7月3日，铠侠与闪迪联合联盟正式对外宣布，双方协同研发的第十代BiCS FLASH 3D闪存现已开启工程样品交付工作，本次首款送样产品为1Tb TLC闪存芯片，采用332层存储单元堆叠架构，由铠侠位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂专属生产。
官方披露信息显示，BiCS10完整沿用自第八代BiCS FLASH导入的两项核心底层技术，分别为CMOS直接键合到阵列（CBA）、节距选通（OPS），两大架构保障高层堆叠下的存储密度、单元可靠性与功耗控制平衡。
该代产品I/O接口支持Toggle DDR6.0标准，速率最高4800MT/s，存储密度可达29Gb/mm2以上，相较BiCS8提升59%；同时功耗指标优化显著，输出功耗降低34%、读取能效提升30%，输入功耗下降10%、写入能效提升18%，配套兼容SCA、PI-LTT配套协议，面向AI数据中心、企业级高性能SSD市场。
产能布局层面，岩手北上Fab2工厂为铠侠与闪迪合资先进闪存产线，2025年9月完成投产，原厂规划该厂区专门承载高层数3D NAND生产，除BiCS10外，同步兼容BiCS9产品制造；厂房配备适配300mm高层闪存的沉积、刻蚀、键合全套设备，具备CBA双层晶圆键合量产能力，也是铠侠全球唯一可稳定规模化产出332层BiCS FLASH的制造基地。
技术背景资料显示，CBA架构是铠侠BiCS8世代落地的标志性创新，通过存储阵列晶圆与逻辑CMOS晶圆分开制造后键合，突破传统单片晶圆布线限制，大幅提升堆叠层数上限；搭配OPS节距选通技术缩小单元间距，进一步拉高单位面积存储容量，BiCS9、BiCS10两代产品均延续这套成熟工艺体系，无需重新搭建全新产线工艺，缩短新品量产爬坡周期。
产业层面，当前AI大模型、向量数据库带动企业级高密度存储需求持续走高，3D NAND进入高层堆叠迭代周期。三星、SK海力士均推进300层以上新一代闪存研发，铠侠与闪迪本次率先完成第十代产品送样，依托北上Fab2成熟产线，优先完成高端高密度闪存样品验证，抢占数据中心SSD供应链窗口期。
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