继DRAM、高带宽内存（HBM）和晶圆代工（半导体代工制造）领域合作之后，三星电子（005930）正扩大与英伟达在NAND闪存供应领域的联盟。凭借其强大的产能，三星正在增加向英伟达供应其旗舰级第九代V-NAND（V9）闪存的量产，同时开始量产并向英伟达供应其第十代（V10）闪存。此外，该公司还在加速研发其500层第十一代（V11）闪存产品。
据业内人士7月20日透露，三星电子已实现每月超过10万片晶圆的V-NAND产能，并正在向英伟达量产并供应其第十代产品V10闪存。
三星已将约 60% 的 V-NAND 产能分配给 V9，使其成为旗舰型号；然而，就在一年前，V8 还占据了 V-NAND 产能的很大一部分。V8 的产能份额一度跌破 40%，但随着包括英伟达在内的全球大型科技公司对用于 AI 服务器的 NAND 需求激增，三星迅速调整产能，集中精力生产 V9 系列产品。
三星电子加速扩大 V9 产能的原因在于英伟达计划于今年下半年推出的下一代存储设备“上下文存储器 (CMX)”。近年来，在人工智能 (AI) 推理过程中生成的上下文数据——“键值 (KV) 缓存”——在数据中心中迅速增长。虽然键值缓存（KV缓存）此前由图形处理器（GPU）服务器处理，但随着数据规模的增长，配备固态硬盘（SSD）且容量可达数千TB的独立存储设备正逐渐成为关键组件。
NVIDIA的CMX显卡配备了576个SSD，总存储容量高达9600TB。业界预计，CMX所需的NAND闪存需求量将从今年的3500万TB激增至明年的1亿TB以上。三星电子预计今年的NAND闪存产量将达到约2.5亿TB，该公司计划凭借其世界一流的生产能力，成为NVIDIA CMX的关键供应商。
由于三星电子V9 NAND闪存的良率已提升至80%以上，该公司已进入量产稳定阶段，并被认为已为中长期持续向NVIDIA供应V-NAND闪存奠定了基础。三星电子位于平泽的第四工厂（P4）仍有一半以上的专用NAND洁净室空间可供使用，公司计划扩建V9生产线以满足未来的需求增长。
此外，公司也在加速下一代V-NAND产品的量产。三星电子于今年上半年开始全面量产V10，使其产量占V-NAND总产量的不到5%。V10采用400层堆叠结构，存储密度比286层的V9提高了50%以上。
500层V11的试生产也已启动。V11是一款正在研发中的高堆叠V-NAND产品，目标层数为400层至500层。试生产已于今年年初开始，计划在下半年将产量翻一番。目标是通过增加试生产量来获取足够的良率数据，从而快速建立大规模生产体系。
材料创新也在同步推进。从V10 NAND开始，被称为“梦幻材料”的钼将首次在业界实现商业化应用。与现有的布线材料钨相比，钼可以将布线厚度减少30%至40%。虽然三星电子两年前发布的V9中已部分应用了钼，但计划在V10中大幅扩大其应用范围。
三星电子董事长李在镕计划近期在旧金山与英伟达CEO黄仁勋会面，讨论扩大合作事宜。据悉，李在镕此次与黄仁勋的会面是时隔九个月后的再次会面，双方不仅将讨论HBM和下一代NAND产品的供应，还将探讨在韩国（例如全罗南道光州）建设数据中心的合作计划。一位业内人士预测，“英伟达已要求三星在CMX出货前扩大NAND闪存的产能”，并补充道，“由于三星和英伟达的联盟涵盖了整个存储器和代工业务，预计李在镕和黄仁勋之间的合作讨论将会深入。”
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