三星加速研发500层NAND

继DRAM、高带宽内存（HBM）和晶圆代工（半导体代工制造）领域合作之后，三星电子（005930）正扩大与英伟达的合作范围，新增NAND闪存供应领域。据悉，三星正利用其强大的产能，增加向英伟达供应其旗舰级第九代V-NAND（V9）闪存，同时开始量产和供应第十代（V10）闪存产品。此外，该公司还在加速研发500层第十一代（V11）闪存产品。

据业内人士20日透露，三星电子目前已建立起每月超过10万颗V-NAND闪存的产能，并正在大规模生产其第十代产品V10，并供应给英伟达。

三星将约 60% 的 V-NAND 产能分配给了 V9 系列，使其成为旗舰产品。而就在一年前，V8 系列还占据了 V-NAND 产能的很大一部分。V8 的产能份额一度跌破 40%，但随着包括英伟达在内的全球大型科技公司对用于人工智能服务器的 NAND 需求激增，三星迅速将生产重心转移到了 V9 系列。

由于英伟达计划在今年下半年推出下一代存储设备“上下文记忆存储 (CMX)”，三星电子正在加速扩大其 V9 芯片的产能。近期，用于存储人工智能 (AI) 推理过程中生成的上下文数据的“键值 (KV) 缓存”在数据中心的应用激增。虽然 KV 缓存此前由图形处理器 (GPU) 服务器处理，但随着数据规模的增长，配备数千 TB 固态硬盘 (SSD) 的独立存储设备正逐渐成为必不可少的设备。

NVIDIA 的 CMX 显卡配备了 576 个固态硬盘 (SSD)，总存储容量达 9,600 TB。业界预计，CMX 所需的 NAND 闪存需求量将从今年的 3500 万 TB 激增至明年的 1 亿 TB 以上。鉴于三星电子今年的 NAND 闪存产量预计将达到约 2.5 亿 TB，该公司计划凭借其世界一流的生产能力，成为 NVIDIA CMX 的关键供应商。

据评估，三星电子已为中长期持续向英伟达供应V-NAND奠定了基础，因为其V9 NAND的良率已超过80%，量产也已进入稳定阶段。该公司位于平泽的第四工厂（P4）仍有一半以上的专用洁净室空间用于NAND生产，计划扩大V9生产线以满足未来的需求增长。

三星电子也在加速下一代V-NAND产品的量产。该公司于今年上半年开始全面量产V10，使其产量占V-NAND总产量的不到5%。V10采用400层堆叠结构，与286层的V9相比，存储密度提高了50%以上。

该公司已开始对500层V11闪存进行试生产。V11被认为是目前正在研发中的高堆叠V-NAND闪存，目标层数为400层至500层。试生产于今年年初启动，计划在下半年将产量翻一番。其目标是提高试生产规模，以确保获得足够的良率数据，并迅速建立量产体系。

材料创新也在同步推进。从V10 NAND闪存开始，被称为“梦幻材料”的钼将首次在业界实现商业化应用。与现有的布线材料钨相比，钼可以将布线厚度减少30%至40%。虽然三星电子在两年前发布的V9闪存中已经少量应用了钼，但计划在V10闪存中大幅扩展其应用范围。

三星电子会长李在镕计划近期在旧金山与英伟达首席执行官黄仁勋会面，探讨扩大合作事宜。据悉，这将是李在镕时隔九个月与黄仁勋的首次会面，双方不仅将讨论HBM和下一代NAND产品的供应，还将探讨在韩国（包括全罗南道光州）建设数据中心的合作计划。

一位业内人士预测，“英伟达已要求三星在CMX出货前扩大NAND闪存的产能”，并补充道，“由于三星和英伟达的联盟涵盖了整个存储器和代工业务，预计李健熙会长和黄永昌CEO之间的合作讨论将会深入。”