三星，暂缓使用High-NA EUV

英特尔已成为首家在其 18A Panther Lake 处理器的特定层中，将阿斯麦（ASML）的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机投入量产的公司。然而，三星电子尽管已经安装了两台 High-NA EUV 系统，但尚未跟进。据《朝鲜日报》报道，行业观察人士认为，该公司的谨慎态度反映的是财务方面的考量，而非技术限制，因为其试图通过避免额外的资本投资，来防止晶圆代工业务的亏损进一步扩大。

正如报告所强调的，三星去年在其华城园区安装了一台 High-NA EUV 系统，并于今年上半年增设了第二台，总投资估计略高于 1 万亿韩元。尽管三星在获取 High-NA EUV 工具方面与英特尔保持了同步，但其尚未正式确认这些系统已进入量产，这表明商业部署仍处于搁置状态。

据报道，三星的晶圆代工业务自 2022 年以来一直保持亏损，尽管一些市场观察人士预计，它最早可能在今年第四季度扭亏为盈。对于一个亏损的业务来说，将 High-NA EUV 工具投入全面生产将大幅提高折旧和其他固定运营成本。该报告补充说，由于扭亏为盈如今已近在咫尺，三星不愿承担额外的资本支出。

《朝鲜日报》补充称，据报道，三星的 2 纳米良率已提高到 55% 左右，接近通常被认为稳定量产所必需的约 60% 的门槛。该报告引用的一位半导体设备行业官员表示，该公司的良率已达到可以部署新工具的水平。即便如此，在主要客户的订单能更稳固地支撑其盈利能力之前，三星仍将继续维持保守的资本支出策略。

High-NA EUV能够在单次曝光中实现更密集的电路图案化，通过消除对多重曝光的需求来降低制造复杂度。正如《朝鲜日报》所指出的，该技术预计将在 1.4 纳米及以下节点中发挥越来越重要的作用。尽管如此，成本仍然是采用的最大障碍之一。路透社指出，一台 High-NA EUV 系统的成本约为 4 亿美元——大约是传统 EUV 工具的两倍——而且在技术上整合进生产中也极具挑战性。

Tom's Hardware 此前报道称，台积电即将推出的 A13 和 A12 工艺技术（两者的目标均定于 2029 年）预计将不需要 High-NA EUV 光刻技术。在财报电话会议上，董事长兼首席执行官魏哲家将 High-NA EUV 描述为一项很有前景的技术，但表示其成熟度和成本仍是采用时的重要考量因素。