图注：2024 年 4 月，英特尔在俄勒冈州希尔斯伯勒（Hillsboro）Fab D1X 洁净室完成高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻设备安装并开始校准。这台重 165 吨的 High NA EUV 设备由 ASML 制造，是全球首台商用同类光刻系统。该设备将帮助英特尔晶圆代工（Intel Foundry）继续推进摩尔定律，为客户制造晶体管更小、性能更强的芯片。（图片来源：英特尔公司）
当地时间 7 月 15 日，ASML官方发布重磅公告，英特尔晶圆代工业务实现行业里程碑：依托 ASML High NA EUV（高数值孔径EUV） 光刻设备，英特尔 18A 工艺已用于批量生产第三代酷睿 Ultra（代号 Panther Lake）处理器，成为全球第一家使用 High NA EUV 设备量产出货逻辑芯片的厂商。
这批酷睿 Ultra 3 处理器基于英特尔 18A 工艺打造，芯片关键金属层均采用 High NA EUV 完成图形化制程。大批量流片生产过程中产出的海量工艺数据，将助力 ASML 与英特尔持续优化设备稼动率、迭代工艺配方，为全行业大规模落地 High NA EUV 打下坚实基础，充分释放该设备在晶体管密度、光刻分辨率上的核心优势。
坐落于俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔工厂，已完成 18A 工艺特定薄膜层的双产线量产认证，搭载 High NA EUV 设备制造的晶圆现已批量交付客户，良率表现对标当前成熟的低 NA EUV 设备平台，量产稳定性得到验证。
英特尔同时也是全球首家完成第二代量产型 High NA EUV 设备 TWINSCAN EXE:5200B 整机验收的企业。该机型在初代原型机 EXE:5000 基础上全面升级，晶圆吞吐效率、套刻精度、EUV 光源性能均大幅优化，完全适配大规模商业化制造需求。
英特尔晶圆代工执行副总裁兼总经理 Naga Chandrasekaran 表示：“这一里程碑是英特尔与 ASML 多年深度技术协同的成果，也实实在在证明 High NA EUV 能够稳定融入主流先进芯片大规模制造流程。我们完成 High NA EUV 在 18A 工艺特定产品层的量产认证，既能依托现有光刻设备产能提升当下芯片产出，双方也将持续联合打磨这项技术，为下一代工艺节点带来前所未有的晶体管密度、芯片性能与制造灵活性。”
最重要的一点是，英特尔率先把 High NA EUV 用到了量产，而台积电则着眼于大约 2029 年左右采用 high-NA EUV。Christophe Fouquet（ASML 总裁兼首席执行官）表示，这项技术对先进芯片制造中实现精确图形化至关重要；更小、更密的图形将进一步加速 AI 及其他新兴技术。
High NA EUV：先进制程的核心光刻利器
现行主流低 NA EUV 设备数值孔径仅 0.33，而 High NA EUV 设备数值孔径达到 0.55。依据光学瑞利判据，更高的数值孔径可带来约 67% 的光刻分辨率提升。
对于 2nm、1nm 级别的尖端工艺而言，分辨率提升能大幅减少多层图形化工艺步骤，有效降低制造复杂度、缩短生产周期，同时减小工艺偏差。传统低 NA 设备需要多次多重曝光才能实现的超细线路，如今单道曝光即可完成，从根源减少制程波动带来的良率损耗。
以英特尔 18A 产线为例，2024 年英特尔 D1X 工厂率先导入初代原型机 EXE:5000 开展工艺调试，后续部署量产优化版 EXE:5200B 用于 Panther Lake 芯片大规模生产。目前两条产线同步完成工艺认证，量产良率与传统 EUV 平台持平，标志 High NA EUV 正式脱离实验室阶段，进入稳定商用周期。
High NA EUV vs 传统 0.33NA EUV 完整价格对比（2026 最新行业口径）
1. 传统标准 EUV（Low NA，0.33NA，代表机型 NXE:4000F/NXE:3800E）
单台售价：1.5 亿–2 亿美元（约 10.5–14 亿元人民币） 适用：5nm/3nm/2nm 主流量产节点，当前全球晶圆厂主力机型
2. High NA EUV（高数值孔径 0.55NA，量产机型 EXE:5200B）
行业统一报价区间：3.5 亿–4 亿美元（约 24.5–28 亿元人民币）麻省理工科... 倍数关系：单价是传统 EUV 的 1.8～2 倍 参考案例：IMEC、英特尔采购价约 4 亿美元 / 台；行业平均口径 3.5 亿欧元（≈27 亿人民币）
