从品牌端产品落地到芯片端方案迭代，待机零功耗的普及并不只是源于终端厂商对节能体验的主动优化，也与全球电源能效规则持续升级密切相关。

特别是充电器能效标准对转换效率、空载功耗等指标提出更高要求，降低待机损耗正逐步成为快充产品设计与合规布局中的重要一环。

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什么是待机零功耗？

待机零功耗并不是指充电器在插电未使用时完全不消耗电能，而是指整机空载功耗被控制在极低水平。当前行业通常将空载待机功耗低于 5mW 的产品称为“待机零功耗”或“近零待机”产品。

对于充电器而言，设备接入插座但未连接手机、平板等终端时，原边控制器、同步整流控制器、协议芯片及反馈电路仍会产生一定静态损耗。待机零功耗方案通过原边休眠、同步整流停驱、协议芯片低功耗控制以及反馈链路优化等方式，减少空载状态下的无效能耗。

待机零功耗应用场景

在众多应用中，墙插面板与带 USB-C 的插线板这类插墙设备无疑是待机零功耗最优落地场景，这类产品7×24 小时通电、空载频次高，多口集中管理可有效摊薄系统损耗，同时正处于接口从 USB-A 向 USB-C、功率从低到高、单口到多口的代际更迭期，给待机零功耗相关技术的批量植入提供了天然窗口。庞大的家庭与公共空间装机基数，使其成为零待机技术推广的“样板间”。

实现毫瓦级空载功耗，核心并不只是降低原边主控芯片的静态电流，而是要让整套快充系统在无负载状态下进入协同休眠。

原边控制器通常会在轻载或空载状态下进入突发、降频或休眠模式，减少开关损耗和驱动损耗；次级侧同步整流控制器则需要在低电流状态下及时停驱，避免同步整流 MOSFET 反向导通带来额外损耗。

协议芯片同样是影响待机功耗的重要环节。对于 Type-C 快充产品，协议芯片需要完成设备接入检测、输出电压控制、VBUS 放电以及负载识别等工作。无设备接入时，协议芯片、负载开关及下游 DC-DC 电路能否进入低功耗或断电状态，直接影响整机最终能否达到毫瓦级空载功耗。

此外，隔离反馈路径也是关键。传统光耦反馈及其偏置网络在待机状态下仍会产生损耗，部分方案通过磁耦通讯、原边反馈或低功耗光耦控制方式降低这部分消耗。

2026（秋季）亚洲充电大会将于9月11日在深圳前海国际会议中心举办，届时也将围绕零待机功耗方案等热点方向展开技术分享与交流。

BPS晶丰明源

BP87640 + BP62640 + BP818

晶丰明源较早推出由 BP87640、BP62640 与 BP818 构成的待机零功耗快充方案。该方案采用准谐振反激控制器搭配次级侧控制器，并通过 BP818 磁耦通讯器件完成初次级信息传输。

磁耦通讯的特点在于无需传统光耦反馈网络持续提供偏置电流，可降低隔离反馈链路在空载状态下的损耗。次级侧控制器进入休眠后，通过磁耦向原边发送低频控制信号，原边主控同步进入低功耗状态，从而实现整机待机功耗下降。

BP87650A + BP62650A + BP818 + BP63430N

在上述基础上，晶丰明源进一步推出集成协议控制的完整套片方案。该方案在原有磁耦通讯架构上，增加 BP63430N 协议芯片，实现协议侧与电源侧的协同低功耗控制。

该方案已进入终端量产应用。充电头网拆解发现，三星 60W 氮化镓充电器采用 BP87650A 初级主控、BP62650A 次级侧控制器、BP818 磁耦通讯器件以及 BP63430N 协议芯片组成全套方案。实测该产品在 110V 输入下空载功耗为 1.23mW，在 220V 输入下空载功耗为 1.8mW，具备较大的 5mW 目标余量。

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相较于此前以参考设计为主的方案展示，三星 60W 产品的落地说明，磁耦反馈已具备支撑高功率氮化镓充电器量产的能力。

Hynetek华源智信

HY1662 + HY923

华源智信早期零待机方案采用 HY1662 原边控制器与 HY923 同步整流控制器组合，通过空载切断光耦、协议侧关闭同步整流待机供电等方式，将系统待机功耗降至毫瓦级。

HY1659MSP7 + HY906S

近期，华源智信的方案进一步进入 100W 高功率充电器。充电头网拆解发现，小米 100W 氮化镓充电器的一个版本采用 HY1659MSP7 原边反激控制器与 HY906S 同步整流控制器。

HY1659MSP7 支持突发、PFM、DCM、CCM 等多种工作模式，可根据输入电压和负载状态调整工作方式，低压条件下采用 CCM，高压条件下切换至准谐振模式，以平衡导通损耗与开关损耗。

HY906S 则支持 DCM、CCM、PFM 及 QR 多种工作模式，并具备自适应预关断能力，可降低同步整流 MOSFET 的开关损耗及误导通风险。

实测该版本小米 100W 氮化镓充电器在 110V 输入下空载功耗为 1.25mW，在 220V 输入下为空载功耗 3.2mW。对于 100W 高功率快充产品而言，这一数据说明待机零功耗方案已不再局限于 25W、45W 等中低功率段。

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Injoinic英集芯

IP2017 + IP2028 + IP2723T

英集芯此前推出过基于 IP2017_S8、IP2028 以及 IP2723T 的 45W PD 快充零待机方案。

其中，IP2017_S8 为原边反激控制器，具备多模式控制、频率折返和谷底开通能力；IP2028 为同步整流控制器，可在轻载状态下优化 MOSFET 驱动和关断时序。

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IP2017 + IP2028 + IP2766G

近期，英集芯进一步推出面向 65W 笔电适配器的零待机方案，采用 IP2017、IP2028 和 IP2766G 三芯片组合。该方案基于 QR 反激架构，支持 5V、9V、12V、15V、20V 多档输出，最高输出规格为 20V3.25A。

该 65W 方案在 230VAC 输入空载状态下待机功耗低于 5mW，同时兼顾轻载效率、输出纹波和 EMI 指标。IP2766G 作为协议控制器，具备较低静态功耗，并支持协议、VBUS 开关控制及光耦驱动等功能，可与原边控制器协同进入低功耗状态。

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Renesas瑞萨

iW9860 + iW760

瑞萨此前推出的 iW9860 与 iW760 组合，是较早面向零待机快充市场的数字控制方案。

iW9860 采用自适应准谐振和多模式控制，iW760 集成协议、同步整流及 VBUS 控制功能，适用于 45W 等快充电源设计。

Southchip南芯科技

SC3005/SC3005Z + SC3501

南芯科技此前已推出 SC3005 原边反激控制器和 SC3501 同步整流控制器组合。SC3005 支持 CCM、QR 和 DCM 工作模式，并通过频率折返、谷底开通及休眠控制降低轻载和空载损耗；SC3501 则具备低静态电流、自适应开通检测和快速关断能力。

充电头网对小米 100W 氮化镓充电器的另一版本拆解发现，该产品采用 SC3005Z 初级主控、SC3501 同步整流控制器及小米定制协议芯片。定制协议芯片集成 MCU、VBUS 开关驱动、VBUS 放电、负载检测及零待机功耗控制能力，在无设备接入时可联动原边控制器进入休眠状态。

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UpSemi芯熠微

μP5529 + μP7510

单口快充产品实现零待机，重点在于原边、次级侧与反馈链路的协同；多口快充产品还需要解决协议芯片、下游 DC-DC 电路和多个输出端口带来的额外静态损耗。

芯熠微推出的 45W、65W 双 USB-C 零待机快充方案采用 μP5529 原边主控和 μP7510 次级侧同步整流控制器。方案采用原边自供电、去光耦、QR/DCM 低频突发等设计，并在轻载时让次级侧提前停驱。

针对多口应用，方案还对协议芯片和下游 DC-DC 电路进行门控断电。该方案在 115V 输入下空载功耗约为 2.3mW，在 230V 输入下约为 4mW，满足毫瓦级待机功耗设计需求。

待机零功耗正在成为快充电源设计中不可忽视的一项系统能力。与传统充电器仅关注满载效率不同，产品还需要在长时间空载状态下，尽可能降低原边控制、同步整流、反馈链路及协议芯片带来的静态损耗。

从现有方案看，晶丰明源、华源智信、英集芯、南芯科技、瑞萨及芯熠微等厂商，已分别围绕磁耦通讯、原边休眠、同步整流停驱、协议侧低功耗控制以及多口端口门控等方向展开布局。

其中，三星 60W、小米 100W 及贝尔金 67W 等产品的拆解，也说明待机零功耗方案已开始进入品牌快充产品。

值得关注的是，待机零功耗并非单颗芯片即可实现，而是原边、次级侧、协议芯片与外围供电链路共同协同的结果。对于高功率、多接口及多协议充电器而言，如何在满足快充性能、效率、EMI 和可靠性要求的同时，将整机空载功耗控制在 5mW 以下，将成为方案竞争的重要方向。