英特尔，扩产光罩

英特尔本周启动在美国加州圣塔克拉拉（ Santa Clara ）Bowers园区的扩建计划，目的是在美提升光罩产能。该公司计划在园区新建一座制造工厂与一座新的公用设施建筑，以强化该园区作为英特尔光罩关键生产据点的地位。

外媒Tom's Hardware报导，英特尔今年稍早时已获准在Bowers园区兴建一座107,000平方英尺（约9,940平方公尺）的新制造设施，并配备一级无尘室。该厂将能制作6吋× 6吋的光罩，适用于DUV与EUV各种制程节点（从32奈米至1.4奈米等级），但主要重点将放在Intel 18A、18A-P、14A等更先进制程，因为这些制程依赖更先进的光罩设计。

报导称，每一款先进芯片产品都需要数百张光罩，而每一次光罩版本更新都可能直接影响整体量产时程。此外，在EUV制程中，光罩随时间可能受到工具损耗，能否快速自制并更新光罩变得更加关键。

英特尔旗下奥地利芯片制造设备商IMS Nanofabrication Global ，主要开发「多光束光罩写入工具」（ multi- beam mask writing tool ）。英特尔自2009年开始投资IMS ，并于2015年收购剩余股权。值得注意的是，台积电于2023年亦从英特尔手中收购10%股权。

英特尔当时表示，这项投资为IMS增强独立性，将带动关键微影技术发展，使整个半导体制造生态系受惠。

报导指出，传统光罩制作通常使用单束电子束设备，速度较慢；而IMS多电子束光罩写入机（MBMW）可同时投射262,144束可独立控制的电子束，大幅提升产能，同时维持奈米级精度。

英特尔晶圆代工部门（ Intel Foundry）与Mask Operations副总裁Frank Abboud表示，透过扩建Bowers园区的光罩业务，将强化支撑全球先进制程生产的关键能力，并彰显英特尔晶圆代工对推动美国半导体制造领导地位的承诺。

英特尔Bowers园区自1986年起即专门从事光罩生产，与俄勒冈州Hillsboro设施共同构成公司主要光罩制造体系。