为应对人工智能内存日益增长的需求，总部位于美国的美光科技再次加速扩大其在美国的产能。该公司计划到2035年将其在美国的投资增加到2500亿美元以上，并建立美国占DRAM总产量40%的体系。
当地时间7月9日，美光在纽约州克莱顿新半导体工厂的奠基仪式上宣布了这项投资计划。
公告显示，美光决定在美国投资超过2500亿美元用于半导体生产和技术研发，其中包括新建纽约工厂以及扩建爱达荷州和弗吉尼亚州的生产设施。与之前的投资计划相比，此次投资增加了500亿美元。
该公司还表示，纽约工厂的首批混凝土浇筑工作比原计划提前了超过四分之一。这被解读为该公司为积极应对人工智能存储器日益增长的需求，加快生产设施建设进度而采取的策略。
通过这项投资，美光预计长期内将在美国生产约40%的DRAM芯片，并在全美创造超过9万个就业岗位。
此外，该公司还追加资金以加强半导体供应链。美光决定另行投资高达30亿美元（约合4.5万亿韩元），用于培育美国的材料和组件生态系统。其中，5亿美元将用于支持台湾晶圆制造商GlobalWafers位于德克萨斯州的工厂扩建，两家公司还计划签署一项为期10年的长期供应协议。
美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示：“随着数据和内存成为现代经济的核心基础设施，到2035年，我们将把在美国的投资扩大到2500亿美元以上。”
美光一直在持续扩大其在美国的投资计划。最初，该公司提出了1700亿美元的投资计划，但去年为了应对高带宽内存（HBM）需求的激增，将投资额提高到了2000亿美元，而此次又追加了500亿美元。
这一消息与唐纳德·特朗普政府的立场相符，该政府已将促进美国本土先进制造业发展作为核心政策。特朗普政府设定目标，力争在其任期结束前使美国半导体产量占全球总产量的40%，美光科技也正为此加强其以美国为中心的生产体系。
出席此次活动的美国商务部长霍华德·卢特尼克敦促三星电子和SK海力士扩大其在美国的存储器生产设施。他强调了扩大美国半导体生产基地的必要性，并表示：“由于美光率先投资，竞争对手最终也会扩大在美国的投资。”
行业分析师认为，美光正全面启动一项战略，旨在通过积极扩大其在美国的投资，将全球存储器供应链的中心转移到美国，并巩固其在人工智能存储器市场的领先地位。
尤其值得注意的是，美光选择在SK海力士纳斯达克ADR上市前一天宣布大规模投资计划，这被解读为美光在存储器领域遏制竞争对手的举措。
一位业内人士表示：“提高美国本土生产比例的举措不仅仅是扩大工厂规模，更是一项旨在同时确保供应链稳定性和快速响应客户需求的战略。”他补充道：“这很可能会对三星电子和SK海力士未来的美国投资计划产生重大影响。”
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