逆变器；针对光伏电弧故障AFCI，配套硬件开发板、NanoEdgeAI与Cube.AI工具链，一站式完成数据采集、模型训练与部署。

同时ST搭建了中文论坛、开源仓库、线下培训等本地化技术支持体系，提供原理图、固件、驱动库全流程开发资源，能够帮助企业降低数字电源PCS研发周期。

会议上，国民技术市场总监杨平带来了主题为“国民技术MCU与BMS产品，驱动光储充安全高效运行”的分享。杨平介绍到，2025年全球光储充市场规模达18.74亿美元，2020至2031年行业复合增速19.6%；储能市场分为发电、电网、用户侧三大板块，工商业储能是核心增量市场。

国民技术市场总监杨平

而面向这些市场，国民技术产品端构建了分层芯片矩阵：高端N32H7系列采用国内ArmCortex-M7多核异构架构，主频最高600MHz，算力强劲，适配光伏逆变器、储能EMS；储能BMS专用N32H47x、DP474、MC471等M4内核车规MCU，240MHz主频，配套NB1802/NBT02电芯采样AFE，支持6-18串电芯监测，全温采样精度优异，具备ASIL-D功能安全、被动均衡能力，兼容集中式、菊花链BMS架构。

整套方案覆盖储能集装箱、直流充电桩、车载OBC、光伏逆变全场景，集成CANFD、EtherCAT、国密硬件加密等外设，满足AEC-Q100车规标准。企业深耕国产芯片研发，承担多项国家级重点专项，拥有完善软硬件生态与本土化技术服务，依托全栈自研芯片优势，为光储充一体化设备提供高可靠、高安全国产化全套控制方案。

瑞萨电子嵌入式处理器事业部高级系统架构师苏勇在此次论坛中带来了“物理AI应用实践：基于瑞萨电子AI工具链实现拉弧检测”的主题分享，苏勇指出，光伏、储能、工业设备易产生电路拉弧隐患，传统检测算法准确率仅约50%，而瑞萨整套AI方案检测精度可达95%以上。

瑞萨电子嵌入式处理器事业部高级系统架构师苏勇

方案依托自研Reality AI Tools工具链，搭配RA6M5 Cortex-M33MCU落地，搭建完整拉弧仿真采集平台，通过500kHz高速ADC采集正常、断路、拉弧三类信号构建均衡数据集。

整套开发流程无需深厚信号分析功底，云端完成模型训练后导出轻量化代码部署至MCU，单次推理仅4.3ms，固件占用16KBFlash、32.5KBRAM，适配光伏、储能、家电等多场景电气安全防护，同时配套完整工程固件、原理图等开发资料，降低嵌入式AI落地门槛。

ADI技术支持工程师金城在论坛上带来了“ADI核心技术在储能系统中的应用与创新实践”的主题分享，面向户用、工商业、电网储能全场景，金城重点展示了ADI第八代BMS芯片组产品矩阵，涵盖从6通道到24通道的完整电芯监控器系列，以及电池堆监控器和isoSPI通信芯片。

ADI技术支持工程师金城

其中，搭载电化学阻抗谱（EIS）技术的ADBMS6840/42/43系列成为亮点——该技术可在电芯起火前53分钟、首次排气前32分钟触发异常预警，实现热失控的早期检测。

在储能市场布局方面，ADI已形成覆盖电力储能、工商业储能、户用储能及数据中心储能的完整解决方案，平台电压扩展至1500V。配套推出的EVAL-ESS1-SYS评估套件支持32芯BMS系统快速搭建，帮助客户加速原型开发。

金城还透露，面向储能系统的ADBMS6842 EIS评估板预计于2026年第四季度上市，将支持280Ah至684Ah等大容量电芯的阻抗测量，进一步巩固ADI在储能BMS领域的技术领先地位。

Littelfuse资深应用工程师张军，为现场观众带来了“光伏储能电路设计中兼顾安全可靠”的主题分享，系统阐述了从电芯到电网全链路的安全防护方案。

Littelfuse资深应用工程师张军

张军指出，储能系统从电芯、模组、机架到集装箱，每个层级都面临过流、过压及热失控风险。Littelfuse提供业界最全面的电路保护产品组合，涵盖501A系列电芯/模组熔断器、PSR/PSX系列1000V/1500V直流高速熔断器，以及TVS二极管、浪涌保护器等器件，实现从住宅到电网级储能的全场景覆盖。

在功率半导体方面，Littelfuse展示了1200V SiC MOSFET SMPD模块、1700V SiC MOSFET及高压晶闸管系列，适用于PCS逆变器与STS并离网切换开关。其中，新型2200V晶闸管CNA110E2200HV凭借140°C结温优势，为静态转换开关提供高电流密度方案。

此外，针对新型级联H桥（CHB）储能架构，Littelfuse推出250V/300V超结MOSFET X3/X4系列，助力实现PCS集成于电池模组的高效率、低成本设计方案。

纳芯微系统应用工程师戴宇峰，在现场带来了《纳芯微隔离+解决方案助力高效、高可靠性光储系统》的主题分享，全面展示了纳芯微在光储领域的全品类芯片布局。

纳芯微系统应用工程师戴宇峰

戴宇峰指出，随着风光装机占比从24%跃升至47%，储能系统正从配套设备升级为电网安全核心。光储系统面临效率极限、高压化绝缘、宽电压范围及构网控制等多重挑战。纳芯微以电容隔离技术IP为核心，构建"隔离+"产品生态，涵盖数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、隔离电源及隔离接口五大品类，累计出货量超9.38亿颗。

在光储逆变器应用中，纳芯微NSI6601x/6602x系列隔离栅极驱动器可适配SiC/IGBT方案，NSI6651/NSI6611智能驱动器支持牵引逆变器与储能系统。霍尔传感器NSM2019、NSM2111系列覆盖PV电流检测、MPPT控制及电池电流检测等场景，精度达1%-2%。此外，15mm爬电距离的光耦仿真器NSI721x专为1500V高压系统设计，满足高海拔地区增强绝缘要求。

戴宇峰强调，纳芯微将持续以“隔离+”理念，为光储充及AI服务器电源等场景提供系统级安全、可靠与高效的一站式解决方案。

电子发烧友网行业分析师黄山明为现场观众分享了“2026储能市场分析及行业发展趋势”，深度剖析储能市场从“规模驱动”向“质量与效益双重驱动”转型的关键趋势。

电子发烧友网行业分析师黄山明

黄山明指出，2025年全球储能电芯出货205.52GWh，同比增长98.7%，但“减速”趋势将延续至2026-2027年。2026年全球新型储能新增装机预计达150-165GW/470-520GWh，市场呈现五大特征：一是容量电价机制落地，独立储能电站可获60-80元/kW·年补贴；二是电力现货市场化加速，山东、广东等省储能套利空间达0.5-0.8元/kWh；三是构网型储能从“可选”变“必选”，对PCS主控芯片提出VSG算法与百kHz级带宽新要求；四是钠离子电池成本降至0.35-0.45元/Wh，宁德时代40GWh产线2026年量产；五是“算电协同”首次写入政府工作报告，驱动储能向毫秒级响应与高倍率放电进化。

企业层面，宁德时代以22%市占率稳居电芯榜首，比亚迪储能首登系统出货量第一。黄山明预判，2026年底电芯前三市场份额将升至65%以上，半导体技术将成为定义储能系统性能的核心变量。并伴随着国内强制配储取消，以及国内容量电价机制改革，叠加海外对储能需求从绿色能源向能源安全必需品的定位变化，储能市场正在经历价值重估。

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