玻璃基板封装三类应用形态

玻璃基封装（Glass carriers/ Glass Core Substrate / Glass Interposer）指以玻璃作为核心载体或中介层材料，通过TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）、RDL（Redistribution Layer，重布线层）、金属化、电镀、临时键合和面板级加工等工艺，实现芯片、HBM、I/O die和系统基板之间的高密度互连。其本质不是简单替代ABF载板，而是在AI/HPC大芯片、Chiplet、高速光电互连和面板级扇出封装等场景中，提供低翘曲、低损耗、大尺寸和高平整度的新型互连平台。

从应用形态看，先进封装中的玻璃基板主要分为三类，1）作为封装有机载板替代/补充方案的玻璃芯基板，2）承担芯片间高密度互联功能的玻璃中介层，3）用于晶圆级或面板级制程的临时键合、搬运与支撑的玻璃载板。

AI及高性能计算推动先进载板市场扩张

AI及高性能计算推动先进载板需求。据Yole，在人工智能和高性能计算推动下，以及在消费电子、汽车和国防领域的更广泛渗透，先进载板技术的整体市场规模预计将到2030年达到310亿美元，2024-2030 CAGR 8.1%。SEMI预计玻璃芯基板将于2028年左右在特定领域开始小批量生产，需求由AI加速器等高性能HPC主导。随着封装尺寸扩大以及应用领域扩展到CPO等领域，市场将不断扩大。

TSMC先进封装体系

台积电先进封装布局3D Fabric：CoWoS、InFO、SoIC。随着云计算、大数据分析、神经网络训练、AI推理、自动驾驶等发展，计算工作量快速增长，推动封装技术成为决定产品性能、功能与成本的关键。TSMC的3D Fabric提供3D硅堆叠以及先进封装技术，包括TSMC-SoIC（System on Integrated Chips），CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）以及InFO（Integrated Fan-Out），实现同构异构芯片集成，满足高性能、高算力密度、高能效、低延迟、高集成度需求。其中，CoWoS和InFO是封装技术，SoIC是前道芯片堆叠，未来的系统集成解决方案是TSMC-SoIC+先进封装。

CoWoS向更大封装面积演进

AI芯片仍在追求更大封装面积、更多HBM、更大interposer。CoWoS是TSMC面向高性能计算的先进封装，适用于AI和超级计算等场景，其结构是在大面积的silicon interposer上放置逻辑芯片和HBM，当前CoWoS包括CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L，主要是interposer的不同。

为了满足AI在单一封装内对于更高算力和更大内存的需求，TSMC持续优化CoWoS技术以集成更多的硅面积。目前TSMC正在量产5.5倍光罩的CoWoS封装并计划推出更大的版本，预计2028年投产14倍光罩的CoWoS可以集成约10颗大型计算芯片和20个HBM。

Intel的EMIB和Foveros路线

Intel的先进封装布局分为EMIB和Foveros两种。EMIB是嵌入硅桥的解决方案，应用于AI/HPC、GPU、数据中心，于2017年开始量产。其中EMIB-M在硅桥中集成MIM电容器以增强电源传输能力，EMIB-T是为了面对HBM对垂直电源传输的需求以及降低直流交流噪声，在硅桥加入了硅通孔TSV。Foveros是Intel的堆叠封装平台，通过中介层或垂直堆叠方式集成，于2019年开始量产，包含Foveros-S、Foveros-R、Foveros Direct 3D。Foveros-S采用硅中介层，支持4x光罩尺寸，Foveros-R使用RDL Interposer实现异构集成，Foveros Direct 3D则是将chiplets通过Cu-to-Cu混合键合实现3D堆叠。EMIB3.5D则是将EMIB的横向互连和Forveros的3D堆叠结合。

全球先进封装行业巨头布局玻璃基板

随着AI需求爆发，2.5D/3D封装陷入产能瓶颈，据Trendforce，AI算力需求推升封装面积，单芯片对晶圆、封装资源消耗呈倍数放大，即使TSMC积极扩产CoWoS仍然供不应求，客户寻求额外产能资源，订单外溢效应明显，2025年TSMC、Intel、SPIL分别占全球2.5D封装产能的70.2%、12.7%、9.5%。

TSMC、Intel、SK Absolics的技术布局，反映行业龙头对玻璃基板技术的长期投入。

Intel的玻璃芯基板+EMIB方案

2026年NEPCON上Intel展示了结合EMIB与玻璃基板的最新封装样品，该样品尺寸78mm*77mm是标准光罩尺寸的2倍，10-2-10堆叠架构。